Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

Приборы и техника физического эксперимента
Авторы:
Андрюшкин Владислав Васильевич Малеев Николай Анатольевич Кузьменков Александр Георгиевич Кулагина Марина Михайловна Гусева Юлия Александровна Васильев Алексей Петрович Блохин Сергей Анатольевич Бобров Михаил Александрович Трошков Сергей Иванович Папылев Денис Сергеевич Колодезный Евгений Сергеевич Устинов Виктор Михайлович
Аннотация:

В статье представлено исследование влияния сульфидно-полиамидной пассивации поверхности меза-структуры на характеристики лавинных фотодиодов InAlAs/InGaAs/InP. Лавинные фотодиоды с диаметром активной области 32 мкм воспроизводимо демонстрировали темновой ток ниже 10–20 нА на уровне 0,9 от напряжения пробоя. Наблюдалось однородное распределение значения пробивного напряжения по площади при -85 В, а также долговременная стабильность характеристик лавинного фотодиода.