Измерение порогового тока в локальных областях кристалла светодиода

Представлен способ измерений порогового тока в локальных областях кристалла светодиода, состоящий в регистрации изображений кристалла при трех малых токах и попиксельном расчете значений порогового тока путем решения системы уравнений, составленной для трех значений аппроксимирующей функции. Апробация выполнена на коммерческих зеленых и синих светодиодах. Показано, что распределение значений порогового тока по кристаллу неравномерное.