Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

Физическая электроника
Авторы:
Аннотация:

Исследованы токовые зависимости светового и температурного распределения (мэппинг) в наиболее совершенных на сегодняшний день AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3» с распределенной системой  отражающих контактов. Анализ ближнего поля собственного излучения совместно с ИК тепловым излучением выявил высокую однородность распределения тока по площади кристалла при всех уровнях возбуждения.