Последние выпуски
Оганесян Гагик Араратович
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 9841
- Страницы: 13-21
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 65
- 4963
- Страницы: 9-20