Фотолюминесценция и перенос энергии между квантовыми ямами CdTe/CdMnTe, разделенными широкими барьерами

Исследованы спектры отражения, люминесценции (PL) и спектры возбуждения люминесценции (PLE) гетероструктур CdTe/CdMnTe, содержащих квантовые ямы различной толщины. Было обнаружено, что  низкотемпературная люминесценция обусловлена локализованными состояниями экситона в квантовой яме. Анализ PLE позволяет сделать вывод, что вклад экситонов и свободных носителей в заселение состояний  квантовой ямы зависит от ее толщины. Показано, что соотношение этих вкладов в интенсивность люминесценции локализованного экситона квантовой ямы зависит от уровня оптического возбуждения. Установлено, что квантовые ямы, разделенные широким барьером, взаимодействуют друг с другом посредством возбужденных состояний экситона.