Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si
Авторы:
Аннотация:
В квантоворазмерных слоях SiGe гетероструктур Si/Si|_YGex/Si 2-го рода методом спектроскопии низкотемпературной фотолюминесценции в ближней инфракрасной и видимой областях спектра обнаружена и исследована электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ). Установлено, что ЭДЖ состоит из квазидвумерных дырок в квантовой яме в SiGe-слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. При относительно низких уровнях возбуждения в спектрах люминесценции этих структур обнаружены линии излучения биэкситонов. Найдено, что энергия связи биэкситонов в квазидвумерных слоях существенно больше, чем в объемном кремнии.