Влияние буферного слоя на механическую прочность интерфейса нанопровод-подложка

Атомно-силовая микроскопия была использована для изучения структуры и механической прочности эпитаксиальных интерфейсов нанопроводов InAs и GaP, выращенных на кремниевых подложках. Измерение упругих сил во время контролируемого отщепления отдельных нанопроводов от подложки, осуществляемого латеральным механическим воздействием зонда атомно-силового микроскопа, позволило установить корреляцию между прочностью эпитаксиального интерфейса и уровнем решеточного рассогласования. Было показано, что нанопровода InAs, выращенные на буферном слое InAs, демонстрируют другую механическую прочность по сравнению с выращенными непосредственно на кремнии. В то же время, механическая прочность нанопроводов GaP, выращенных на буферном слое GaP, имеет тот же порядок, что и у выращенных непосредственно на кремнии. Кроме того, анализ топографии после удаления нанопроводов подтвердил различия в механизмах разрушения интерфейса.