Статьи по ключевому слову "InAs"

Влияние буферного слоя на механическую прочность интерфейса нанопровод-подложка

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 1
  • 207
  • Страницы: 75-80

Излучательная рекомбинация в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2026
  • Том: 19
  • Выпуск: 1.1
  • 2
  • 231
  • Страницы: 33-38

Оптопары на основе твердых растворов InAsSb для детектирования углекислого газа

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 758
  • Страницы: 178-182

Поверхностно освещаемые высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 825
  • Страницы: 110-114

Оптические исследования гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 790
  • Страницы: 91-94

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 54
  • 4579
  • Страницы: 9-21

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4019
  • Страницы: 105-110

Формирование разбавленных нитридных нитевидных нанокристаллов InAs1–хNх по типу ядро–оболочка на кремнии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 4
  • 22
  • 4175
  • Страницы: 88-97

Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 3388
  • Страницы: 34-37

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 3779
  • Страницы: 77-82

Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 12
  • 5174
  • Страницы: 191-195

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 13
  • 6016
  • Страницы: 42-47