Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

Исследовано влияние фотоэлектронных процессов в n-Si и p-Si при создании сенсорной структуры «Si/SiO2/SiNx/полиэтиленимин (ПЭИ)/глюкозооксидаза (GO_x)» на чувствительность к глюкозе светоадресуемого потенциометрического сенсора (САПС) в зависимости от толщины слоя SiN_x. Получено, что освещение структуры на основе n-Si при адсорбции фермента GO_x увеличивает чувствительность к глюкозе в два раза по сравнению с адсорбцией GO_x в темноте, а наилучший эффект от фотостимулированной адсорбции достигается при толщине слоя SiN_x ~ 50 нм. Освещение p-Si во время адсорбции GOx приводило к небольшому снижению чувствительности сенсора. Результат объясняется изменением плотности иммобилизованных молекул GO_x за счет изменения электростатических сил притяжения при освещении и стабилизацией
фотоиндуцированного заряда на поверхностных электронных состояниях интерфейсов Si/SiO₂ и SiN_x/ПЭИ в случае применения фотостимулированной адсорбции GO_x.