Радиационная стойкость кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении продуктами деления радионуклида 252Cf

Исследовалось влияние длительного облучения продуктами деления радионуклида ²⁵²Cf на параметры работы кремний-литиевых Si(Li) p-i-n детекторов, Si поверхностно-барьерных детекторов и Si планарного p⁺n детектора. Для всех исследованных типов детекторов был обнаружен линейный сдвиг положения пиков осколков деления в сторону меньших энергий с увеличением дозы облучения. Установлено, что скорость смещения пиков сильно зависит от типа детектора и напряженности электрического поля в активной области детектора, но не от температуры облучения (комнатная или температура жидкого азота). На основании полученных результатов рассматривается возможность применения исследованных детекторов в составе радиоизотопного калибровочного источника нейтронов.