Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Аннотация:

Получены эпитаксиальные слои SiGe:Er на подложках сапфира, обладающие фотолюминесценцией эрбия на длине волны 1,54 мкм. Изучена зависимость структурного совершенства и интенсивности фотолюминесценции слоев от параметров роста.