Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию

Физическая электроника
Авторы:
Аннотация:

Исследовано формирование слоя пористого кремния (ПК) в тонком слое p-типа, эпитаксиально выращенном на кремнии n-типа, при двух плотностях тока анодирования и разном времени анодирования, и проведено сравнение поперечных сколов, морфологии поверхности, спектров отражения, и спектры фотолюминесценции. Установлена минимальная продолжительность анодирования (15 и 10 минут) при плотностях тока 10 мА/см2 и 20 мА/см2, при которых формируется однослойная структура ПС. С увеличением времени анодирования независимо от плотности тока формируется двухслойная структура с внутренним древовидным слоем пористого кремния, вклад которого в фотолюминесценцию минимален, а коэффициент отражения сильно падает из-за безвозвратных потерь в пористый древовидный слой.