Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+
Авторы:
Аннотация:
Исследовано влияние предварительно сформированного рельефа поверхности Si, облученного ионным пучком Ga+ с энергией 30 keV на скорость зарождения рипплов при бомбардировке ионами O2+. Установлено, что начальный рельеф поверхности способствует существенному ускорению процесса зарождения рипплов на поверхности Si.