Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

В работе исследуется влияние профиля распределения концентрации легирующей акцепторной примеси в базовой области гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si на параметры, характеризующие эффективность преобразования солнечной энергии. Установлено, что указанная эффективность зависит от степени обеднения легирующей акцепторной примесью приповерхностного слоя дырочного кремния (p-Si), входящего в структуру гетероперехода por- Si/p-Si. Профиль распределения концентрации примеси в данной области формируется в ходе роста слоя пористого кремния. Управление характером профиля распределения осуществляется через изменение технологических параметров процесса роста пористой пленки: плотностью тока и длительностью электрохимического травления. Повышение эффективности преобразования солнечной энергии объясняется увеличением глубины проникновения электрического поля внутрь базовой области за счет формирования определенного вида профиля распределения концентрации примеси. В конечном итоге вид профиля способствует быстрому выносу из базовой области носителей заряда, генерируемых светом; вынос происходит до момента рекомбинации носителей при участии ловушек.