Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

Физика конденсированного состояния
Авторы:
Аннотация:

В работе изучены несплошные пленки GaN, полученные методом ХГФЭ на подложках с маской. Механические напряжения в таких пленках ниже, чем в сплошных пленках той же толщины. Уменьшение напряжений приводит к уменьшению изгиба и снижает вероятность растрескивания пленки.