Трегулов Вадим Викторович
-
Место работыРязанский государственный университет имени С.А. Есенина
Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
- 2024, Том 17 Выпуск 4 Полный текст
Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 1
- 7358
- Страницы: 27-32
Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 660
- 8240
- Страницы: 130-136
Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 1
- 31
- 8113
- Страницы: 18-25
Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 2
- 35
- 6764
- Страницы: 17-26