Статьи по ключевому слову "silicon"

Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного кремния для приложений фотовольтаики и поляризационной оптики

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 2
  • 274
  • Страницы: 117-122

Рост пленок Ca5Si3 методом МЛЭ на подложке Si(111): структура и оптические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 1
  • 268
  • Страницы: 73-78

Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 2
  • 268
  • Страницы: 62-66

Экспериментальное исследование и ab initio расчеты моделей Si(111)(2/3)√3×(2/3)√3-Mg

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 1
  • 272
  • Страницы: 26-30

Происхождение латерального фотовольтаического эффекта в многослойной структуре SiO2/TeO2/Bi2Te3/n-Si(111)

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 7
  • 280
  • Страницы: 15-20

Композиты Si-Fe со встроенными нанокристаллами α-FeSi2: формирование и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4.1
  • 5
  • 267
  • Страницы: 9-14

Краситель на основе чернил перманентного маркера как инструмент для высокоразрешающей визуализации живых клеток на кремнии

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 351
  • Страницы: 269-274

Терморегулирование солнечных элементов с помощью наночастиц даун-конверсии

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 337
  • Страницы: 237-241

Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 375
  • Страницы: 57-59

Особенности морфологии Si наноструктур, выращенных в мезо- и макропористых кремнеземах методом CVD

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 364
  • Страницы: 252-257

Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 401
  • Страницы: 247-251

Исследование генерации второй гармоники в сферических мезопористых наночастицах Si/SiO2 на золоте

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 393
  • Страницы: 191-194

Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 4
  • 403
  • Страницы: 182-186

Формирование графеноподобной проводящей пленки на поверхности карбида кремния методом лазерной деструкции кремния

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 373
  • Страницы: 169-172

Исследование формирования элементов терагерцовой фотоники методом плазменного травления

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 383
  • Страницы: 165-168

Формирование метаматериалов на поверхности карбида кремния методом плазменной обработки

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 400
  • Страницы: 161-164

Состав и свойства наночастиц пористого кремния с осажденным циннаризином

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 4
  • 397
  • Страницы: 99-104

Осаждение меди на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 422
  • Страницы: 59-64

Фотодетектор на основе кремния с контактным слоем Mg2Si для коротковолнового ИК диапазона

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 397
  • Страницы: 53-58

Влияние режима роста на транспортные свойства легированных плёнок Mg2Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 449
  • Страницы: 40-43

Синтез нанопроволок типа ядро-оболочка на основе Mg2Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 6
  • 410
  • Страницы: 36-39

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 436
  • Страницы: 19-22

Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 16
  • 499
  • Страницы: 9-20

Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 28
  • 3638
  • Страницы: 22-29

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 43
  • 4029
  • Страницы: 9-21

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 3784
  • Страницы: 145-151

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 3600
  • Страницы: 134-139

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 3644
  • Страницы: 77-82

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 2624
  • Страницы: 275-278

Кремний/графитовый нанокомпозит для анода литий-ионных аккумуляторов

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 3200
  • Страницы: 271-274

Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 2580
  • Страницы: 207-211

Электронная зонная структура гексагональных политипов кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 4
  • 51
  • 3793
  • Страницы: 9-19

Электрические характеристики полупроводниковых пленочных структур, полученных на гибкой подложке

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 2556
  • Страницы: 187-191

Влияние диаметра на решеточную теплопроводность нанопроволок α-FeSi2 и ε-FeSi

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 2689
  • Страницы: 107-111

Поиски прямозонного бета-дисилицида железа: взаимодействие теоретических и экспериментальных подходов

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 2773
  • Страницы: 103-106

Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 22
  • 2712
  • Страницы: 31-35

Осаждение олова и золота на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2737
  • Страницы: 20-24

Автоматическая покраска клеток в мультиэлектродных матрицах: пилотное исследование

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 2760
  • Страницы: 320-324

Лазер-стимулированная олово-индуцированная кристаллизация кремния на гибких нетканых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 3141
  • Страницы: 261-265

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 2734
  • Страницы: 199-203

Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2673
  • Страницы: 134-137

Резонансное рассеяние одиночных кремниевых наностолбиков для нелинейной оптики

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 2942
  • Страницы: 110-114

Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 2753
  • Страницы: 75-78

Влияние скорости изменения температуры на термомиграцию жидких включений в кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 25
  • 2957
  • Страницы: 23-27

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 27
  • 3420
  • Страницы: 46-56

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 45
  • 4156
  • Страницы: 120-133

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 47
  • 3381
  • Страницы: 62-67

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 3588
  • Страницы: 37-42

Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 25
  • 4699
  • Страницы: 38-46

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 64
  • 4573
  • Страницы: 9-20

Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 25
  • 4715
  • Страницы: 76-85

Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 4102
  • Страницы: 249-254

Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 4399
  • Страницы: 444-448

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 4273
  • Страницы: 434-438

Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 4333
  • Страницы: 278-283

Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 4171
  • Страницы: 151-156

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 4248
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 4259
  • Страницы: 112-116

Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 53
  • 5242
  • Страницы: 106-111

Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 4030
  • Страницы: 100-105

Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 4141
  • Страницы: 94-99

Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 4688
  • Страницы: 84-89

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 4541
  • Страницы: 10-15

Получение пленок Mn4 Si7 методом магнетронного распыления и широкий спектр их термоэлектрических свойств

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 30
  • 5631
  • Страницы: 78-88

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 11
  • 4642
  • Страницы: 176-181

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 4529
  • Страницы: 50-54

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 42
  • 4688
  • Страницы: 39-43

Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 19
  • 4313
  • Страницы: 423-428

Разработка детекторного кластера на кремниевых фотоумножителях для черенковского гамма-телескопа taiga-iact

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 30
  • 4644
  • Страницы: 410-416

Исследование кинетики истекания тока из электронно-дырочной плазмы, создаваемой в кремниевых детекторах релятивистскими тяжелыми ионами

Ядерная физика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 16
  • 4534
  • Страницы: 295-301

Радиационная стойкость кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении продуктами деления радионуклида 252Cf

Ядерная физика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 21
  • 4492
  • Страницы: 287-294

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 49
  • 5141
  • Страницы: 10-17

Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 4442
  • Страницы: 416-421

Композиции на основе пористого кремния и оксида никеля, полученные совместным синтезом

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 5016
  • Страницы: 393-397

Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 5235
  • Страницы: 309-314

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 4779
  • Страницы: 162-166

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 4717
  • Страницы: 153-157

Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 4780
  • Страницы: 113-118

Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 4816
  • Страницы: 79-83

Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 4956
  • Страницы: 43-48

Излучение высокоэнергетических электронов при каналировании в искривленных монокристаллах кремния и германия

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1
  • 34
  • 6336
  • Страницы: 33-50

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 32
  • 5466
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5556
  • Страницы: 281-284

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 5398
  • Страницы: 260-264

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 42
  • 6082
  • Страницы: 123-127

Исследование деградации характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 5679
  • Страницы: 82-85

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 5244
  • Страницы: 59-63

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 5255
  • Страницы: 54-58

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 5366
  • Страницы: 36-41

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 5619
  • Страницы: 31-35

Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 31
  • 5884
  • Страницы: 8-12

Кремниевая наноантенна для контроля поляризации излучения одиночного квантового источника света

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 5201
  • Страницы: 235-239

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 5398
  • Страницы: 150-154

Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 19
  • 5029
  • Страницы: 135-139

Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 57
  • 5572
  • Страницы: 10-15

Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 5766
  • Страницы: 143-148

Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 5379
  • Страницы: 137-142

Влияние толщины и отжига смачивающего слоя Si(001)2×1-Cu на морфологию слоистых нанопленок на основе Fe, Co и Cu и их ферромагнитные свойства

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 5671
  • Страницы: 131-136

Структуры и электрическая проводимость на начальных стадиях роста Mg на Si(111)-Pb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 5787
  • Страницы: 107-112

Эволюция морфологии мезопористого порошка кремния, сформированного Pd-стимулированным химическим травлением при температурах 25-75 °C

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 5510
  • Страницы: 93-100

Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 31
  • 6407
  • Страницы: 32-37

Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 42
  • 6007
  • Страницы: 16-21

Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 82
  • 6282
  • Страницы: 9-15

Оптико-электрические фазовые характеристики кремниевых наносандвичей с отрицательной корреляционной энергией

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2021
  • Том: 14
  • Выпуск: 4
  • 79
  • 6596
  • Страницы: 9-20

Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 3
  • 45
  • 8807
  • Страницы: 7-14

Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 2
  • 36
  • 8648
  • Страницы: 17-26

Термодинамический анализ процессов взаимодействия тетрафторида кремния и гексафторсиликатов с водород- и кислородсодержащими веществами

Физическое материаловедение
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 65
  • 9454
  • Страницы: 92-105

Диффузионно‐реакционная модель взаимодействия силицидообразующего металла с карбидом кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8989
  • Страницы: 64-71

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 31
  • 9746
  • Страницы: 18-25

Распространение электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых плоскостных и аксиальных каналах в монокристаллах кремния

Теоретическая физика
  • Год: 2015
  • Выпуск: 3
  • 360
  • 9477
  • Страницы: 173-184

Особенности амплитудных спектров кремниевого детектора гамма-излучения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 3
  • 712
  • 9949
  • Страницы: 99-105

Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 9003
  • Страницы: 71-78

Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8810
  • Страницы: 66-71

Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 9154
  • Страницы: 14-16

Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8904
  • Страницы: 67-74

Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9535
  • Страницы: 13-21

Разработка технологии изготовления и исследование моделей кровеносных сосудов

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 9015
  • Страницы: 75-79

Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

Физическая электроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 9488
  • Страницы: 64-70

Определение радиационных потерь плазмы токамака Глобус-М с использованием кремниевых фотодиодов SPD

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 9031
  • Страницы: 70-74

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 559
  • 9669
  • Страницы: 24-28

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 9894
  • Страницы: 130-136