Статьи по ключевому слову "silicon"
Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 6
- 447
- Страницы: 275-278
Кремний/графитовый нанокомпозит для анода литий-ионных аккумуляторов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 491
- Страницы: 271-274
Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах
Масталиева В.А.
Неплох В.В.
Айбуш А.В.
Стовпяга Е.Ю.
Еуров Д.А.
Винниченко М.Я.
Караулов Д.А.
Кириленко Д.А.
Голубев В.Г.
Смирнов А.Н.
Макаров С.В.
Курдюков Д.А.
Мухин И.С.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 488
- Страницы: 207-211
Электронная зонная структура гексагональных политипов кремния
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 28
- 797
- Страницы: 9-19
Электрические характеристики полупроводниковых пленочных структур, полученных на гибкой подложке
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 5
- 476
- Страницы: 187-191
Влияние диаметра на решеточную теплопроводность нанопроволок α-FeSi2 и ε-FeSi
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 8
- 477
- Страницы: 107-111
Поиски прямозонного бета-дисилицида железа: взаимодействие теоретических и экспериментальных подходов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 4
- 463
- Страницы: 103-106
Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением
Субботин Е.Ю.
Козлов А.Г.
Горошко Д.Л.
Чернев И.М.
Хорошилов Д.А.
Лисенков О.Е.
Жижченко А.Ю.
Китань С.А.
Галкин Н.Г.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 526
- Страницы: 31-35
Осаждение олова и золота на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 6
- 528
- Страницы: 20-24
Автоматическая покраска клеток в мультиэлектродных матрицах: пилотное исследование
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 2
- 675
- Страницы: 320-324
Лазер-стимулированная олово-индуцированная кристаллизация кремния на гибких нетканых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 988
- Страницы: 261-265
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 672
- Страницы: 199-203
Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 3
- 644
- Страницы: 134-137
Резонансное рассеяние одиночных кремниевых наностолбиков для нелинейной оптики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 711
- Страницы: 110-114
Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 684
- Страницы: 75-78
Влияние скорости изменения температуры на термомиграцию жидких включений в кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 11
- 695
- Страницы: 23-27
Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 22
- 922
- Страницы: 46-56
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 36
- 1862
- Страницы: 120-133
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 28
- 1555
- Страницы: 62-67
Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 15
- 1684
- Страницы: 37-42
Численное моделирование режимов работы гетероструктурных фотодиодов на основе нитевидных нанокристаллов арсенида индия на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 21
- 2268
- Страницы: 38-46
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 46
- 1989
- Страницы: 9-20
Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 22
- 2268
- Страницы: 76-85
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 12
- 1983
- Страницы: 249-254
Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 2178
- Страницы: 444-448
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2143
- Страницы: 434-438
Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2256
- Страницы: 278-283
Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 7
- 2125
- Страницы: 151-156
Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2141
- Страницы: 122-127
Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 2170
- Страницы: 112-116
Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Аргунов Е.В.
Козлов А.Г.
Герасименко А.В.
Галкин Н.Г.
Поляков М.В.
Волкова Л.С.
Дудин А.А.
Гуральник А.С.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 32
- 2805
- Страницы: 106-111
Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления
Леньшин А.С.
Пешков Я.А.
Черноусова О.В.
Канныкин С.В.
Гречкина М.В.
Минаков Д.А.
Золотухин Д.С.
Агапов Б.Л.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 8
- 1988
- Страницы: 100-105
Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 2100
- Страницы: 94-99
Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства
Галкин К.Н.
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Маслов А.М.
Кропачев О.В.
Горошко Д.Л.
Балаган С.А.
Аргунов Е.В.
Гутаковский А.К.
Галкин Н.Г.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 2540
- Страницы: 84-89
Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 2284
- Страницы: 10-15
Получение пленок Mn4 Si7 методом магнетронного распыления и широкий спектр их термоэлектрических свойств
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 22
- 3134
- Страницы: 78-88
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 8
- 2605
- Страницы: 176-181
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 26
- 2633
- Страницы: 50-54
Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 34
- 2823
- Страницы: 39-43
Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 14
- 2512
- Страницы: 423-428
Разработка детекторного кластера на кремниевых фотоумножителях для черенковского гамма-телескопа taiga-iact
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 25
- 2699
- Страницы: 410-416
Исследование кинетики истекания тока из электронно-дырочной плазмы, создаваемой в кремниевых детекторах релятивистскими тяжелыми ионами
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 11
- 2674
- Страницы: 295-301
Радиационная стойкость кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении продуктами деления радионуклида 252Cf
Базлов Н.B.
Дербин А.B.
Драчнев И.C.
Котина И.М.
Коньков О.И.
Ломская И.C.
Микулич М.C.
Муратова В.
Семенов Д.А.
Трушин М.В.
Унжаков Е.B.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 14
- 2587
- Страницы: 287-294
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT:PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 42
- 2803
- Страницы: 10-17
Влияние пика Брэгга на электрические характеристики кремниевых детекторов, облученных ионами 40Ar средней энергии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 6
- 2500
- Страницы: 416-421
Композиции на основе пористого кремния и оксида никеля, полученные совместным синтезом
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 15
- 2928
- Страницы: 393-397
Численное моделирование распределения температурного поля в зоне роста графена, выращиваемого на SiC подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 27
- 2844
- Страницы: 309-314
Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 12
- 2697
- Страницы: 162-166
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 17
- 2626
- Страницы: 153-157
Эволюция кристаллической микроструктуры гибридных подложек SiC/Si во время роста методом замещения атомов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 15
- 2824
- Страницы: 113-118
Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 12
- 2774
- Страницы: 79-83
Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса
Кондратьев В.М.
Вячеславова Е.А.
Морозов И.А.
Налимова С.С.
Мошников В.А.
Гудовских А.С.
Большаков А.Д.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 27
- 2780
- Страницы: 43-48
Излучение высокоэнергетических электронов при каналировании в искривленных монокристаллах кремния и германия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1
- 27
- 3582
- Страницы: 33-50
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 3135
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 3216
- Страницы: 281-284
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 3141
- Страницы: 260-264
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 3615
- Страницы: 123-127
Исследование деградации характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 10
- 3301
- Страницы: 82-85
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
Никитина Л.С.
Лахина Е.А.
Ерёменко М.М.
Балакирев С.В.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Солодовник М.С.
Агеев О.А.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 3127
- Страницы: 59-63
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 3111
- Страницы: 54-58
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 13
- 3135
- Страницы: 36-41
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 24
- 3342
- Страницы: 31-35
Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 3427
- Страницы: 8-12
Кремниевая наноантенна для контроля поляризации излучения одиночного квантового источника света
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 8
- 3211
- Страницы: 235-239
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 16
- 3228
- Страницы: 150-154
Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 18
- 3065
- Страницы: 135-139
Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния
Кондратьев В.М.
Вячеславова Е.А.
Морозов И.А.
Налимова С.С.
Мошников В.А.
Гудовских А.С.
Большаков А.Д.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 56
- 3415
- Страницы: 10-15
Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3634
- Страницы: 143-148
Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 17
- 3394
- Страницы: 137-142
Влияние толщины и отжига смачивающего слоя Si(001)2×1-Cu на морфологию слоистых нанопленок на основе Fe, Co и Cu и их ферромагнитные свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3521
- Страницы: 131-136
Структуры и электрическая проводимость на начальных стадиях роста Mg на Si(111)-Pb
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 9
- 3651
- Страницы: 107-112
Эволюция морфологии мезопористого порошка кремния, сформированного Pd-стимулированным химическим травлением при температурах 25-75 °C
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 12
- 3464
- Страницы: 93-100
Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3955
- Страницы: 32-37
Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов
Галкин К.Н.
Кропачев О.В.
Маслов А.М.
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Галкин Н.Г.
Алексеев А.Ю.
Мигас Дмитрий Борисович
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 36
- 3684
- Страницы: 16-21
Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках
Галкин Н.Г.
Галкин К.Н.
Кропачев О.В.
Чернев И.М.
Доценко С.А.
Горошко Д.Л.
Субботин Е.Ю.
Алексеев А.Ю.
Мигас Дмитрий Борисович
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 65
- 3875
- Страницы: 9-15
Оптико-электрические фазовые характеристики кремниевых наносандвичей с отрицательной корреляционной энергией
- Год: 2021
- Том: 14
- Выпуск: 4
- 76
- 4560
- Страницы: 9-20
Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 3
- 44
- 6533
- Страницы: 7-14
Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 2
- 35
- 6251
- Страницы: 17-26
Термодинамический анализ процессов взаимодействия тетрафторида кремния и гексафторсиликатов с водород- и кислородсодержащими веществами
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 55
- 6950
- Страницы: 92-105
Диффузионно‐реакционная модель взаимодействия силицидообразующего металла с карбидом кремния
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 7052
- Страницы: 64-71
Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 1
- 30
- 7742
- Страницы: 18-25
Распространение электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых плоскостных и аксиальных каналах в монокристаллах кремния
- Год: 2015
- Выпуск: 3
- 360
- 7584
- Страницы: 173-184
Особенности амплитудных спектров кремниевого детектора гамма-излучения
- Год: 2013
- Выпуск: 3
- 710
- 7937
- Страницы: 99-105
Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках
- Год: 2010
- Выпуск: 1
- 0
- 6917
- Страницы: 66-71
Механические напряжения в пленках нитрида галлия, выращенных на подложках с маской
- Год: 2011
- Выпуск: 3
- 1
- 7158
- Страницы: 14-16
Моделирование распыления поверхности карбида кремния при бомбардировке ионами и кластерами
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 6813
- Страницы: 67-74
Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 7381
- Страницы: 13-21
Разработка технологии изготовления и исследование моделей кровеносных сосудов
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 7143
- Страницы: 75-79
Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 7414
- Страницы: 64-70
Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 660
- 7831
- Страницы: 130-136