Статьи по ключевому слову "эпитаксия"

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 180
  • Страницы: 120-133

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 329
  • Страницы: 155-159

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 360
  • Страницы: 62-67

Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 806
  • Страницы: 249-254

Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 7
  • 902
  • Страницы: 50-55

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 922
  • Страницы: 289-293

Моделирование начальных этапов формирования смачивающего слоя индия на As-стабилизированной подложке GaAs из первых принципов

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 931
  • Страницы: 193-197

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 918
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры при гомоэпитаксиальном росте Si на Si(100) на характер картин дифракции быстрых отражённых электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 991
  • Страницы: 112-116

Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 1212
  • Страницы: 106-111

Влияние дозы и ускоряющего напряжения при обработке поверхности Si(111) фокусированным ионным пучком на рост нанопроволок GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 10
  • 986
  • Страницы: 79-83

Исследования влияния потока мышьяка на термическую десорбцию собственного оксида GaAs и морфологию поверхности

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 928
  • Страницы: 74-78

Свойства ультратонких эпитаксиальных пленок нитрида ниобия на сапфире с С–cut ориентацией

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 959
  • Страницы: 69-73

Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 904
  • Страницы: 64-68

Формирование симметричных наноуглублений методом локального капельного травления для позиционированного роста одиночных квантовых точек

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 1150
  • Страницы: 53-58

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 19
  • 1002
  • Страницы: 47-52

Капельная эпитаксия селективно-позиционированных наноструктур In/GaAs(001) с переменным дистанцированием: эксперимент и моделирование

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 920
  • Страницы: 41-46

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 21
  • 1569
  • Страницы: 39-43

Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 7
  • 1419
  • Страницы: 224-228

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 41
  • 1739
  • Страницы: 179-184

Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 13
  • 1496
  • Страницы: 153-159

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 34
  • 1651
  • Страницы: 456-462

Наноразмерные слои гексаферрита BaFe12O19, выращенные методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии: рост, кристаллическая структура и магнитные свойства

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 1393
  • Страницы: 363-368

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 1673
  • Страницы: 341-345

Влияние динамических и температурных неоднородностей на эпитаксиальные процессы в горизонтальном CVD-реакторе

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 1484
  • Страницы: 336-340

Формирование диэлектрической гетероструктуры-подслоя для получения пленок теллурида свинца-олова

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 1568
  • Страницы: 158-161

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 1519
  • Страницы: 153-157

Независимое управление размером и формой наноструктур GaAs при капельной эпитаксии с помощью ультрамалого потока мышьяка

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 13
  • 2019
  • Страницы: 315-319

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 1988
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 25
  • 2030
  • Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 18
  • 2061
  • Страницы: 157-162

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 16
  • 2008
  • Страницы: 59-63

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 20
  • 1962
  • Страницы: 54-58

Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 1960
  • Страницы: 48-53

Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 7
  • 2081
  • Страницы: 42-47

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 1981
  • Страницы: 36-41

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 22
  • 2106
  • Страницы: 31-35

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2014
  • Страницы: 145-149

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 2048
  • Страницы: 75-79

Влияние концентрации алюминия в барьерном слое  на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 356
  • 6225
  • Страницы: 31-36

Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5875
  • Страницы: 32-36

Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 5772
  • Страницы: 28-31