Статьи по ключевому слову "люминесценция"

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 7
  • 578
  • Страницы: 171-177

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 624
  • Страницы: 143-148

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 638
  • Страницы: 77-82

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 8
  • 751
  • Страницы: 68-76

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 10
  • 672
  • Страницы: 49-54

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 711
  • Страницы: 43-48

Ультрафиолетовое усиление фотолюминесценции нанокристаллов оксида цинка в коллоидных смесях с наночастицами алюминия, синтезированных в газовом разряде

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 1307
  • Страницы: 261-266

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 1135
  • Страницы: 255-260

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 1094
  • Страницы: 130-136

Особенности деградации фотоэлектрических элементов солнечных электростанций в Гонконге и Санкт-Петербурге

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 0
  • 1104
  • Страницы: 44-49

На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 1313
  • Страницы: 187-192

Глубокоуровневое излучение в наноструктурах ZnO, выращенных методом гидротермального синтеза

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 1188
  • Страницы: 176-181

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 1338
  • Страницы: 10-15

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 110
  • 1913
  • Страницы: 29-38

Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 22
  • 1963
  • Страницы: 61-67

Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 23
  • 1805
  • Страницы: 157-162

Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 12
  • 1796
  • Страницы: 112-116

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 16
  • 1858
  • Страницы: 101-107

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 1859
  • Страницы: 33-38

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 31
  • 1738
  • Страницы: 14-19

Термостимулированная деполяризация флюоресценции матрично-изолированных наноточек MoS2

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 1735
  • Страницы: 356-362

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 1825
  • Страницы: 162-166

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 1920
  • Страницы: 22-27

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 78
  • 2538
  • Страницы: 32-43

Фотолюминесценция сверхрешеток свинцово- галогенидного перовскита

Физика молекул
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 20
  • 2309
  • Страницы: 326-329

Особенности люминесцентного отклика двумерных фотонных кристаллов с упорядоченными наноостровками Ge(Si) полученных с использованием разных подходов к упорядочению

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 13
  • 2126
  • Страницы: 188-193

Разработка технологических методов для создания высокоплотных люминесцентных структур на основе ап-конверсионных NaYF4:Yb3+, Er3+ частиц

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 2380
  • Страницы: 138-141

Полое антирезонансное оптическое волокно, активированное YAG:Yb3+

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 2428
  • Страницы: 240-245

Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 21
  • 2509
  • Страницы: 21-24

Проблемы и перспективы применения люминесценции фторида бария

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 1
  • 43
  • 6740
  • Страницы: 11-27

Действие гамма-излучения на люминесценцию и фотопроводимость нанокомпозита MEH-PPV – сульфид свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 24
  • 6641
  • Страницы: 35-46

Влияние гамма-излучения на тонкие нанокомпозитные пленки MEH-PPV/C60

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 34
  • 6615
  • Страницы: 24-34

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6263
  • Страницы: 58-62

Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6472
  • Страницы: 7-13

Воздействие гамма-излучения на люминесценцию нанокомпозитов проводящего полимера MEH-PPV с квантовыми точками сульфида свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 25
  • 6553
  • Страницы: 41-48

Структура тонких пленок ZnTPP, ZnTPP-С60 и влияние рентгеновского излучения на их фотолюминесценцию

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 32
  • 6739
  • Страницы: 26-40

Спектрально-люминесцентные свойства активированных фторалюминатных стекол, перспективных для создания оптических температурных сенсоров

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 29
  • 5939
  • Страницы: 44-54

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 30
  • 6864
  • Страницы: 18-25

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 113
  • 6414
  • Страницы: 66-76

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 87
  • 6381
  • Страницы: 56-65

Синтез и люминесцентные свойства соединения Ca5(PO4)3Cl:Eu2+, перспективного для создания твердотельного источника освещения

Физическое материаловедение
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 270
  • 6839
  • Страницы: 41-47

Основные результаты изучения дозиметрических свойств люминофора SrSO4:Eu2+

Физическое материаловедение
  • Год: 2015
  • Выпуск: 4
  • 400
  • 6564
  • Страницы: 100-110

Тепловое сопротивление и неоднородность распределения электролюминесценции и температуры в мощных AlGaInN-светодиодax

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 351
  • 6370
  • Страницы: 74-83

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 427
  • 6917
  • Страницы: 109-114

Конечный DF-CО2-усилитель мультитераваттной пикосекундной десятимикронной лазерной системы

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 330
  • 6435
  • Страницы: 48-55

Влияние термообработки на зеленую рентгенолюминесценцию порошков оксида цинка

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 509
  • 6624
  • Страницы: 21-30

Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 6344
  • Страницы: 71-78

Влияние ионообменной обработки и гамма-облучения на спектроскопические свойства фосфатных стекол, активированных европием

Физическое материаловедение
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6002
  • Страницы: 137-142

Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 6427
  • Страницы: 69-73

Особенности энергетического спектра и свойств поликристаллических пленок Pb1–x Cdx Se, сформированных на подложках из фтористого кальция и стекла

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5990
  • Страницы: 7-17

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6217
  • Страницы: 45-48

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 7030
  • Страницы: 130-136