Тепловое сопротивление и неоднородность распределения электролюминесценции и температуры в мощных AlGaInN-светодиодax

Теоретически и экспериментально исследованы распределения светового излучения, тока и тепла, а также их влияние на общее тепловое сопротивление в мощных AlGaInN светодиодах флип-чип конструкции. Тепловое сопротивление измерялось как по методу релаксации прямого напряжения с использованием прибора T3Ster, так и с применением инфракрасной тепловизионной микроскопии. Ближнее поле собственной электролюминесценции регистрировалось с помощью оптического микроскопа и цифровой фотокамеры, температурный мэппинг осуществлялся с помощью инфракрасного микроскопа высокого разрешения. Для интерпретации экспериментальных результатов проводилось трехмерное численное моделирование растекания тока и теплообмена в светодиодном кристалле с помощью программного пакета SimuLED. Получено хорошее согласие экспериментальных и расчетных данных, обнаружен рост теплового сопротивления с увеличением тока, обусловленный эффектом локализации тока вблизи контактных площадок.