Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах
Авторы:
Аннотация:
Исследована кинетика рекомбинационного излучения экситонов с тяжелыми дырками в структурах GaAs/A^Ga^As (х = 0,05) с мелкими туннельно изолированными квантовыми ямами шириной 3 и 4 нм в интервале температур 5-60 К. Показано, что энергия активации тепловой эмиссии экситонов из квантовых ям близка к сумме энергий локализации электронов и тяжелых дырок.