Влияние анодного окисления арсенидных гетероструктур с квантовыми точками на температурные зависимости фотоэлектрических спектров
Авторы:
Аннотация:
Показано, что анодное окисление покровного слоя гетероструктур с квантовыми точками InAs/ GaAs приводит к изменению температурных зависимостей фотоэлектрических спектров в результате уменьшения рекомбинационного времени жизни фотовозбужденных носителей в квантовых точках.