Статьи по ключевому слову "кремний"

Краситель на основе чернил перманентного маркера как инструмент для высокоразрешающей визуализации живых клеток на кремнии

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 119
  • Страницы: 269-274

Локализованное формирование капель Ga на нанопрофилированных подложках кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 1
  • 139
  • Страницы: 57-59

Особенности морфологии Si наноструктур, выращенных в мезо- и макропористых кремнеземах методом CVD

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 123
  • Страницы: 252-257

Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах

Физическое материаловедение
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 139
  • Страницы: 247-251

Исследование генерации второй гармоники в сферических мезопористых наночастицах Si/SiO2 на золоте

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 146
  • Страницы: 191-194

Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста

Физическая электроника
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 145
  • Страницы: 182-186

Состав и свойства наночастиц пористого кремния с осажденным циннаризином

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 153
  • Страницы: 99-104

Модификация нитевидных нанокристаллов кремния наночастицами серебра для решения задач газовой сенсорики

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 149
  • Страницы: 81-84

Осаждение меди на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 152
  • Страницы: 59-64

Фотодетектор на основе кремния с контактным слоем Mg2Si для коротковолнового ИК диапазона

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 148
  • Страницы: 53-58

Влияние режима роста на транспортные свойства легированных плёнок Mg2Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 172
  • Страницы: 40-43

Синтез нанопроволок типа ядро-оболочка на основе Mg2Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 1
  • 146
  • Страницы: 36-39

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 184
  • Страницы: 19-22

Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 7
  • 238
  • Страницы: 9-20

Влияние дырочных состояний на электронные и электростатические свойства двухмерных слоев на основе гетероструктуры кремний-германий-кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 28
  • 3402
  • Страницы: 22-29

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 3369
  • Страницы: 134-139

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 3415
  • Страницы: 77-82

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 2413
  • Страницы: 275-278

Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 2357
  • Страницы: 207-211

Электронная зонная структура гексагональных политипов кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 4
  • 51
  • 3554
  • Страницы: 9-19

Влияние диаметра на решеточную теплопроводность нанопроволок α-FeSi2 и ε-FeSi

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 2465
  • Страницы: 107-111

Поиски прямозонного бета-дисилицида железа: взаимодействие теоретических и экспериментальных подходов

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 2572
  • Страницы: 103-106

Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 22
  • 2481
  • Страницы: 31-35

Осаждение олова и золота на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2509
  • Страницы: 20-24

Автоматическая покраска клеток в мультиэлектродных матрицах: пилотное исследование

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 2558
  • Страницы: 320-324

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 2525
  • Страницы: 199-203

Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2463
  • Страницы: 134-137

Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 2545
  • Страницы: 75-78

Влияние скорости изменения температуры на термомиграцию жидких включений в кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 2719
  • Страницы: 23-27

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 27
  • 3174
  • Страницы: 46-56

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 46
  • 3157
  • Страницы: 62-67

Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 25
  • 4484
  • Страницы: 76-85

Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 16
  • 3882
  • Страницы: 249-254

Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 4183
  • Страницы: 444-448

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 4066
  • Страницы: 434-438

Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 4118
  • Страницы: 278-283

Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 3945
  • Страницы: 151-156

Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 4045
  • Страницы: 122-127

Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 52
  • 4998
  • Страницы: 106-111

Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 3816
  • Страницы: 100-105

Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 3914
  • Страницы: 94-99

Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 24
  • 4470
  • Страницы: 84-89

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 4302
  • Страницы: 10-15

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 11
  • 4424
  • Страницы: 176-181

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 4289
  • Страницы: 50-54

Композиции на основе пористого кремния и оксида никеля, полученные совместным синтезом

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 4795
  • Страницы: 393-397

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 14
  • 4576
  • Страницы: 162-166

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4495
  • Страницы: 153-157

Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 29
  • 4737
  • Страницы: 43-48

Излучение высокоэнергетических электронов при каналировании в искривленных монокристаллах кремния и германия

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1
  • 34
  • 6055
  • Страницы: 33-50

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 31
  • 5240
  • Страницы: 311-314

Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 5185
  • Страницы: 260-264

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 42
  • 5834
  • Страницы: 123-127

Исследование деградации характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 5445
  • Страницы: 82-85

Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 5030
  • Страницы: 59-63

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 5044
  • Страницы: 54-58

Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 5111
  • Страницы: 36-41

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 5380
  • Страницы: 31-35

Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 31
  • 5642
  • Страницы: 8-12

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 5201
  • Страницы: 150-154

Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 57
  • 5355
  • Страницы: 10-15

Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 5557
  • Страницы: 143-148

Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 20
  • 5177
  • Страницы: 137-142

Структуры и электрическая проводимость на начальных стадиях роста Mg на Si(111)-Pb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 5556
  • Страницы: 107-112

Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 31
  • 6161
  • Страницы: 32-37

Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 42
  • 5757
  • Страницы: 16-21

Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 80
  • 6004
  • Страницы: 9-15

Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 3
  • 45
  • 8581
  • Страницы: 7-14

Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 2
  • 36
  • 8386
  • Страницы: 17-26

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 31
  • 9536
  • Страницы: 18-25

Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9323
  • Страницы: 13-21

Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами

Физическая электроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 9284
  • Страницы: 64-70

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 9687
  • Страницы: 130-136