Статьи по ключевому слову "кремний"
Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 6
- 430
- Страницы: 275-278
Нелинейные оптические эффекты в мезопористых SiO2 и Si/SiO2 наночастицах
Масталиева В.А.
Неплох В.В.
Айбуш А.В.
Стовпяга Е.Ю.
Еуров Д.А.
Винниченко М.Я.
Караулов Д.А.
Кириленко Д.А.
Голубев В.Г.
Смирнов А.Н.
Макаров С.В.
Курдюков Д.А.
Мухин И.С.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 467
- Страницы: 207-211
Электронная зонная структура гексагональных политипов кремния
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 27
- 773
- Страницы: 9-19
Влияние диаметра на решеточную теплопроводность нанопроволок α-FeSi2 и ε-FeSi
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 8
- 459
- Страницы: 107-111
Поиски прямозонного бета-дисилицида железа: взаимодействие теоретических и экспериментальных подходов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 4
- 444
- Страницы: 103-106
Синтез Mg2Si на кремниевых кристаллах с различным аспектным соотношением
Субботин Е.Ю.
Козлов А.Г.
Горошко Д.Л.
Чернев И.М.
Хорошилов Д.А.
Лисенков О.Е.
Жижченко А.Ю.
Китань С.А.
Галкин Н.Г.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 504
- Страницы: 31-35
Осаждение олова и золота на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 6
- 506
- Страницы: 20-24
Автоматическая покраска клеток в мультиэлектродных матрицах: пилотное исследование
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 2
- 653
- Страницы: 320-324
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 651
- Страницы: 199-203
Влияние угла падения света на характеристики кремниевых солнечных элементов с различным текстурированием
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 3
- 622
- Страницы: 134-137
Комбинированный подход к созданию шаблона на подложке SiO2/Si с использованием ионных пучков и жидкостного травления
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 658
- Страницы: 75-78
Влияние скорости изменения температуры на термомиграцию жидких включений в кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 11
- 674
- Страницы: 23-27
Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 20
- 902
- Страницы: 46-56
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 28
- 1531
- Страницы: 62-67
Размерные эффекты при молекулярно-динамическом моделировании падения иона фуллерена на поверхность кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 22
- 2246
- Страницы: 76-85
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 12
- 1962
- Страницы: 249-254
Фотоассистированная адсорбция молекул фермента на модифицированную поверхность кремниевой подложки
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 2150
- Страницы: 444-448
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2119
- Страницы: 434-438
Характеризация экситонной динамики методом электрохимической импедансной спектроскопии нанокристаллов перовскита CsPbBr3(I3) для фотовольтаического применения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2231
- Страницы: 278-283
Селективный анализ состава паров с помощью нанонитей и спектроскопии электрического импеданса
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 7
- 2104
- Страницы: 151-156
Влияние плазмохимической обработки подложек Si(001) на последующий эпитаксиальный рост GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2118
- Страницы: 122-127
Пленка Mg2Si на Si(111), полученная методом сверхбыстрого реактивного осаждения Mg: структура и термоэлектрические свойства
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Аргунов Е.В.
Козлов А.Г.
Герасименко А.В.
Галкин Н.Г.
Поляков М.В.
Волкова Л.С.
Дудин А.А.
Гуральник А.С.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 32
- 2777
- Страницы: 106-111
Изменение морфологии многослойного пористого кремния при ступенчатом уменьшении плотности тока травления
Леньшин А.С.
Пешков Я.А.
Черноусова О.В.
Канныкин С.В.
Гречкина М.В.
Минаков Д.А.
Золотухин Д.С.
Агапов Б.Л.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 8
- 1967
- Страницы: 100-105
Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 2076
- Страницы: 94-99
Ультратонкие моносилициды Cr и Fe на подложке Si(111): формирование, оптические и термоэлектрические свойства
Галкин К.Н.
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Маслов А.М.
Кропачев О.В.
Горошко Д.Л.
Балаган С.А.
Аргунов Е.В.
Гутаковский А.К.
Галкин Н.Г.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 2516
- Страницы: 84-89
Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 2257
- Страницы: 10-15
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 8
- 2580
- Страницы: 176-181
Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 25
- 2605
- Страницы: 50-54
Композиции на основе пористого кремния и оксида никеля, полученные совместным синтезом
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 15
- 2902
- Страницы: 393-397
Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 12
- 2674
- Страницы: 162-166
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 17
- 2605
- Страницы: 153-157
Исследование адсорбционных свойств квазиодномерных наноструктур кремния методом спектроскопии электрического импеданса
Кондратьев В.М.
Вячеславова Е.А.
Морозов И.А.
Налимова С.С.
Мошников В.А.
Гудовских А.С.
Большаков А.Д.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 27
- 2756
- Страницы: 43-48
Излучение высокоэнергетических электронов при каналировании в искривленных монокристаллах кремния и германия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1
- 27
- 3559
- Страницы: 33-50
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 3109
- Страницы: 311-314
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 19
- 3115
- Страницы: 260-264
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 3587
- Страницы: 123-127
Исследование деградации характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 10
- 3277
- Страницы: 82-85
Исследование областей кремния, модифицированного ФИП, методами АСМ и рамановской спектроскопии
Никитина Л.С.
Лахина Е.А.
Ерёменко М.М.
Балакирев С.В.
Черненко Н.Е.
Шандыба Н.А.
Солодовник М.С.
Агеев О.А.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 3100
- Страницы: 59-63
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 3088
- Страницы: 54-58
Исследование влияния ФИП-обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 13
- 3112
- Страницы: 36-41
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 24
- 3313
- Страницы: 31-35
Влияние начального рельефа поверхности Si на формирование рипплов при облучении ионами O2+
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 3404
- Страницы: 8-12
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H(i)/ μc-Si:H(n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 16
- 3201
- Страницы: 150-154
Исследование адсорбционнымх свойств квази 1-Д наноструктур кремния
Кондратьев В.М.
Вячеславова Е.А.
Морозов И.А.
Налимова С.С.
Мошников В.А.
Гудовских А.С.
Большаков А.Д.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 56
- 3389
- Страницы: 10-15
Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3612
- Страницы: 143-148
Влияние плотности тока, времени анодирования и освещения на толщину пористого кремния в пластинах со встроенным p–n переходом и его фотолюминесценцию
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 17
- 3365
- Страницы: 137-142
Структуры и электрическая проводимость на начальных стадиях роста Mg на Si(111)-Pb
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 9
- 3617
- Страницы: 107-112
Гигантский латеральный фотовольтаический эффект в гетероструктуре TiO2/SiO2/p-Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3925
- Страницы: 32-37
Электронная структура и оптические свойства пленок Cа2Si, выращенных кремниевых подложках с различной ориентацией и рассчитанных из первых принципов
Галкин К.Н.
Кропачев О.В.
Маслов А.М.
Чернев И.М.
Субботин Е.Ю.
Галкин Н.Г.
Алексеев А.Ю.
Мигас Дмитрий Борисович
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 36
- 3658
- Страницы: 16-21
Формирование, структура и оптические свойства однофазных пленок CaSi И CaSi2 на Si подложках
Галкин Н.Г.
Галкин К.Н.
Кропачев О.В.
Чернев И.М.
Доценко С.А.
Горошко Д.Л.
Субботин Е.Ю.
Алексеев А.Ю.
Мигас Дмитрий Борисович
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 64
- 3845
- Страницы: 9-15
Вклад процессов внутренней ионизации полупроводников в тормозные потери энергии релятивистских электронов
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 3
- 44
- 6508
- Страницы: 7-14
Влияние легирующей примеси на эффективность преобразования солнечной энергии гетероструктурой CdS/por-Si/p-Si
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 2
- 35
- 6225
- Страницы: 17-26
Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 1
- 30
- 7718
- Страницы: 18-25
Образование пар Френкеля в кремнии под действием электронов и протонов высоких энергий
- Год: 2011
- Выпуск: 2
- 0
- 7362
- Страницы: 13-21
Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 7390
- Страницы: 64-70
Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 660
- 7808
- Страницы: 130-136