Статьи по ключевому слову "GaN"
Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах
Масютин Д.А.
Руднев А.А.
Моисеев Э.И.
Войнилович А.Г.
Луценко Е.В.
Цацульников А.Ф.
Сахаров А.В.
Артеев Д.С.
Николаев А.Е.
Пивоварова А.А.
Заварин Е.Е.
Ильинская Н.Д.
Марков Л.К.
Смирнова И.П.
Крыжановская Н.В.
Жуков А.Е.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 8
- Страницы: 125-128
Улучшенные оптические характеристики композитных пленок FAPbBr3-MOF
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 1
- 15
- Страницы: 105-109
Применение фрактальных методов для анализа данных микродеформаций земной коры
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 0
- 34
- Страницы: 101-113
Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 14
- 3412
- Страницы: 152-157
Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 8
- 3288
- Страницы: 83-87
Показатели работы подвесного спинового клапана системы NiFe/Co-PANI/NiFe
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 4
- 10
- 3258
- Страницы: 106-113
Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2287
- Страницы: 161-165
Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки
Гридчин В.О.
Шугабаев Т.М.
Лендяшова В.В.
Котляр К.П.
Хребтов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 15
- 2039
- Страницы: 143-147
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
Шугабаев Т.М.
Гридчин В.О.
Кузнецов А.
Кулагина А.С.
Хребтов А.И.
Лендяшова В.В.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 17
- 2732
- Страницы: 306-309
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 2526
- Страницы: 220-223
Оптимизация конструкции экранирующих электродов для повышения напряжения пробоя GaN HEMT
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2613
- Страницы: 204-209
Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 21
- 3688
- Страницы: 61-70
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3664
- Страницы: 43-48
Вольтамперные характеристики перовскитных пленок MaPbI3 , сформированных одностадийным методом центрифугирования
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 43
- 4462
- Страницы: 9-19
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
Шугабаев Т.М.
Гридчин В.О.
Резник Р.Р.
Хребтов А.И.
Мельниченко И.А.
Кулагина А.С.
Котляр К.П.
Лендяшова В.В.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 11
- 3900
- Страницы: 255-260
Исследование морфологии и состава наноразмерных гетероструктур AlGaN, полученных методом ПА МПЭ, на кремниевых подложках с использованием пористого кремния в качестве буферного слоя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 16
- 3790
- Страницы: 249-254
Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 12
- 4082
- Страницы: 223-227
Низкотемпературный метод удаления органических веществ из мезопористых частиц SiO2-ЦТАБ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 3743
- Страницы: 183-187
О смачивании подложек полиэтилентерефталата многокомпонентными дисперсиями оксида графена
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 8
- 4135
- Страницы: 177-182
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
Бабичев А.В.
Надточий А.М.
Ткач Ю.С.
Крыжановская Н.В.
Блохин С.А.
Неведомский В.Н.
Гладышев А.Г.
Малеев Н.А.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 20
- 4257
- Страницы: 50-55
Моделирование и анализ гетероструктур для нормально закрытого p-канального GaN-транзистора
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 29
- 3923
- Страницы: 449-453
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 13
- 3693
- Страницы: 439-443
Фотокаталитические свойства плазмонного нанокомпозита NiO – золото
Кондратьева А.С.
Комаревцев И.М.
Эннс Я.Б.
Казакин А.Н.
Питиримова Е.А.
Студзинский В.М.
Мишин М.В.
Карасёв П.А.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 22
- 3833
- Страницы: 310-315
Перовскитная электрохимическая светоизлучающая ячейка на кремнии для детектирования света
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 11
- 3823
- Страницы: 94-99
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
Черненко Н.Е.
Махов И.С.
Балакирев С.В.
Кириченко Д.В.
Шандыба Н.А.
Крыжановская Н.В.
Солодовник М.С.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 18
- 3821
- Страницы: 64-68
Исследование кристаллизации скопления роботов в параболическом потенциале
Бузаков М.К.
Смирнов В.А.
Сенникова Д.В.
Молодцова А.А.
Розенблит А.Д.
Порватов В.А.
Бурмистров О.И.
Пухтина Е.М.
Дмитриев А.А.
Олехно Н.А.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 26
- 4301
- Страницы: 36-40
Электрические и термоэлектрические свойства координационного полимера на основе феназиновых лигандов и серебра
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 33
- 5071
- Страницы: 68-77
Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия
Семенов А.
Нечаев Д.B.
Березина Д.
Гусева Ю.А.
Кулагина М.М.
Смирнова И.П.
Задиранов Ю.М.
Трошков С.
Шмидт Н.П.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 29
- 4087
- Страницы: 182-187
Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 28
- 4455
- Страницы: 170-175
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 18
- 4181
- Страницы: 85-89
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 21
- 4209
- Страницы: 62-66
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 4462
- Страницы: 33-38
Синтез полуполярного GaN(11-22) на наноструктурированной подложке Si(113)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 15
- 4485
- Страницы: 224-228
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 63
- 4978
- Страницы: 179-184
Исследование проводимости электрохимически легированных тонких полимерных пленок на основе саленовых комплексов никеля
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 22
- 4678
- Страницы: 90-95
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
Шабунина Е.И.
Иванов А.Е.
Тальнишних Н.А.
Карташова А.П.
Полоскин Д.С.
Шмидт Н.П.
Закгейм А.Л.
Черняков А.Е.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 31
- 4719
- Страницы: 70-76
Многослойные AlGaN/GaN гетероструктуры с низким слоевым сопротивлением на основе двумерного электронного газа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 31
- 4303
- Страницы: 380-384
Проводимость наноструктурированных пленок фталоцианина марганца
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 11
- 4263
- Страницы: 346-350
Расчет рабочего процесса схемы управления импульсным режимом работы МПД ускорителя
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 7
- 4685
- Страницы: 301-308
Самоорганизация структуры пористого карбида кремния под внешними воздействиями
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 13
- 4525
- Страницы: 79-83
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 5152
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 38
- 5212
- Страницы: 281-284
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
Синицкая О.А.
Шубина К.Ю.
Мохов Д.В.
Уваров А.В.
Филатов В.В.
Мизеров А.М.
Тимошнев С.Н.
Никитина Е.В.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 35
- 4970
- Страницы: 157-162
Моделирование GaN n-канальных и р-канальных нормально-закрытых транзисторов для монолитных схем
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 4936
- Страницы: 134-137
Оптимизация люминесцентных гетероструктур на основе InGaN с помощью генетического алгоритма
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 26
- 5137
- Страницы: 21-24
Структурированные биомолекулярные пленки для микроэлектроники
- Год: 2021
- Том: 14
- Выпуск: 1
- 33
- 7660
- Страницы: 85-99
Спектральные СВЧ- и оптические характеристики наноструктурированных углеродных и органических пленок
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 66
- 8790
- Страницы: 106-117
Структурные свойства дегидратированных пленок белковых растворов
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 4
- 28
- 8650
- Страницы: 25-37
Разработка феноменологической модели фазового разделения на примере манганита
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 3
- 19
- 9303
- Страницы: 17-26
Мониторинг качества гетероперехода AlGaN/GaN с помощью длинноканального полевого гетеротранзистора
- Год: 2009
- Выпуск: 1
- 0
- 8477
- Страницы: 43-48
Действие оптического излучения на зарядовое и магнитное состояния ионов железа в силленитах
- Год: 2016
- Выпуск: 4
- 179
- 8586
- Страницы: 22-32
Температурная эволюция магнитных свойств лантан-стронциевых манганитов
- Год: 2016
- Выпуск: 3
- 119
- 8923
- Страницы: 15-22
Применение самоорганизующихся карт Кохонена для формирования представительской выборки при обучении многослойного персептрона
- Год: 2016
- Выпуск: 2
- 379
- 9158
- Страницы: 95-107
Состав и структура тонких пленок на основе металлопорфириновых комплексов
- Год: 2016
- Выпуск: 2
- 137
- 8608
- Страницы: 9-18
Самоорганизация радиационных дефектов в неорганических диэлектриках
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 8611
- Страницы: 7-10
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 8741
- Страницы: 45-48
Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 9127
- Страницы: 28-31
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 8606
- Страницы: 28-31
Деградационные явления и проблема надежности полупроводниковых источников излучения
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 7
- 8439
- Страницы: 71-80