Статьи по ключевому слову "полупроводник"
Разработка автоматической системы подстройки положения оси лазерного излучения для воздушного канала связи
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 1
- 459
- Страницы: 377-382
Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 8
- 580
- Страницы: 228-232
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
Аникина М.А.
Кузнецов А.
Токсумаков А.Н.
Дремов В.В.
Казарян Д.А.
Фёдоров В.В.
Арсенин А.B.
Волков В.С.
Большаков А.Д.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 3
- 489
- Страницы: 130-136
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 3
- 518
- Страницы: 439-443
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 6
- 604
- Страницы: 289-293
Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 4
- 541
- Страницы: 221-226
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 676
- Страницы: 47-52
Развитие морфологии поверхности германия при облучении ионами галлия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 11
- 680
- Страницы: 21-25
Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 82
- 1098
- Страницы: 87-94
Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 80
- 1134
- Страницы: 29-38
Плазмонный резонанс в полупроводниковых нанокристаллах селенида кадмия с различным типом легирования
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 11
- 1409
- Страницы: 27-51
Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 8
- 1074
- Страницы: 423-428
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
Комаров С.Д.
Гридчин В.О.
Лендяшова В.В.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Дворецкая Н.В.
Драгунова А.С.
Махов И.С.
Надточий А.М.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
Жуков А.Е.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 28
- 1256
- Страницы: 114-120
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 17
- 1361
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 15
- 1222
- Страницы: 153-157
Влияние двух температур на полупроводниковый термоупругий твердый цилиндр на основе модифицированного теплообмена Мура Гибсона Томпсона
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1
- 11
- 1560
- Страницы: 65-81
Модификация диэлектрического отклика нанокристаллических пленок диоксида ванадия путем легирования никелем и вольфрамом
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 42
- 1986
- Страницы: 7-31
Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 9
- 1660
- Страницы: 223-225
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
Синицкая О.А.
Шубина К.Ю.
Мохов Д.В.
Уваров А.В.
Филатов В.В.
Мизеров А.М.
Тимошнев С.Н.
Никитина Е.В.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 1751
- Страницы: 157-162
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 16
- 1721
- Страницы: 145-149
Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 14
- 1679
- Страницы: 135-139
Влияние длительности импульсов тока на скорость перехода металл-полупроводник в нанопроводах VO2
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 10
- 1702
- Страницы: 130-134
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 21
- 1731
- Страницы: 75-79
Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 68
- 5782
- Страницы: 123-132
Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 1
- 128
- 5745
- Страницы: 64-70
Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2016
- Выпуск: 1
- 242
- 5902
- Страницы: 98-108
Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света
- Год: 2015
- Выпуск: 3
- 393
- 5944
- Страницы: 9-23
Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия
- Год: 2015
- Выпуск: 2
- 363
- 6242
- Страницы: 11-18
Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2015
- Выпуск: 1
- 275
- 5602
- Страницы: 158-166
Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии
- Год: 2015
- Выпуск: 1
- 600
- 6157
- Страницы: 31-42
Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов
- Год: 2014
- Выпуск: 4
- 266
- 6014
- Страницы: 48-54
Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 6001
- Страницы: 34-38
Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 627
- 6415
- Страницы: 93-99
XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2012
- Выпуск: 1
- 0
- 5770
- Страницы: 184-187
Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 532
- 6666
- Страницы: 101-107
Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 471
- 6432
- Страницы: 93-100