Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия

Проведены электронно-микроскопические (ЭМ) исследования структур на основе квантовых точек InSb/InAs. На ЭМ-изображениях больших квантовых точек (высота 9 – 10 нм, диаметр 38 – 50 нм) в планарной геометрии наблюдался сложный дифракционный контраст. По ЭМ-изображениям высокого разрешения обнаружено наличие дислокаций несоответствия в квантовых точках. Для системы квантовых точек антимонида индия InSb на подложке арсенида индия InAs впервые было проведено моделирование изображений контраста от квантовой точки, содержащей частичную дислокацию Франка. Методом конечных элементов вычислялись поля смещений и рассчитывались ЭМ-изображения. Сравнение результатов моделирования с экспериментом позволило объяснить наблюдаемые особенности муарового узора от большой квантовой точки антимонида индия InSb присутствием в ней дислокации несоответствия на границе квантовая точка – подложка.