Плазмонный резонанс в полупроводниковых нанокристаллах селенида кадмия с различным типом легирования

Исследовано влияние типа легирования (поверхностное (I) либо объемное (II)) на характер дипольной плазмонной моды в полупроводниковых нанокристаллах CdSe. Установлено, что в I случае (доноры расположены на поверхности нанокристалла) коллективная мода имеет вращательный характер и возбуждаются только угловые степени свободы. Напротив, во II случае заряд легирующих примесей распределен по всему объему системы и плазмонное возбуждение – суть колебание делокализованных носителей заряда в направлении нормали к поверхности. Показано, что положение резонансной линии обусловлено не только концентрацией свободных зарядов, но и характером их коллективного движения, который определяется типом легирования.