Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника
Авторы:
Аннотация:
В работе рассмотрено рассеяние электронов малых энергий на флуктуационных потенциалах вблизи поверхности полупроводника. Полученные результаты позволяют использовать электронную спектроскопию высокого энергетического разрешения для извлечения информации о строении поверхности полупроводника и особенностях приповерхностного взаимодействия в области малых энергий. Особое внимание уделено случаю высоких температур, при которых возникает асимметрия пика отраженных электронов.