Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света
Авторы:
Аннотация:
Исследованы спектральные зависимости коэффициентов отражения и поглощения света (при T = 300 K) в слоистом полупроводнике PbBi4Te7, легированном примесями серебра или кадмия и собственными дефектами. Все исследованные образцы обладали высокими холловскими концентрациями электронов nH = (eRH)–1, превышающими 5·1020 см–3. Показано, что оптические переходы в PbBi4Te7 на пороге межзонного поглощения являются прямыми и разрешенными. Установлено, что закон дисперсии электронов в этом соединении не параболичен и может быть описан в рамках кейновской модели непараболичности с учетом обменного взаимодействия свободных электронов. Оценены величины основных зонных параметров изучаемого соединения.