График выхода журналов
  • №4 Декабрь 2020
    Статьи принимаются до: 1 Октября 2020
  • №1 Март 2021
    Статьи принимаются до: 20 Января 2021
  • №2 Июнь 2021
    Статьи принимаются до: 1 Апреля 2021
  • №3 Сентябрь 2021
    Статьи принимаются до: 20 Июня 2021
  • №4 Декабрь 2021
    Статьи принимаются до: 1 Октября 2021

Статьи по ключевому слову "полупроводник"

Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 2019
  • Страницы: 7-11

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 1842
  • Страницы: 58-62

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 63
  • 1713
  • Страницы: 123-132

Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 1
  • 115
  • 1815
  • Страницы: 64-70

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 108
  • 1759
  • Страницы: 66-76

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 81
  • 1764
  • Страницы: 56-65

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 240
  • 2057
  • Страницы: 98-108

Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 3
  • 391
  • 2104
  • Страницы: 9-23

Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 356
  • 2192
  • Страницы: 11-18

Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 273
  • 1981
  • Страницы: 158-166

Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 596
  • 2372
  • Страницы: 31-42

Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов

Физическая электроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 264
  • 2172
  • Страницы: 48-54

Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 2046
  • Страницы: 34-38

Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 1521
  • Страницы: 23-29

Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 1767
  • Страницы: 11-14

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)

Хроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 1577
  • Страницы: 157-163

Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров

Физическая оптика
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 624
  • 2552
  • Страницы: 93-99

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 1722
  • Страницы: 80-84

Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 1684
  • Страницы: 39-43

XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 1813
  • Страницы: 184-187

Давление силы Казимира на слой диэлектрика в наноразмерных слоистых твердотельных структурах алюминий - оксид кремния - кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 1686
  • Страницы: 22-28

Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 531
  • 2588
  • Страницы: 101-107

Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 470
  • 2546
  • Страницы: 93-100

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 556
  • 2474
  • Страницы: 24-28

Композитные материалы – новое направление развития нанотехнологий (по материалам XIV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике)

Хроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1063
  • 3146
  • Страницы: 212-223

Одночастотный режим работы лазерных диодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1352
  • 3696
  • Страницы: 89-96