График выхода журналов
  • №2 Июнь 2021
    Статьи принимаются до: 1 Апреля 2021
  • №3 Сентябрь 2021
    Статьи принимаются до: 20 Июня 2021
  • №4 Декабрь 2021
    Статьи принимаются до: 1 Октября 2021

Статьи по ключевому слову "полупроводник"

Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 2616
  • Страницы: 7-11

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 2418
  • Страницы: 58-62

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 64
  • 2326
  • Страницы: 123-132

Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 1
  • 120
  • 2429
  • Страницы: 64-70

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 111
  • 2358
  • Страницы: 66-76

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 83
  • 2403
  • Страницы: 56-65

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 242
  • 2632
  • Страницы: 98-108

Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 3
  • 392
  • 2687
  • Страницы: 9-23

Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 358
  • 2850
  • Страницы: 11-18

Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 274
  • 2514
  • Страницы: 158-166

Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 599
  • 2947
  • Страницы: 31-42

Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов

Физическая электроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 265
  • 2759
  • Страницы: 48-54

Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 2630
  • Страницы: 34-38

Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 2079
  • Страницы: 23-29

Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 2340
  • Страницы: 11-14

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)

Хроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 2123
  • Страницы: 157-163

Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров

Физическая оптика
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 626
  • 3136
  • Страницы: 93-99

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 2314
  • Страницы: 80-84

Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 2269
  • Страницы: 39-43

XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 2348
  • Страницы: 184-187

Давление силы Казимира на слой диэлектрика в наноразмерных слоистых твердотельных структурах алюминий - оксид кремния - кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 2264
  • Страницы: 22-28

Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 532
  • 3146
  • Страницы: 101-107

Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 471
  • 3133
  • Страницы: 93-100

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 556
  • 3062
  • Страницы: 24-28

Композитные материалы – новое направление развития нанотехнологий (по материалам XIV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике)

Хроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1064
  • 3713
  • Страницы: 212-223

Одночастотный режим работы лазерных диодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1352
  • 4247
  • Страницы: 89-96