НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "полупроводник"

    Исследование самогибридизованных волноводных экситон-поляритонов в двумерном антиферромагнетике CrSBr при комнатной температуре

    Новые материалы
    Калантаевский И.Э.Горелкина Т.Д.Кравцов В.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 11
    • 740
    • Страницы: 146-150

    Расходимость лазерного пучка вертикально-излучающего полупроводникового лазера с резонатором на основе двумерного фотонного кристалла

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Некрасов А.С.Золотарев В.В.Орешко И.В.Слипченко С.О.Пихтин Н.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 9
    • 721
    • Страницы: 86-91

    Зависимость оптических спектров объемно-легированных полупроводниковых нанокристаллов сульфида кадмия от их геометрических размеров и числа носителей заряда

    Теоретическая физика
    Ипатов А.Н.Куприянов Г.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 15
    • 949
    • Страницы: 158-169

    Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 5
    • 1102
    • Страницы: 196-199

    Электростатическое управление коррелированными фазами в пространственно неоднородной двумерной муаровой структуре

    Физика конденсированного состояния
    Абрамов А.Н.Чиглинцев Э.Осколкова Т.Бандурин Д.A.Иорш И.В.Чернов А.И.Кравцов В.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 10
    • 1322
    • Страницы: 49-52

    Механизм переключения сопротивления в нефиламентном запоминающим устройстве из металлогалогенидного перовскита

    Физика конденсированного состояния
    Махмудпур А.Алексеев П.А.Фурасова А.Д.Макаров С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 19
    • 1299
    • Страницы: 16-23

    Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.Илькив И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 6
    • 1250
    • Страницы: 152-155

    Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Духан Д.Д.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Кугаевский А.Д.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 12
    • 1373
    • Страницы: 19-22

    Распределение по длинам нитевидных нанокристаллов с положительной и отрицательной поверхностной диффузией

    Математическое моделирование физических процессов
    Дубровский В.Г.Лещенко Е.Д.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 4
    • 15
    • 1443
    • Страницы: 34-47

    Коллективные возбуждения в объемно-легированных полупроводниковых нанокристаллах сульфида кадмия

    Теоретическая физика
    Ипатов А.Н.Куприянов Г.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 22
    • 4474
    • Страницы: 144-161

    Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кавокин К.В.Кузнецова М.С.Литвяк В.М.Бажин П.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 63
    • 5147
    • Страницы: 6-10

    Фотокаталитические свойства наноструктур Ag-AgBr, сформированных методом ионного обмена в фото-термо-рефрактивном стекле, для разложения водных красителей

    Физическое материаловедение
    Песняков В.В.Марасанов Д.В.Сгибнев Е.М.Никоноров Н.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 3768
    • Страницы: 302-305

    Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Баранов А.И.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 24
    • 3768
    • Страницы: 220-223

    Приготовление квантовых состояний с помощью оптической инжекции: проблема межсимвольной интерференции

    Приборы и техника физического эксперимента
    Кудряшов И.С.Шаховой Р.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 9
    • 3732
    • Страницы: 173-177

    Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Харин Н.Ю.Паневин В.Ю.Винниченко М.Я.Норватов И.А.Федоров В.В.Фирсов Д.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 22
    • 4224
    • Страницы: 143-148

    Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Тимофеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 54
    • 4251
    • Страницы: 62-67

    Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кузнецова М.С.Кавокин К.В.Джиоев Р.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 40
    • 4587
    • Страницы: 31-36

    Разработка автоматической системы подстройки положения оси лазерного излучения для воздушного канала связи

    Радиофизика
    Назарова К.С.Давыдов В.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 10
    • 4664
    • Страницы: 377-382

    Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии

    Физическое материаловедение
    Хахулин С.А.Лакунцова О.Е.Фирсов Д.Д.Комков О.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 30
    • 5367
    • Страницы: 228-232

    Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

    Физическая оптика
    Аникина М.А.Кузнецов А.Токсумаков А.Н.Дремов В.В.Казарян Д.А.Федоров В.В.Арсенин А.B.Волков В.С.Большаков А.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 16
    • 5160
    • Страницы: 130-136

    Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая электроника
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Мизеров А.М.Никитина Е.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 17
    • 4903
    • Страницы: 439-443

    Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Осипов А.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 16
    • 4874
    • Страницы: 289-293

    Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

    Математическое моделирование физических процессов
    Саенко А.В.Билык Г.Е.Малюков С.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 15
    • 5360
    • Страницы: 221-226

    Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

    Физика конденсированного состояния
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Соловьёв В.А.Чернов М.Ю.Комков О.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 35
    • 5299
    • Страницы: 47-52

    Развитие морфологии поверхности германия при облучении ионами галлия

    Физика конденсированного состояния
    Смирнова М.А.Бачурин В.И.Пухов Д.Э.Мазалецкий Л.А.Лебедев М.Е.Чурилов А.Б.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 28
    • 5961
    • Страницы: 21-25

    Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния

    Физика молекул
    Лебедев А.А.Давыдов С.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3
    • 213
    • 5872
    • Страницы: 87-94

    Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

    Физика конденсированного состояния
    Харин Н.Ю.Паневин В.Ю.Петрук А.Д.Винниченко М.Я.Норватов И.А.Федоров В.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3
    • 217
    • 5950
    • Страницы: 29-38

    Плазмонный резонанс в полупроводниковых нанокристаллах селенида кадмия с различным типом легирования

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Ипатов А.Н.Куприянов Г.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 2
    • 25
    • 6388
    • Страницы: 27-51

    Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах

    Астрофизика
    Красильщиков А.М.Холупенко Е.Е.Бадмаев Д.В.Богданов А.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 20
    • 5126
    • Страницы: 423-428

    Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

    Физическая оптика
    Комаров С.Д.Гридчин В.О.Лендяшова В.В.Котляр К.П.Резник Р.Р.Дворецкая Н.В.Драгунова А.С.Махов И.С.Надточий А.М.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.Жуков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 50
    • 5885
    • Страницы: 114-120

    Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Кириленко Д.А.Шаров В.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 31
    • 5874
    • Страницы: 341-345

    Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Самсоненко Ю.Б.Сошников И.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 26
    • 5577
    • Страницы: 153-157

    Влияние двух температур на полупроводниковый термоупругий твердый цилиндр на основе модифицированного теплообмена Мура Гибсона Томпсона

    Математическое моделирование физических процессов
    Каур И.Сингх К.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1
    • 21
    • 6360
    • Страницы: 65-81

    Модификация диэлектрического отклика нанокристаллических пленок диоксида ванадия путем легирования никелем и вольфрамом

    Физика конденсированного состояния
    Шадрин Е.Б.Ильинский А.В.Кастро Р.А.Капралова В.М.Кононов А.А.Пашкевич М.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 4
    • 58
    • 6851
    • Страницы: 7-31

    Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре

    Физическая оптика
    Кондратьев В.И.Иванова Т.В.Тюгаев М.Д.Самусев Антон КирилловичКравцов В.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 14
    • 6057
    • Страницы: 223-225

    Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

    Физическая оптика
    Синицкая О.А.Шубина К.Ю.Мохов Д.В.Уваров А.В.Филатов В.В.Мизеров А.М.Тимошнев С.Н.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 37
    • 6214
    • Страницы: 157-162

    Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

    Физическая электроника
    Казакин А.Н.Эннс Я.Б.Уваров А.В.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 32
    • 6231
    • Страницы: 145-149

    Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

    Физическая электроника
    Козловский А.В.Стецюра С.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 19
    • 5841
    • Страницы: 135-139

    Влияние длительности импульсов тока на скорость перехода металл-полупроводник в нанопроводах VO2

    Физическая электроника
    Алымов Г.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 18
    • 6059
    • Страницы: 130-134

    Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Илькив И.В.Бородин Б.Р.Убыйвовк Е.В.Резник Р.Р.Талалаев В.Г.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 35
    • 6216
    • Страницы: 75-79

    Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Хапугин О. Е.Горбачева Е. А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 10283
    • Страницы: 7-11

    Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кочиев М. В.Нгуен М. Х.Цветков В. А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9767
    • Страницы: 58-62

    Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

    Конференции
    Гаврикова Т.А.Фирсов Д.А.
    • Год: 2017
    • Том: 10
    • Выпуск: 2
    • 69
    • 9898
    • Страницы: 123-132

    Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови

    Приборы и техника физического эксперимента
    Красовский В. И.Феофанов И. Н.Ивашкин П. И.Казарян М. А.
    • Год: 2017
    • Том: 10
    • Выпуск: 1
    • 129
    • 10096
    • Страницы: 64-70

    Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Винниченко М.Я.Махов И.С.Селиванов А. В.Сорокина А. М.Воробьев Л.Е.Фирсов Д.А.Штеренгас Л. М.Беленький Г.Л.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 4
    • 117
    • 10210
    • Страницы: 66-76

    Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Махов И.С.Паневин В.Ю.Винниченко М.Я.Софронов А.Н.Фирсов Д.А.Воробьев Л.Е.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 4
    • 88
    • 10113
    • Страницы: 56-65

    Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

    Конференции
    Гаврикова Т.А.Зыков В.А.Фирсов Д.А.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 1
    • 243
    • 9809
    • Страницы: 98-108

    Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света

    Физика конденсированного состояния
    Вейс А.Н.
    • Год: 2015
    • Выпуск: 3
    • 393
    • 10236
    • Страницы: 9-23

    Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия

    Физика конденсированного состояния
    Сокура Л.А.Неведомский В.Н.Берт Н.А.
    • Год: 2015
    • Выпуск: 2
    • 366
    • 10611
    • Страницы: 11-18

    Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

    Хроника
    Гаврикова Т.А.Зыков В.А.Ильин В.И.
    • Год: 2015
    • Выпуск: 1
    • 275
    • 9521
    • Страницы: 158-166

    Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии

    Физика конденсированного состояния
    Лашкова Н.А.Пермяков Н.В.Максимов А.И.Спивак Ю.М.Мошников В.А.
    • Год: 2015
    • Выпуск: 1
    • 601
    • 10400
    • Страницы: 31-42

    Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов

    Физическая электроника
    Кораблев В.В.Дубов В.В.
    • Год: 2014
    • Выпуск: 4
    • 268
    • 10203
    • Страницы: 48-54

    Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Л.Н.Обухов С.В.Тютерев В.Г.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9997
    • Страницы: 34-38

    Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

    Физика конденсированного состояния
    Захарова И.Б.Супрун Е.И.Ильин В.И.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 1
    • 9910
    • Страницы: 23-29

    Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

    Физика конденсированного состояния
    Гладышев Е.Е.Горшков А.П.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9420
    • Страницы: 11-14

    Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)

    Хроника
    Васильева М.А.Гаврикова Т.А.Зыков В.А.Ильин В.И.Шалыгин В.А.
    • Год: 2014
    • Выпуск: 1
    • 3
    • 9306
    • Страницы: 157-163

    Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров

    Физическая оптика
    Князьков А.В.Кукуричкин В.А.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 4
    • 628
    • 10593
    • Страницы: 93-99

    Лазерные диоды для фотодинамической терапии

    Приборы и техника физического эксперимента
    Воробьев Л.Е.Софронов А.Н.Фирсов Д.А.Демидов Д.М.Леус Р.В.Свердлов М.А.Тер-Мартиросян А.Л.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 10198
    • Страницы: 80-84

    Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

    Физика конденсированного состояния
    Пастор А.А.Сердобинцев П.Ю.Тимофеев Н.А.Ходорковский М.А.Накозина А.А.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 4
    • 2
    • 9671
    • Страницы: 39-43

    XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

    Хроника
    Васильева М.А.Гаврикова Т.А.Ильин В.И.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 1
    • 0
    • 9684
    • Страницы: 184-187

    Давление силы Казимира на слой диэлектрика в наноразмерных слоистых твердотельных структурах алюминий - оксид кремния - кремний

    Физика конденсированного состояния
    Юрова В.А.Федорцов А.Б.Климчицкая Г.Л.Чуркин Ю.В.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9735
    • Страницы: 22-28

    Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями

    Физическая электроника
    Дубов В.В.Кораблев В.В.Сугаипов М.Ш.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 1
    • 534
    • 10847
    • Страницы: 101-107

    Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника

    Физическая электроника
    Дубов В.В.Кораблев В.В.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 1
    • 472
    • 10549
    • Страницы: 93-100

    Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

    Физика конденсированного состояния
    Матвеев С.А.Денисов С.А.Чалков В.Ю.Шенгуров В.Г.Степихова М.В.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 1
    • 559
    • 10390
    • Страницы: 24-28

    Композитные материалы – новое направление развития нанотехнологий (по материалам XIV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике)

    Хроника
    Мусихин С.Ф.Ильин В.И.Гаврикова Т.А.Васильева М.А.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 1070
    • 10835
    • Страницы: 212-223

    Одночастотный режим работы лазерных диодов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Дворцов Д.В.Парфенов В.А.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 1357
    • 11510
    • Страницы: 89-96