Статьи по ключевому слову "полупроводник"

Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 0
  • 91
  • Страницы: 196-199

Электростатическое управление коррелированными фазами в пространственно неоднородной двумерной муаровой структуре

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 2
  • 139
  • Страницы: 49-52

Механизм переключения сопротивления в нефиламентном запоминающим устройстве из металлогалогенидного перовскита

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 3
  • 131
  • Страницы: 16-23

Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 126
  • Страницы: 152-155

Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 184
  • Страницы: 19-22

Распределение по длинам нитевидных нанокристаллов с положительной и отрицательной поверхностной диффузией

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 4
  • 7
  • 228
  • Страницы: 34-47

Коллективные возбуждения в объемно-легированных полупроводниковых нанокристаллах сульфида кадмия

Теоретическая физика
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 18
  • 3412
  • Страницы: 144-161

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 53
  • 3760
  • Страницы: 6-10

Фотокаталитические свойства наноструктур Ag-AgBr, сформированных методом ионного обмена в фото-термо-рефрактивном стекле, для разложения водных красителей

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2671
  • Страницы: 302-305

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 2623
  • Страницы: 220-223

Приготовление квантовых состояний с помощью оптической инжекции: проблема межсимвольной интерференции

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 2653
  • Страницы: 173-177

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 3095
  • Страницы: 143-148

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 46
  • 3158
  • Страницы: 62-67

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 36
  • 3399
  • Страницы: 31-36

Разработка автоматической системы подстройки положения оси лазерного излучения для воздушного канала связи

Радиофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 3603
  • Страницы: 377-382

Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 23
  • 4245
  • Страницы: 228-232

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 3995
  • Страницы: 130-136

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 3783
  • Страницы: 439-443

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 3805
  • Страницы: 289-293

Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 4266
  • Страницы: 221-226

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 31
  • 4142
  • Страницы: 47-52

Развитие морфологии поверхности германия при облучении ионами галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 23
  • 4730
  • Страницы: 21-25

Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния

Физика молекул
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 212
  • 4775
  • Страницы: 87-94

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 215
  • 4847
  • Страницы: 29-38

Плазмонный резонанс в полупроводниковых нанокристаллах селенида кадмия с различным типом легирования

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 24
  • 5240
  • Страницы: 27-51

Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 17
  • 4087
  • Страницы: 423-428

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 48
  • 4806
  • Страницы: 114-120

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 4848
  • Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4495
  • Страницы: 153-157

Влияние двух температур на полупроводниковый термоупругий твердый цилиндр на основе модифицированного теплообмена Мура Гибсона Томпсона

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1
  • 18
  • 5202
  • Страницы: 65-81

Модификация диэлектрического отклика нанокристаллических пленок диоксида ванадия путем легирования никелем и вольфрамом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 51
  • 5656
  • Страницы: 7-31

Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 14
  • 4939
  • Страницы: 223-225

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 35
  • 5063
  • Страницы: 157-162

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 5187
  • Страницы: 145-149

Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 19
  • 4830
  • Страницы: 135-139

Влияние длительности импульсов тока на скорость перехода металл-полупроводник в нанопроводах VO2

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 5000
  • Страницы: 130-134

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 32
  • 5110
  • Страницы: 75-79

Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 9281
  • Страницы: 7-11

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 8813
  • Страницы: 58-62

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 69
  • 8886
  • Страницы: 123-132

Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 1
  • 128
  • 9026
  • Страницы: 64-70

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 116
  • 9145
  • Страницы: 66-76

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 88
  • 9029
  • Страницы: 56-65

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 243
  • 8822
  • Страницы: 98-108

Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 3
  • 393
  • 9194
  • Страницы: 9-23

Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 365
  • 9596
  • Страницы: 11-18

Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 275
  • 8513
  • Страницы: 158-166

Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 600
  • 9365
  • Страницы: 31-42

Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов

Физическая электроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 267
  • 9214
  • Страницы: 48-54

Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9056
  • Страницы: 34-38

Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8938
  • Страницы: 23-29

Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 8500
  • Страницы: 11-14

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)

Хроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 8358
  • Страницы: 157-163

Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров

Физическая оптика
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 628
  • 9609
  • Страницы: 93-99

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 9130
  • Страницы: 80-84

Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 8684
  • Страницы: 39-43

XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 8736
  • Страницы: 184-187

Давление силы Казимира на слой диэлектрика в наноразмерных слоистых твердотельных структурах алюминий - оксид кремния - кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 8717
  • Страницы: 22-28

Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 533
  • 9848
  • Страницы: 101-107

Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 471
  • 9515
  • Страницы: 93-100

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 559
  • 9474
  • Страницы: 24-28

Композитные материалы – новое направление развития нанотехнологий (по материалам XIV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике)

Хроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1070
  • 9850
  • Страницы: 212-223

Одночастотный режим работы лазерных диодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1357
  • 10544
  • Страницы: 89-96