Статьи по ключевому слову "photoluminescence"

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 301
  • Страницы: 171-177

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 312
  • Страницы: 143-148

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 351
  • Страницы: 68-76

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 5
  • 353
  • Страницы: 43-48

Ультрафиолетовое усиление фотолюминесценции нанокристаллов оксида цинка в коллоидных смесях с наночастицами алюминия, синтезированных в газовом разряде

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 969
  • Страницы: 261-266

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 4
  • 851
  • Страницы: 255-260

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 807
  • Страницы: 130-136

На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 9
  • 1008
  • Страницы: 187-192

Глубокоуровневое излучение в наноструктурах ZnO, выращенных методом гидротермального синтеза

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 874
  • Страницы: 176-181

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 997
  • Страницы: 10-15

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 94
  • 1567
  • Страницы: 29-38

Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 21
  • 1625
  • Страницы: 61-67

Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 10
  • 1509
  • Страницы: 112-116

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 16
  • 1548
  • Страницы: 101-107

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 1573
  • Страницы: 33-38

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 1469
  • Страницы: 14-19

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 1518
  • Страницы: 162-166

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 78
  • 2196
  • Страницы: 32-43

Фотолюминесценция сверхрешеток свинцово- галогенидного перовскита

Физика молекул
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 19
  • 2014
  • Страницы: 326-329

Особенности люминесцентного отклика двумерных фотонных кристаллов с упорядоченными наноостровками Ge(Si) полученных с использованием разных подходов к упорядочению

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 12
  • 1850
  • Страницы: 188-193

Исследование температурной стабильности германиевых нанопроволок, полученных электрохимическим осаждением

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 27
  • 2270
  • Страницы: 59-64

Действие гамма-излучения на люминесценцию и фотопроводимость нанокомпозита MEH-PPV – сульфид свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 23
  • 6360
  • Страницы: 35-46

Влияние гамма-излучения на тонкие нанокомпозитные пленки MEH-PPV/C60

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 34
  • 6318
  • Страницы: 24-34

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5996
  • Страницы: 58-62

Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6201
  • Страницы: 7-13

Воздействие гамма-излучения на люминесценцию нанокомпозитов проводящего полимера MEH-PPV с квантовыми точками сульфида свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 25
  • 6257
  • Страницы: 41-48

Структура тонких пленок ZnTPP, ZnTPP-С60 и влияние рентгеновского излучения на их фотолюминесценцию

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 32
  • 6459
  • Страницы: 26-40

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 29
  • 6558
  • Страницы: 18-25

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 113
  • 6118
  • Страницы: 66-76

Синтез и люминесцентные свойства соединения Ca5(PO4)3Cl:Eu2+, перспективного для создания твердотельного источника освещения

Физическое материаловедение
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 270
  • 6562
  • Страницы: 41-47

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 427
  • 6618
  • Страницы: 109-114

Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 6143
  • Страницы: 69-73

Особенности энергетического спектра и свойств поликристаллических пленок Pb1–x Cdx Se, сформированных на подложках из фтористого кальция и стекла

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5702
  • Страницы: 7-17

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 6767
  • Страницы: 130-136