Статьи по ключевому слову "photoluminescence"

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 2218
  • Страницы: 105-110

Влияние геометрии на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 2162
  • Страницы: 88-94

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 2302
  • Страницы: 34-39

Влияние функционализирующих добавок на флуоресцентные свойства квантовых точек нитрида бора

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 1421
  • Страницы: 297-300

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 1363
  • Страницы: 143-147

Спонтанная генерация в гидротермальных структурах ZnO

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 1599
  • Страницы: 36-41

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 1926
  • Страницы: 306-309

Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 11
  • 1811
  • Страницы: 34-37

Создание оптических изолированных микрорезонаторов GaP(NAs) на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 27
  • 2350
  • Страницы: 25-35

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 2428
  • Страницы: 171-177

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 21
  • 2315
  • Страницы: 143-148

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 2869
  • Страницы: 68-76

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 26
  • 2892
  • Страницы: 43-48

Ультрафиолетовое усиление фотолюминесценции нанокристаллов оксида цинка в коллоидных смесях с наночастицами алюминия, синтезированных в газовом разряде

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 3413
  • Страницы: 261-266

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 3111
  • Страницы: 255-260

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 3064
  • Страницы: 130-136

На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3283
  • Страницы: 187-192

Глубокоуровневое излучение в наноструктурах ZnO, выращенных методом гидротермального синтеза

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 3141
  • Страницы: 176-181

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 22
  • 3375
  • Страницы: 10-15

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 214
  • 4019
  • Страницы: 29-38

Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 28
  • 4202
  • Страницы: 61-67

Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 3472
  • Страницы: 112-116

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 30
  • 3681
  • Страницы: 101-107

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 22
  • 3688
  • Страницы: 33-38

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 39
  • 3485
  • Страницы: 14-19

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 3763
  • Страницы: 162-166

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 84
  • 4790
  • Страницы: 32-43

Фотолюминесценция сверхрешеток свинцово- галогенидного перовскита

Физика молекул
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 4103
  • Страницы: 326-329

Особенности люминесцентного отклика двумерных фотонных кристаллов с упорядоченными наноостровками Ge(Si) полученных с использованием разных подходов к упорядочению

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 4063
  • Страницы: 188-193

Исследование температурной стабильности германиевых нанопроволок, полученных электрохимическим осаждением

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 29
  • 4437
  • Страницы: 59-64

Действие гамма-излучения на люминесценцию и фотопроводимость нанокомпозита MEH-PPV – сульфид свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 24
  • 8552
  • Страницы: 35-46

Влияние гамма-излучения на тонкие нанокомпозитные пленки MEH-PPV/C60

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 35
  • 8608
  • Страницы: 24-34

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 8048
  • Страницы: 58-62

Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 8364
  • Страницы: 7-13

Воздействие гамма-излучения на люминесценцию нанокомпозитов проводящего полимера MEH-PPV с квантовыми точками сульфида свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 26
  • 8383
  • Страницы: 41-48

Структура тонких пленок ZnTPP, ZnTPP-С60 и влияние рентгеновского излучения на их фотолюминесценцию

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 33
  • 8772
  • Страницы: 26-40

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 31
  • 8728
  • Страницы: 18-25

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 114
  • 8335
  • Страницы: 66-76

Синтез и люминесцентные свойства соединения Ca5(PO4)3Cl:Eu2+, перспективного для создания твердотельного источника освещения

Физическое материаловедение
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 271
  • 8684
  • Страницы: 41-47

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 429
  • 8754
  • Страницы: 109-114

Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 8205
  • Страницы: 69-73

Особенности энергетического спектра и свойств поликристаллических пленок Pb1–x Cdx Se, сформированных на подложках из фтористого кальция и стекла

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 7866
  • Страницы: 7-17

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 8908
  • Страницы: 130-136