Статьи по ключевому слову "полупроводник"

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 3
  • 214
  • Страницы: 143-148

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 4
  • 237
  • Страницы: 62-67

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 257
  • Страницы: 31-36

Разработка автоматической системы подстройки положения оси лазерного излучения для воздушного канала связи

Радиофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 694
  • Страницы: 377-382

Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 871
  • Страницы: 228-232

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 5
  • 732
  • Страницы: 130-136

Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 735
  • Страницы: 439-443

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 840
  • Страницы: 289-293

Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 874
  • Страницы: 221-226

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 929
  • Страницы: 47-52

Развитие морфологии поверхности германия при облучении ионами галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 972
  • Страницы: 21-25

Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния

Физика молекул
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 88
  • 1408
  • Страницы: 87-94

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 91
  • 1471
  • Страницы: 29-38

Плазмонный резонанс в полупроводниковых нанокристаллах селенида кадмия с различным типом легирования

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 13
  • 1711
  • Страницы: 27-51

Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 10
  • 1293
  • Страницы: 423-428

Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 29
  • 1525
  • Страницы: 114-120

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 17
  • 1596
  • Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 1452
  • Страницы: 153-157

Влияние двух температур на полупроводниковый термоупругий твердый цилиндр на основе модифицированного теплообмена Мура Гибсона Томпсона

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 1803
  • Страницы: 65-81

Модификация диэлектрического отклика нанокристаллических пленок диоксида ванадия путем легирования никелем и вольфрамом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 45
  • 2254
  • Страницы: 7-31

Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 9
  • 1878
  • Страницы: 223-225

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 17
  • 1985
  • Страницы: 157-162

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 1938
  • Страницы: 145-149

Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 1911
  • Страницы: 135-139

Влияние длительности импульсов тока на скорость перехода металл-полупроводник в нанопроводах VO2

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 1937
  • Страницы: 130-134

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 24
  • 1969
  • Страницы: 75-79

Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6334
  • Страницы: 7-11

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5924
  • Страницы: 58-62

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)

Конференции
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 68
  • 6052
  • Страницы: 123-132

Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 1
  • 128
  • 5969
  • Страницы: 64-70

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 113
  • 6027
  • Страницы: 66-76

Примесная терагерцовая люминесценция  в наноструктурах с квантовыми ямами  при межзонном фотовозбуждении

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 87
  • 6031
  • Страницы: 56-65

Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Конференции
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 242
  • 6127
  • Страницы: 98-108

Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 3
  • 393
  • 6178
  • Страницы: 9-23

Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 363
  • 6477
  • Страницы: 11-18

Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 275
  • 5815
  • Страницы: 158-166

Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2015
  • Выпуск: 1
  • 600
  • 6369
  • Страницы: 31-42

Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов

Физическая электроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 266
  • 6247
  • Страницы: 48-54

Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6216
  • Страницы: 34-38

Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5849
  • Страницы: 23-29

Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 5710
  • Страницы: 11-14

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам 15-й Всероссийской молодежной конференции)

Хроника
  • Год: 2014
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 5670
  • Страницы: 157-163

Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров

Физическая оптика
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 627
  • 6638
  • Страницы: 93-99

Лазерные диоды для фотодинамической терапии

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2011
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6150
  • Страницы: 80-84

Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 5822
  • Страницы: 39-43

XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Хроника
  • Год: 2012
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 5988
  • Страницы: 184-187

Давление силы Казимира на слой диэлектрика в наноразмерных слоистых твердотельных структурах алюминий - оксид кремния - кремний

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 5825
  • Страницы: 22-28

Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 532
  • 6887
  • Страницы: 101-107

Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника

Физическая электроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 471
  • 6647
  • Страницы: 93-100

Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 1
  • 559
  • 6642
  • Страницы: 24-28

Композитные материалы – новое направление развития нанотехнологий (по материалам XIV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике)

Хроника
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1069
  • 7207
  • Страницы: 212-223

Одночастотный режим работы лазерных диодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1355
  • 7677
  • Страницы: 89-96