Статьи по ключевому слову "полупроводник"
Высокочувствительные и малошумящие ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 91
- Страницы: 196-199
Электростатическое управление коррелированными фазами в пространственно неоднородной двумерной муаровой структуре
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 2
- 138
- Страницы: 49-52
Механизм переключения сопротивления в нефиламентном запоминающим устройстве из металлогалогенидного перовскита
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 3
- 131
- Страницы: 16-23
Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 126
- Страницы: 152-155
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
Шандыба Н.А.
Ерёменко М.М.
Духан Д.Д.
Черненко Н.Е.
Кириченко Д.В.
Кугаевский А.Д.
Махов И.С.
Крыжановская Н.В.
Балакирев С.В.
Солодовник М.С.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 183
- Страницы: 19-22
Распределение по длинам нитевидных нанокристаллов с положительной и отрицательной поверхностной диффузией
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4
- 7
- 225
- Страницы: 34-47
Коллективные возбуждения в объемно-легированных полупроводниковых нанокристаллах сульфида кадмия
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 18
- 3412
- Страницы: 144-161
Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 53
- 3760
- Страницы: 6-10
Фотокаталитические свойства наноструктур Ag-AgBr, сформированных методом ионного обмена в фото-термо-рефрактивном стекле, для разложения водных красителей
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 7
- 2671
- Страницы: 302-305
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 2623
- Страницы: 220-223
Приготовление квантовых состояний с помощью оптической инжекции: проблема межсимвольной интерференции
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 8
- 2653
- Страницы: 173-177
Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 21
- 3095
- Страницы: 143-148
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 46
- 3157
- Страницы: 62-67
Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 36
- 3399
- Страницы: 31-36
Разработка автоматической системы подстройки положения оси лазерного излучения для воздушного канала связи
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 9
- 3603
- Страницы: 377-382
Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 23
- 4245
- Страницы: 228-232
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
Аникина М.А.
Кузнецов А.
Токсумаков А.Н.
Дремов В.В.
Казарян Д.А.
Федоров В.В.
Арсенин А.B.
Волков В.С.
Большаков А.Д.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 15
- 3995
- Страницы: 130-136
Влияние диэлектрического слоя SiO2 на характеристики видимо-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 3783
- Страницы: 439-443
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 14
- 3805
- Страницы: 289-293
Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 13
- 4266
- Страницы: 221-226
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 31
- 4142
- Страницы: 47-52
Развитие морфологии поверхности германия при облучении ионами галлия
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 23
- 4729
- Страницы: 21-25
Теоретическое исследование взаимодействия макромолекулы с квазисвободным и эпитаксиальным графеном, сформированном на политипах карбида кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 212
- 4775
- Страницы: 87-94
Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3
- 215
- 4847
- Страницы: 29-38
Плазмонный резонанс в полупроводниковых нанокристаллах селенида кадмия с различным типом легирования
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 24
- 5240
- Страницы: 27-51
Моделирование параметров черенковского гамма-телескопа TAIGA-IACT с камерой на полупроводниковых фотодетекторах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 17
- 4087
- Страницы: 423-428
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
Комаров С.Д.
Гридчин В.О.
Лендяшова В.В.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Дворецкая Н.В.
Драгунова А.С.
Махов И.С.
Надточий А.М.
Крыжановская Н.В.
Цырлин Г.Э.
Жуков А.Е.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 4806
- Страницы: 114-120
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 30
- 4848
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 24
- 4495
- Страницы: 153-157
Влияние двух температур на полупроводниковый термоупругий твердый цилиндр на основе модифицированного теплообмена Мура Гибсона Томпсона
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1
- 18
- 5202
- Страницы: 65-81
Модификация диэлектрического отклика нанокристаллических пленок диоксида ванадия путем легирования никелем и вольфрамом
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 4
- 51
- 5655
- Страницы: 7-31
Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 14
- 4938
- Страницы: 223-225
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
Синицкая О.А.
Шубина К.Ю.
Мохов Д.В.
Уваров А.В.
Филатов В.В.
Мизеров А.М.
Тимошнев С.Н.
Никитина Е.В.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 35
- 5063
- Страницы: 157-162
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 30
- 5187
- Страницы: 145-149
Зависимость чувствительности светоадресуемого потенциометрического сенсора от фотоиндуцированных процессов в Si
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 19
- 4829
- Страницы: 135-139
Влияние длительности импульсов тока на скорость перехода металл-полупроводник в нанопроводах VO2
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 17
- 5000
- Страницы: 130-134
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 32
- 5110
- Страницы: 75-79
Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции)
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 69
- 8886
- Страницы: 123-132
Оптоволоконный доплеровский датчик скорости потока крови
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 1
- 128
- 9024
- Страницы: 64-70
Итоги XVII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2016
- Выпуск: 1
- 243
- 8822
- Страницы: 98-108
Энергетический спектр PbBi4Te7 по результатам анализа коэффициентов отражения и поглощения света
- Год: 2015
- Выпуск: 3
- 393
- 9194
- Страницы: 9-23
Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия
- Год: 2015
- Выпуск: 2
- 365
- 9596
- Страницы: 11-18
Итоги XXVI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2015
- Выпуск: 1
- 275
- 8513
- Страницы: 158-166
Анализ локальных областей полупроводниковых нанообъектов методом туннельной атомно-силовой микроскопии
- Год: 2015
- Выпуск: 1
- 600
- 9365
- Страницы: 31-42
Влияние естественных неоднородностей на приповерхностное рассеяние электронов
- Год: 2014
- Выпуск: 4
- 267
- 9214
- Страницы: 48-54
Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 9056
- Страницы: 34-38
Влияние температуры на когерентность излучения полупроводниковых лазеров
- Год: 2013
- Выпуск: 4
- 628
- 9607
- Страницы: 93-99
XIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике
- Год: 2012
- Выпуск: 1
- 0
- 8735
- Страницы: 184-187
Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 533
- 9848
- Страницы: 101-107
Рассеяние медленных электронов на флуктуационном потенциале полупроводника
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 471
- 9515
- Страницы: 93-100