НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "диод"

    Влияние профиля траншеи из диоксида кремния на фоточувствительность КМОП-совместимого лавинного фотодиода видимого диапазона

    Математическое моделирование физических процессов
    Долженко Д.И.Леткиман Е.Д.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 2
    • 12
    • 597
    • Страницы: 57-67

    Измерение временного джиттера низкошумящего детектора одиночных фотонов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Анисимов А.А.Белов А.А.Козлов А.С.Котов О.И.Кринский П.А.Медведев А.В.Петров А.В.Розов С.В.Ушаков Н.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 13
    • 1180
    • Страницы: 121-132

    Фотоэлектрические свойства диодов на основе полупроводникового силицида магния

    Физика конденсированного состояния
    Фомин Д.В.Шолыгин И.О.Поляков А.В.Галкин Н.Г.Галкин К.Н.Чернев И.М.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1
    • 13
    • 1100
    • Страницы: 19-29

    Отражательный фазовращатель Х-диапазона с низкими потерями и широким диапазоном регулировки фазы

    Радиофизика
    Львов А.В.Шураков А.С.Гольцман Г.Н.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 1445
    • Страницы: 315-318

    Исследование связи темпа спада светового потока светодиодных матриц с тепловым сопротивлением и параметрами спектра излучения

    Физическая оптика
    Фролов И.В.Зайцев С.А.Сергеев В.А.Радаев О.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 3
    • 1248
    • Страницы: 218-222

    Фотонно-электронная ИС субтерагерцового I/Q смесителя на основе GaAs-на-Si

    Физическая электроника
    Беликов И.И.Рожкова П.В.Приходько А.Н.Гольцман Г.Н.Шураков А.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 4
    • 1316
    • Страницы: 187-190

    Оптопары на основе твердых растворов InAsSb для детектирования углекислого газа

    Физическая электроника
    Кунков Р.Э.Карандашев С.А.Климов А.А.Лухмырина Т.С.Ременный М.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 5
    • 1319
    • Страницы: 178-182

    Поверхностно освещаемые высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Климов А.А.Кунков Р.Э.Лухмырина Т.С.Матвеев Б.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 1431
    • Страницы: 110-114

    Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичПуговкин А.А.Иванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 8
    • 4700
    • Страницы: 140-144

    Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами

    Физическая электроника
    Иванов А.Е.Черняков А.Е.Тальнишних Н.А.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 9
    • 3410
    • Страницы: 177-181

    Новая методика управления дискретностью шкалы в мобильном дифференциальном рефрактометре

    Приборы и техника физического эксперимента
    Проводин Д.С.Якушева М.А.Давыдов В.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 3499
    • Страницы: 166-172

    Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN

    Приборы и техника физического эксперимента
    Фролов И.В.Радаев О.А.Сергеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 13
    • 3638
    • Страницы: 161-165

    Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

    Математическое моделирование физических процессов
    Новикова К.Н.Фунтикова А.С.Можаров А.М.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.2
    • 24
    • 3592
    • Страницы: 84-87

    Особенности конструкции гетероструктур для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Ершов Е.В.Фомин А.В.Лупачев М.В.Рогачков О.А.Найдин А.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3.1
    • 7
    • 3658
    • Страницы: 129-133

    Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

    Математическое моделирование физических процессов
    Барыкин Д. А.Шугуров К. Ю. Можаров А.М.Мухин И.С.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 3
    • 28
    • 4446
    • Страницы: 46-56

    Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Калиновский В.С.Малеев Н.А.Васильев А.П.Контрош Е.В.Толкачев И.А.Прудченко К.К.Устинов В.М.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 27
    • 4770
    • Страницы: 165-170

    Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Солдатенков Федор ЮрьевичИванов А.Е.Малевский Д.А.Левин С.В.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 16
    • 4355
    • Страницы: 155-159

    Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

    Физика конденсированного состояния
    Козловский В.В.Лебедев А.А.Кузьмин Р. А.Малевский Д.А.Левинштейн М. Е.Оганесян Г.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1
    • 66
    • 5690
    • Страницы: 9-20

    Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs

    Физика конденсированного состояния
    Контрош Е.В.Калиновский В.С.Климко Г.В.Бер Б.Я.Прудченко К.К.Толкачев И.А.Казанцев Д.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 4
    • 38
    • 5855
    • Страницы: 30-41

    Компактный твердотельный лазер с диодной оптической накачкой и высокой частотной стабильностью

    Физическая оптика
    Наумова В.В.Орлов О.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 13
    • 5227
    • Страницы: 120-124

    Расчет и моделирование оптической системы высокомощного лазерного модуля с волоконным выводом излучения

    Физическая оптика
    Кадигроб Е.В.Фомин А.В.Усманов С.Р.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 33
    • 5165
    • Страницы: 75-80

    Исследование эффекта задержки лавины в детекторе одиночных фотонов с синусоидальным стробированием

    Физическая электроника
    Лосев А.В.Филяев А.А.Заводиленко В.В.Павлов И.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 26
    • 5170
    • Страницы: 459-462

    Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Андрюшкин В.В.Малеев Н.А.Кузьменков А.Г.Кулагина М.М.Гусева Ю.А.Васильев А.П.Блохин С.А.Бобров М.A.Трошков С.И.Папылев Д.С.Колодезный Е.С.Устинов В.М.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 34
    • 5427
    • Страницы: 352-356

    Измерение порогового тока в локальных областях кристалла светодиода

    Приборы и техника физического эксперимента
    Фролов И.В.Радаев О.А.Сергеев В.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 10
    • 5066
    • Страницы: 330-334

    Исследование влияния формы зоны умножения на уровень темнового счета в InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодах

    Математическое моделирование физических процессов
    Заводиленко В.В.Филяев А.А.Лосев А.В.Павлов И.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 21
    • 5418
    • Страницы: 242-247

    Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

    Математическое моделирование физических процессов
    Хомякова К.И.Диб Х.Лозовой К.А.Коханенко А.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 35
    • 5745
    • Страницы: 232-236

    Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах

    Физическое материаловедение
    Нагпуре П.A. Херде Н.Д. Барде В.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 2
    • 37
    • 6511
    • Страницы: 61-67

    Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

    Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
    Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 32
    • 5738
    • Страницы: 170-175

    Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Тальнишних Н.А.Иванов А.Е.Шабунина Е.И.Шмидт Н.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.3
    • 19
    • 5424
    • Страницы: 85-89

    Устойчивость стационарных состояний плазменного диода со встречными пучками электронов и позитронов

    Астрофизика
    Кузнецов В.И.Бакалейников Л.А.Флегонтова Е.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 8
    • 4957
    • Страницы: 442-448

    Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

    Физическое материаловедение
    Семакова А.А.Романов В.В.Баженов Н.Л.Мынбаев К.Д.Моисеев К.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 13
    • 5733
    • Страницы: 191-195

    Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Резник Р.Р.Кириленко Д.А.Баранов А.И.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Максимова А.А.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 69
    • 6354
    • Страницы: 179-184

    Энергоинформационное фотоприемное устройство

    Физическая оптика
    Когновицкий С.О.Малевский Д.А.Теруков Е.И.Яковлев С.А.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 19
    • 5856
    • Страницы: 160-164

    Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки

    Физическая электроника
    Стрельчук А.М.Калинина Е.В.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 22
    • 5734
    • Страницы: 83-89

    Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

    Физическая электроника
    Шабунина Е.И.Иванов А.Е.Тальнишних Н.А.Карташова А.П.Полоскин Д.С.Шмидт Н.П.Закгейм А.Л.Черняков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 35
    • 6100
    • Страницы: 70-76

    Устойчивость неоднородного стационарного распределения потенциала в диоде со встречными потоками электронов и ионов

    Физическая электроника
    Бакалейников Л.А.Кузнецов В.И.Флегонтова Е.Ю.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 12
    • 6085
    • Страницы: 32-38

    Влияние внешней цепи на устойчивость стационарных режимов термоэмиссионного преобразователя энергии

    Физическая электроника
    Герасименко А.Б.Кузнецов В.И.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 14
    • 5845
    • Страницы: 25-31

    Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах

    Физика конденсированного состояния
    Иванов А.Е.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 11
    • 5462
    • Страницы: 167-171

    Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs

    Физика конденсированного состояния
    Лухмырина Т.С.Климов А.А.Кунков Р.Э.Лебедева Н.М.Матвеев Б.А.Черняков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 24
    • 5779
    • Страницы: 119-125

    Низко-адгезионные силиконовые резины для гибких светоизлучающих устройств

    Физическое материаловедение
    Мирошниченко А.С.Дерябин К.В.Мухин И.С.Исламова Р.М.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 8
    • 6294
    • Страницы: 320-325

    Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

    Физическое материаловедение
    Бондаренко Д.Н.Гридчин В.О.Котляр К.П.Баранов А.И.Максимова А.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 39
    • 6524
    • Страницы: 281-284

    Исследование влияния параметров мезаполосковой конструкции лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм на характеристики излучения

    Физическая оптика
    Фомин А.В.Филоненко Е.М.Крюков С.А.Нажметов С.Х.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 17
    • 6208
    • Страницы: 235-238

    Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода

    Физическая оптика
    Фролов И.В.Радаев О.А.Сергеев В.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 18
    • 6470
    • Страницы: 226-229

    Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

    Физическая электроника
    Иванов А.Е.Аладов А.В.Черняков А.Е.Закгейм А.Л.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 15
    • 6368
    • Страницы: 142-146

    Лазерный модуль со стабилизацией длины волны излучения для накачки мощных волоконных лазеров

    Физическая оптика
    Игнатьев А.Н.Фомин А.В.Усманов С.Р.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 22
    • 6360
    • Страницы: 190-195

    Исследование ресурсных характеристик импульсно-периодических матриц лазерных диодов

    Физическая оптика
    Гафуров Э.М.Смирнов Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 6173
    • Страницы: 167-171

    Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

    Физическая электроника
    Казакин А.Н.Эннс Я.Б.Уваров А.В.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 32
    • 6351
    • Страницы: 145-149

    Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

    Физическая электроника
    Ян Д.Т.Галкин Н.Г.Галкин К.Н.Чернев И.М.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.1
    • 18
    • 6756
    • Страницы: 143-148

    Триангуляционный датчик для измерения перемещений и высокоточного контроля параметров изделия на производстве

    Приборы и техника физического эксперимента
    Степанов В.А.Моос Е.Н.Шадрин М.В.Савин В.Н.Умняшкин А.В.Умняшкин Н.В.
    • Год: 2020
    • Том: 13
    • Выпуск: 1
    • 50
    • 10738
    • Страницы: 54-65

    Оптимизация освещения операционного поля с целью получения максимального контраста при визуализации биологических объектов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Валюхов В.П.Закгейм А.Л.Купцов В.Д.Мамошин А.В.Потапова Е.В. Черняков А.Е.Фотиади А.Э.
    • Год: 2019
    • Том: 12
    • Выпуск: 4
    • 43
    • 10178
    • Страницы: 79-88

    Экспериментальная установка для исследования влияния синего света на функцию восприятия времени у лиц с разным типом вегетативной регуляции

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Берлов Д.Н.Валюхов В.П.Власова О.Л.Закгейм А.Л.Панихина А.А. Фотиади А.Э.
    • Год: 2019
    • Том: 12
    • Выпуск: 3
    • 40
    • 11185
    • Страницы: 78-91

    Аппаратно-программный комплекс для определения функционального состояния человека при воздействии света с варьируемыми спектрально-цветовыми характеристиками

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Берлов Д.Н.Закгейм А.Л.Черняков А.Е.Фотиади А.Э.Валюхов В.П.
    • Год: 2019
    • Том: 12
    • Выпуск: 3
    • 46
    • 9890
    • Страницы: 63-77

    Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Белов И. В.Валюхов В.П.Закгейм А.Л.Черняков А.Е.
    • Год: 2018
    • Том: 11
    • Выпуск: 3
    • 34
    • 11020
    • Страницы: 39-51

    Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде

    Физика конденсированного состояния
    Дюбо Д.Б.Цыбин О.Ю.
    • Год: 2018
    • Том: 11
    • Выпуск: 2
    • 17
    • 10536
    • Страницы: 16-25

    Беспроводные сети энергоэффективных, динамически управляемых светодиодных источников

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Валюхов В.П.Купцов В.Д.Закгейм А.Л.Мизеров М. Н.
    • Год: 2017
    • Том: 10
    • Выпуск: 2
    • 130
    • 10172
    • Страницы: 28-36

    Особенности радиоканала управления  энергоэффективными  светодиодными источниками освещения

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Валюхов В.П.Купцов В.Д.Дёмин С.В.Валюхова А. В.
    • Год: 2017
    • Том: 10
    • Выпуск: 2
    • 118
    • 10418
    • Страницы: 16-27

    Фрактальные свойства лавинного пробоя светодиода

    Физическая электроника
    Шашкина А. С.Кривошейкин А.В.Скворцов Н. Н.Воротков М. В.
    • Год: 2016
    • Выпуск: 4
    • 194
    • 10239
    • Страницы: 85-93

    Тепловое сопротивление и неоднородность распределения электролюминесценции и температуры в мощных AlGaInN-светодиодax

    Приборы и техника физического эксперимента
    Аладов А.В.Булашевич К.А.Черняков А.Е.Карпов С.Ю.Валюхов В.П.Закгейм А.Л.
    • Год: 2015
    • Выпуск: 2
    • 353
    • 10204
    • Страницы: 74-83

    Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения

    Приборы и техника физического эксперимента
    Валюхов В.П.Аладов А.В.Закгейм А.Л.Черняков А.Е.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2014
    • Выпуск: 4
    • 472
    • 10810
    • Страницы: 38-47

    Влияние концентрации алюминия в барьерном слое  на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

    Физика конденсированного состояния
    Корнышов Г.О.Сахаров А.В.Николаев А.Е.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 4
    • 358
    • 10043
    • Страницы: 31-36

    Источник питания полупроводниковых лазерных диодов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Краснов А.В.Парфенов В.А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9747
    • Страницы: 131-134

    Работоспособность органических светодиодов

    Физическое материаловедение
    Закревский В.А.Сударь Н.Т.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9710
    • Страницы: 142-146

    Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

    Физика конденсированного состояния
    Чернышева Е.А.Сахаров А.В.Черкашин Н.А.Лундин В.В.Цацульников А.Ф.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9746
    • Страницы: 32-36

    Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

    Приборы и техника физического эксперимента
    Басалкевич Т.М.Тальнишних Н.А.Шмидт Н.П.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9928
    • Страницы: 45-48

    Определение радиационных потерь плазмы токамака Глобус-М с использованием кремниевых фотодиодов SPD

    Приборы и техника физического эксперимента
    Ибляминова А.Д.Курскиев Г.С.Березуцкий А.А.Петров Ю.В.Забродский В.В.Толстяков С.Ю.
    • Год: 2012
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9905
    • Страницы: 70-74

    Спектральная селективность голографических решеток коэффициента усиления в лазере с петлевым резонатором

    Физическая оптика
    Погода А.П.Ермолаев А.А.Лебедев В.Ф.Сметанин С.Н.Борейшо А.С.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 1113
    • 11292
    • Страницы: 121-129

    Одночастотный режим работы лазерных диодов

    Приборы и техника физического эксперимента
    Дворцов Д.В.Парфенов В.А.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 2
    • 1357
    • 11618
    • Страницы: 89-96