Исследование влияния параметров мезаполосковой конструкции лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм на характеристики излучения

В настоящей работе приведены результаты оценки влияния конструкции чипа на выходные характеристики лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs спектрального диапазона 975 нм с шириной полоска W = 100 мкм и длиной резонатора L = 4 мм. При сравнении двух вариантов мезаполосковой конструкции анализировались значения выходной мощности, порогового тока, центральной длины волны и ширины спектра на полувысоте с целью определения оптимальной глубины травления полупроводниковой гетероструктуры. Два варианта мезаполосковой конструкции были получены плазмохимическим травлением канавок на разную глубину гетеророструктуры. По результатам исследования для конструкции мезаполоска, образованного травлением до слоя p-эмиттера лазерной гетероструктуры, был выявлен меньший разброс контролируемых  параметров внутри группы изготовленных лазерных диодов и продемонстрировано эффективное подавление паразитных латеральных мод в резонаторе ЛД.