НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
Версия для слабовидящих
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
  • cover_65
Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.3
Страниц: 193
1036
114189
Предыдущий выпуск Архив выпусков Следующий выпуск
Подать статью
Полный текст
XML
Последние выпуски

Аналитический и численный расчеты магнитных свойств системы неупорядоченных спинов в модели Изинга

Объемные свойства полупроводников
Богословский Н.А. Петров П.В. Аверкиев Н.С.
  • 44
  • 3506
  • Страницы: 7-13

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
Петрук А.Д. Харин Н.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В. Фирсов Д.А.
  • 39
  • 3470
  • Страницы: 14-19

Изучение свойств ядерной спиновой системы объемных слоев n-GaAs методом спектроскопии отогрева

Объемные свойства полупроводников
Литвяк В.М. Чербунин Р.В. Солдатенков Федор Юрьевич Калевич В.К. Кавокин К.В.
  • 32
  • 3999
  • Страницы: 20-25

Магнитосопротивление и эффект Холла в полуметалле Вейля WTe2

Объемные свойства полупроводников
Перевалова А.Н. Фоминых Б.М. Чистяков В.В. Наумов С.В. Неверов В.Н. Марченков В.В.
  • 98
  • 4030
  • Страницы: 26-32

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
Осинных И.В. Малин Т.В. Журавлев К.С.
  • 22
  • 3673
  • Страницы: 33-38

Перенос гетероэпитаксиальных слоёв 3C-SiC, выращенных на кремнии, на подложку 6H-SiC методом прямого сращивания

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Амельчук Д.Г. Мынбаева М.Г. Смирнов А.Н. Давыдов В.Ю. Лебедев С.П. Лебедев А.А.
  • 37
  • 3615
  • Страницы: 39-43

Повышение эффективности удаления остаточного полимера после переноса графена для повышения чувствительности сенсоров

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Барсуков Л.А. Некрасов Н.П. Ромашкин А.В. Бобринецкий И.И. Левин Д.Д. Неволин В.К.
  • 54
  • 3741
  • Страницы: 44-49

Кривизна и прогиб III-N HEMT структур при эпитаксии на кремниевых подложках

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Кельнер Олег Александрович Цацульников А.Ф. Николаев А.Е. Заварин Е.Е.
  • 30
  • 3452
  • Страницы: 50-54

Формирование и магнитные свойства ультратонких пленок силицидов кобальта на поверхности кремния

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Моняк А.А. Гребенюк Г.С. Лобанова Е.Ю. Кузьмин М.В.
  • 47
  • 3649
  • Страницы: 55-61

Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Майдэбура Я. Малин Т.В. Журавлев К.С.
  • 21
  • 3514
  • Страницы: 62-66

Магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в одномерной латеральной сверхрешетке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Стрыгин И.С. Быков А.А.
  • 25
  • 3365
  • Страницы: 67-72

Исследование инфракрасного фотоотклика от структуры с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Тимофеев В.А. Машанов В.И. Никифоров А.И. Скворцов И.В. Блошкин А.А. Лошкарев И.Д. Азаров И.А. Кириенко В.В.
  • 22
  • 3388
  • Страницы: 73-78

Моделирование когерентной динамики экситонов в квантовой яме GaAs, наблюдаемой в эксперименте «накачка-зондирование»

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Султанов О.Ш. Югова И.А. Михайлов А.В.
  • 20
  • 3390
  • Страницы: 79-84

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Тальнишних Н.А. Иванов А.Е. Шабунина Е.И. Шмидт Н.П.
  • 18
  • 3423
  • Страницы: 85-89

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Кияницын С.Ю. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • 15
  • 3323
  • Страницы: 90-95

Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Лещенко Е.Д. Дубровский В.Г.
  • 15
  • 3356
  • Страницы: 96-100

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs (P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Устименко Р.В. Винниченко М.Я. Караулов Д.А. Фирсов Д.А. Федоров В.В. Можаров А.М. Кириленко Д.А. Мухин И.С.
  • 30
  • 3662
  • Страницы: 101-107

Спектроскопия временного разрешения одностенных углеродных нанотрубок в высоких терагерцевых полях

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Бурданова М.Г. Чиглинцев Э. Пауков М.И. Мишра П. Брехов К. Арсенин А.B. Волков В.С. Чернов А.И.
  • 25
  • 3499
  • Страницы: 108-111

Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Афанасьев К.М. Лебедев Д.В. Власов А.С. Балунов П.А. Минтаиров А.М.
  • 17
  • 3455
  • Страницы: 112-116

Электрически контролируемое переключение между пространственно разделенными проводящими каналами в квантовом точечном контакте

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Сарыпов Д.И. Похабов Д.А. Погосов А.Г. Жданов Е.Ю. Бакаров А.К.
  • 28
  • 3721
  • Страницы: 117-123

Влияние направления постоянного тока в графене на дисперсию и усиление графеновых плазмонов

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Моисеенко И.М. Фатеев Д.В.
  • 14
  • 3450
  • Страницы: 124-127

Исследование композитной структуры на основе серебра и кремниевых нанонитей

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Большаков В.О. Ермина А.А. Пригода К.В. Максимов М.Ю. Толмачев В.А. Жарова Ю.А.
  • 20
  • 3639
  • Страницы: 128-134

Усиление однофотонной эмиссии кремний-вакансионных центров в наноалмазах с помощью золотой пленки

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Ромшин А.М. Грициенко А.В. Ильин А.С. Баграмов Р.Х. Филоненко В.П. Витухновский А.Г. Власов И.И.
  • 45
  • 3463
  • Страницы: 135-139

Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Харченко А.А. Надточий А.М. Минтаиров С.А. Калюжный Н.А. Максимов М.В.
  • 10
  • 3443
  • Страницы: 140-145

Растягиваемые плёнки углеродных нанотрубок как опто-механически контролируемые модуляторы терагерцового излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Пауков М.И. Старченко В.В. Красников Д.В. Жуков С.С. Горшунов Б.П. Насибулин А.Г. Арсенин А.B. Волков В.С.
  • 9
  • 3594
  • Страницы: 146-150

Оптически управляемый мемристор на основе пленки ZrO2 (Y) с наночастицами Au

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Рябова М.А. Филатов Д.О. Новиков А.С. Шенина М.Е. Антонов И.Н. Котомина В.Е. Лискин Д.А. Ершов А.В. Горшков О.Н.
  • 32
  • 3935
  • Страницы: 151-156

Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Караборчев А.А. Махов И.С. Максимов М.В. Крыжановская Н.В. Жуков А.Е.
  • 26
  • 3550
  • Страницы: 157-162

Волоконно-оптический передатчик спектрального диапазона 1.55 мкм на основе вертикально-излучающего лазера, изготовленного с применением технологии спекания пластин

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Ковач Я.Н. Блохин С.А. Бабичев А.В. Бобров М.A. Блохин А.А. Гладышев А.Г. Новиков И.И. Карачинский Л.Я. Воропаев К.О. Егоров А.Ю.
  • 20
  • 3467
  • Страницы: 163-169

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Иванов А.Е. Тальнишних Н.А. Черняков А.Е. Закгейм А.Л.
  • 27
  • 3757
  • Страницы: 170-175

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • 10
  • 3540
  • Страницы: 176-181

Формирование омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN:Si с высоким содержанием алюминия

Новые материалы
Семенов А. Нечаев Д.B. Березина Д. Гусева Ю.А. Кулагина М.М. Смирнова И.П. Задиранов Ю.М. Трошков С. Шмидт Н.П.
  • 25
  • 3384
  • Страницы: 182-187

Переключаемые суперрезонансные состояния в метаповерхностях на основе материалов с фазовой памятью

Новые материалы
Кутузова А.А. Рыбин М.В.
  • 24
  • 3744
  • Страницы: 188-191