Статьи по ключевому слову "диод"
Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 7
- 332
- Страницы: 165-170
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 3
- 326
- Страницы: 155-159
Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 20
- 1115
- Страницы: 30-41
Компактный твердотельный лазер с диодной оптической накачкой и высокой частотной стабильностью
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 834
- Страницы: 120-124
Расчет и моделирование оптической системы высокомощного лазерного модуля с волоконным выводом излучения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 829
- Страницы: 75-80
Исследование эффекта задержки лавины в детекторе одиночных фотонов с синусоидальным стробированием
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 5
- 900
- Страницы: 459-462
Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов
Андрюшкин В.В.
Малеев Н.А.
Кузьменков А.Г.
Кулагина М.М.
Гусева Ю.А.
Васильев А.П.
Блохин С.А.
Бобров М.A.
Трошков С.И.
Папылев Д.С.
Колодезный Е.С.
Устинов В.М.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 7
- 878
- Страницы: 352-356
Измерение порогового тока в локальных областях кристалла светодиода
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 2
- 850
- Страницы: 330-334
Исследование влияния формы зоны умножения на уровень темнового счета в InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 7
- 859
- Страницы: 242-247
Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 8
- 1124
- Страницы: 232-236
Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 21
- 1625
- Страницы: 61-67
Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 23
- 1783
- Страницы: 170-175
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 13
- 1373
- Страницы: 85-89
Устойчивость стационарных состояний плазменного диода со встречными пучками электронов и позитронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 1
- 1302
- Страницы: 442-448
Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 5
- 1557
- Страницы: 191-195
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 41
- 1733
- Страницы: 179-184
Энергоинформационное фотоприемное устройство
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 11
- 1495
- Страницы: 160-164
Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 13
- 1503
- Страницы: 83-89
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
Шабунина Е.И.
Иванов А.Е.
Тальнишних Н.А.
Карташова А.П.
Полоскин Д.С.
Шмидт Н.П.
Закгейм А.Л.
Черняков А.Е.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 19
- 1714
- Страницы: 70-76
Устойчивость неоднородного стационарного распределения потенциала в диоде со встречными потоками электронов и ионов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 4
- 1617
- Страницы: 32-38
Влияние внешней цепи на устойчивость стационарных режимов термоэмиссионного преобразователя энергии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 8
- 1605
- Страницы: 25-31
Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 6
- 1465
- Страницы: 167-171
Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 13
- 1559
- Страницы: 119-125
Низко-адгезионные силиконовые резины для гибких светоизлучающих устройств
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 6
- 1910
- Страницы: 320-325
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 2025
- Страницы: 281-284
Исследование влияния параметров мезаполосковой конструкции лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм на характеристики излучения
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 10
- 2037
- Страницы: 235-238
Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 9
- 2086
- Страницы: 226-229
Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 8
- 2010
- Страницы: 142-146
Лазерный модуль со стабилизацией длины волны излучения для накачки мощных волоконных лазеров
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 9
- 2022
- Страницы: 190-195
Исследование ресурсных характеристик импульсно-периодических матриц лазерных диодов
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 8
- 1954
- Страницы: 167-171
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 18
- 2010
- Страницы: 145-149
Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 14
- 2408
- Страницы: 143-148
Триангуляционный датчик для измерения перемещений и высокоточного контроля параметров изделия на производстве
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 35
- 5761
- Страницы: 54-65
Оптимизация освещения операционного поля с целью получения максимального контраста при визуализации биологических объектов
Аладов А.В.
Валюхов В.П.
Закгейм А.Л.
Купцов В.Д.
Мамошин А.В.
Потапова Е.В.
Черняков А.Е.
Фотиади А.Э.
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 4
- 39
- 5553
- Страницы: 79-88
Экспериментальная установка для исследования влияния синего света на функцию восприятия времени у лиц с разным типом вегетативной регуляции
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 3
- 38
- 6609
- Страницы: 78-91
Аппаратно-программный комплекс для определения функционального состояния человека при воздействии света с варьируемыми спектрально-цветовыми характеристиками
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 3
- 40
- 5380
- Страницы: 63-77
Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 3
- 27
- 6716
- Страницы: 39-51
Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 2
- 15
- 6262
- Страницы: 16-25
Беспроводные сети энергоэффективных, динамически управляемых светодиодных источников
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 124
- 6109
- Страницы: 28-36
Особенности радиоканала управления энергоэффективными светодиодными источниками освещения
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 109
- 6291
- Страницы: 16-27
Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения
- Год: 2014
- Выпуск: 4
- 464
- 6426
- Страницы: 38-47
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 5871
- Страницы: 32-36
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 5936
- Страницы: 45-48
Спектральная селективность голографических решеток коэффициента усиления в лазере с петлевым резонатором
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 1108
- 7507
- Страницы: 121-129