Статьи по ключевому слову "диод"

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 60
  • Страницы: 46-56

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 13
  • 948
  • Страницы: 165-170

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 6
  • 817
  • Страницы: 155-159

Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 33
  • 1207
  • Страницы: 9-20

Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 4
  • 24
  • 1664
  • Страницы: 30-41

Компактный твердотельный лазер с диодной оптической накачкой и высокой частотной стабильностью

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 1321
  • Страницы: 120-124

Расчет и моделирование оптической системы высокомощного лазерного модуля с волоконным выводом излучения

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 6
  • 1331
  • Страницы: 75-80

Исследование эффекта задержки лавины в детекторе одиночных фотонов с синусоидальным стробированием

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 1393
  • Страницы: 459-462

Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 1378
  • Страницы: 352-356

Измерение порогового тока в локальных областях кристалла светодиода

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 5
  • 1338
  • Страницы: 330-334

Исследование влияния формы зоны умножения на уровень темнового счета в InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодах

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 1366
  • Страницы: 242-247

Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 1723
  • Страницы: 232-236

Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 25
  • 2221
  • Страницы: 61-67

Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 25
  • 2288
  • Страницы: 170-175

Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 1870
  • Страницы: 85-89

Устойчивость стационарных состояний плазменного диода со встречными пучками электронов и позитронов

Астрофизика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 2
  • 1742
  • Страницы: 442-448

Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 6
  • 2055
  • Страницы: 191-195

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 43
  • 2309
  • Страницы: 179-184

Энергоинформационное фотоприемное устройство

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 12
  • 2038
  • Страницы: 160-164

Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 14
  • 1996
  • Страницы: 83-89

Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 23
  • 2228
  • Страницы: 70-76

Устойчивость неоднородного стационарного распределения потенциала в диоде со встречными потоками электронов и ионов

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 5
  • 2150
  • Страницы: 32-38

Влияние внешней цепи на устойчивость стационарных режимов термоэмиссионного преобразователя энергии

Физическая электроника
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 9
  • 2143
  • Страницы: 25-31

Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 9
  • 1943
  • Страницы: 167-171

Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 2072
  • Страницы: 119-125

Низко-адгезионные силиконовые резины для гибких светоизлучающих устройств

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 6
  • 2417
  • Страницы: 320-325

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 2517
  • Страницы: 281-284

Исследование влияния параметров мезаполосковой конструкции лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм на характеристики излучения

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 11
  • 2525
  • Страницы: 235-238

Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 10
  • 2565
  • Страницы: 226-229

Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 13
  • 2498
  • Страницы: 142-146

Лазерный модуль со стабилизацией длины волны излучения для накачки мощных волоконных лазеров

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 13
  • 2495
  • Страницы: 190-195

Исследование ресурсных характеристик импульсно-периодических матриц лазерных диодов

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 2422
  • Страницы: 167-171

Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 18
  • 2549
  • Страницы: 145-149

Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя

Физическая электроника
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 2945
  • Страницы: 143-148

Триангуляционный датчик для измерения перемещений и высокоточного контроля параметров изделия на производстве

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2020
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 36
  • 6369
  • Страницы: 54-65

Оптимизация освещения операционного поля с целью получения максимального контраста при визуализации биологических объектов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 4
  • 42
  • 6085
  • Страницы: 79-88

Экспериментальная установка для исследования влияния синего света на функцию восприятия времени у лиц с разным типом вегетативной регуляции

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 3
  • 40
  • 7118
  • Страницы: 78-91

Аппаратно-программный комплекс для определения функционального состояния человека при воздействии света с варьируемыми спектрально-цветовыми характеристиками

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2019
  • Том: 12
  • Выпуск: 3
  • 43
  • 5905
  • Страницы: 63-77

Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 3
  • 32
  • 7242
  • Страницы: 39-51

Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 15
  • 6765
  • Страницы: 16-25

Беспроводные сети энергоэффективных, динамически управляемых светодиодных источников

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 127
  • 6611
  • Страницы: 28-36

Особенности радиоканала управления  энергоэффективными  светодиодными источниками освещения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2017
  • Том: 10
  • Выпуск: 2
  • 112
  • 6813
  • Страницы: 16-27

Фрактальные свойства лавинного пробоя светодиода

Физическая электроника
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 191
  • 6601
  • Страницы: 85-93

Тепловое сопротивление и неоднородность распределения электролюминесценции и температуры в мощных AlGaInN-светодиодax

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2015
  • Выпуск: 2
  • 351
  • 6589
  • Страницы: 74-83

Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2014
  • Выпуск: 4
  • 467
  • 6942
  • Страницы: 38-47

Влияние концентрации алюминия в барьерном слое  на свойства светодиодов зеленого диапазона на основе нитрида индия-галлия-алюминия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 356
  • 6691
  • Страницы: 31-36

Источник питания полупроводниковых лазерных диодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2010
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6332
  • Страницы: 131-134

Работоспособность органических светодиодов

Физическое материаловедение
  • Год: 2011
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6318
  • Страницы: 142-146

Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6331
  • Страницы: 32-36

Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 6425
  • Страницы: 45-48

Определение радиационных потерь плазмы токамака Глобус-М с использованием кремниевых фотодиодов SPD

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6312
  • Страницы: 70-74

Спектральная селективность голографических решеток коэффициента усиления в лазере с петлевым резонатором

Физическая оптика
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1112
  • 7985
  • Страницы: 121-129

Одночастотный режим работы лазерных диодов

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 1355
  • 8229
  • Страницы: 89-96