Статьи по ключевому слову "диод"
Отражательный фазовращатель Х-диапазона с низкими потерями и широким диапазоном регулировки фазы
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 69
- Страницы: 315-318
Исследование связи темпа спада светового потока светодиодных матриц с тепловым сопротивлением и параметрами спектра излучения
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 89
- Страницы: 218-222
Фотонно-электронная ИС субтерагерцового I/Q смесителя на основе GaAs-на-Si
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 99
- Страницы: 187-190
Оптопары на основе твердых растворов InAsSb для детектирования углекислого газа
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 113
- Страницы: 178-182
Поверхностно освещаемые высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 0
- 118
- Страницы: 110-114
Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 6
- 3484
- Страницы: 140-144
Конкурирующие процессы в нитридных твёрдых растворах светодиодов с множественными квантовыми ямами
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 2233
- Страницы: 177-181
Новая методика управления дискретностью шкалы в мобильном дифференциальном рефрактометре
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 7
- 2263
- Страницы: 166-172
Пороговый ток отдельных спектральных составляющих спектра излучения светодиодов на основе InGaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2378
- Страницы: 161-165
Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 20
- 2450
- Страницы: 84-87
Особенности конструкции гетероструктур для мощных лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 6
- 2415
- Страницы: 129-133
Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 27
- 3174
- Страницы: 46-56
Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 24
- 3430
- Страницы: 165-170
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 14
- 3089
- Страницы: 155-159
Влияние электронного и протонного облучения на свойства высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем температурном диапазоне
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1
- 56
- 4308
- Страницы: 9-20
Температурная характеризация соединительных туннельных диодов GaAs/AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 4
- 36
- 4594
- Страницы: 30-41
Компактный твердотельный лазер с диодной оптической накачкой и высокой частотной стабильностью
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 9
- 4015
- Страницы: 120-124
Расчет и моделирование оптической системы высокомощного лазерного модуля с волоконным выводом излучения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 29
- 3963
- Страницы: 75-80
Исследование эффекта задержки лавины в детекторе одиночных фотонов с синусоидальным стробированием
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 16
- 3957
- Страницы: 459-462
Влияние сульфидно-полиамидной пассивации на темновые токи InAlAs/InGaAs/InP лавинных фотодиодов
Андрюшкин В.В.
Малеев Н.А.
Кузьменков А.Г.
Кулагина М.М.
Гусева Ю.А.
Васильев А.П.
Блохин С.А.
Бобров М.A.
Трошков С.И.
Папылев Д.С.
Колодезный Е.С.
Устинов В.М.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 28
- 4007
- Страницы: 352-356
Измерение порогового тока в локальных областях кристалла светодиода
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 9
- 3889
- Страницы: 330-334
Исследование влияния формы зоны умножения на уровень темнового счета в InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4195
- Страницы: 242-247
Моделирование характеристик лавинных фотодиодов на основе Ge/Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 30
- 4445
- Страницы: 232-236
Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 2
- 31
- 5154
- Страницы: 61-67
Токовые и температурные зависимости оптических характеристик мощного AlGaN светодиода глубокого УФ диапазона (λ = 270 nm)
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 28
- 4537
- Страницы: 170-175
Особенности низкочастотного шума и безызлучательной рекомбинации в MQW AlGaN/GaN, излучающих на длине волны 280 нм
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 18
- 4264
- Страницы: 85-89
Устойчивость стационарных состояний плазменного диода со встречными пучками электронов и позитронов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 7
- 3855
- Страницы: 442-448
Стимулированное излучение в светодиодах на основе асимметричных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 9
- 4571
- Страницы: 191-195
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 66
- 5066
- Страницы: 179-184
Энергоинформационное фотоприемное устройство
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 16
- 4640
- Страницы: 160-164
Вольт-амперные характеристики Cr/SiC(4H) диодов Шоттки
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 20
- 4548
- Страницы: 83-89
Механизмы, приводящие к температурному падению квантовой эффективности в зеленых InGaN/GaN светодиодах
Шабунина Е.И.
Иванов А.Е.
Тальнишних Н.А.
Карташова А.П.
Полоскин Д.С.
Шмидт Н.П.
Закгейм А.Л.
Черняков А.Е.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 32
- 4800
- Страницы: 70-76
Устойчивость неоднородного стационарного распределения потенциала в диоде со встречными потоками электронов и ионов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 10
- 4780
- Страницы: 32-38
Влияние внешней цепи на устойчивость стационарных режимов термоэмиссионного преобразователя энергии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 13
- 4643
- Страницы: 25-31
Комплексное исследование энергетических возможностей светодиодов UV-C в импульсном и непрерывном режимах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 11
- 4336
- Страницы: 167-171
Распределение температуры в микрооптопарах на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 21
- 4603
- Страницы: 119-125
Низко-адгезионные силиконовые резины для гибких светоизлучающих устройств
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 8
- 5042
- Страницы: 320-325
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 38
- 5292
- Страницы: 281-284
Исследование влияния параметров мезаполосковой конструкции лазерных диодов спектрального диапазона 975 нм на характеристики излучения
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 16
- 5037
- Страницы: 235-238
Измерение внутреннего квантового выхода излучения в локальных областях кристалла светодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 18
- 5136
- Страницы: 226-229
Комплексное исследование распределения светового и температурного полей в мощных AlInGaN светодиодах конструкции «UX:3»
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 15
- 5122
- Страницы: 142-146
Лазерный модуль со стабилизацией длины волны излучения для накачки мощных волоконных лазеров
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 19
- 5100
- Страницы: 190-195
Исследование ресурсных характеристик импульсно-периодических матриц лазерных диодов
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 12
- 4882
- Страницы: 167-171
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 30
- 5187
- Страницы: 145-149
Вольтамперные и фотоэлектрические свойства диодов por-Si/Si-p/Si-n с разной толщиной пористого слоя
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.1
- 17
- 5556
- Страницы: 143-148
Триангуляционный датчик для измерения перемещений и высокоточного контроля параметров изделия на производстве
- Год: 2020
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 42
- 9246
- Страницы: 54-65
Оптимизация освещения операционного поля с целью получения максимального контраста при визуализации биологических объектов
Аладов А.В.
Валюхов В.П.
Закгейм А.Л.
Купцов В.Д.
Мамошин А.В.
Потапова Е.В.
Черняков А.Е.
Фотиади А.Э.
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 4
- 42
- 8846
- Страницы: 79-88
Экспериментальная установка для исследования влияния синего света на функцию восприятия времени у лиц с разным типом вегетативной регуляции
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 3
- 40
- 9872
- Страницы: 78-91
Аппаратно-программный комплекс для определения функционального состояния человека при воздействии света с варьируемыми спектрально-цветовыми характеристиками
- Год: 2019
- Том: 12
- Выпуск: 3
- 46
- 8593
- Страницы: 63-77
Исследование теплового режима в мощных светодиодных матрицах
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 3
- 32
- 9795
- Страницы: 39-51
Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде
- Год: 2018
- Том: 11
- Выпуск: 2
- 16
- 9357
- Страницы: 16-25
Беспроводные сети энергоэффективных, динамически управляемых светодиодных источников
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 128
- 9012
- Страницы: 28-36
Особенности радиоканала управления энергоэффективными светодиодными источниками освещения
- Год: 2017
- Том: 10
- Выпуск: 2
- 113
- 9306
- Страницы: 16-27
Динамически управляемые светодиодные источники света для новых технологий освещения
- Год: 2014
- Выпуск: 4
- 468
- 9669
- Страницы: 38-47
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС
- Год: 2012
- Выпуск: 2
- 0
- 8691
- Страницы: 32-36
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN
- Год: 2012
- Выпуск: 3
- 0
- 8816
- Страницы: 45-48
Спектральная селективность голографических решеток коэффициента усиления в лазере с петлевым резонатором
- Год: 2013
- Выпуск: 2
- 1113
- 10285
- Страницы: 121-129