Статьи по ключевому слову "фотолюминесценция"

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 27
  • Страницы: 105-110

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 0
  • 48
  • Страницы: 34-39

Влияние функционализирующих добавок на флуоресцентные свойства квантовых точек нитрида бора

Биофизика и медицинская физика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 618
  • Страницы: 297-300

Выращивание длинных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой ядро-оболочка методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при постепенном повышении температуры подложки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 10
  • 661
  • Страницы: 143-147

Спонтанная генерация в гидротермальных структурах ZnO

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 675
  • Страницы: 36-41

Фотолюминесценция самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов InAs, разбавленных азотом

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 873
  • Страницы: 34-37

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 15
  • 1672
  • Страницы: 171-177

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 19
  • 1627
  • Страницы: 143-148

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 2059
  • Страницы: 68-76

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 1956
  • Страницы: 43-48

Ультрафиолетовое усиление фотолюминесценции нанокристаллов оксида цинка в коллоидных смесях с наночастицами алюминия, синтезированных в газовом разряде

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 15
  • 2375
  • Страницы: 261-266

Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 2160
  • Страницы: 255-260

Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 2117
  • Страницы: 130-136

На пути к универсальной фотонике, основанной на нитевидных нанокристаллах GaP, декорированных углеродными точками

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 2392
  • Страницы: 187-192

Глубокоуровневое излучение в наноструктурах ZnO, выращенных методом гидротермального синтеза

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2218
  • Страницы: 176-181

Особенности формирования оксидных пористых структур на основе SiO2–SnOх

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 2438
  • Страницы: 10-15

Влияние стимулированного межзонного излучения на терагерцовую фотолюминесценцию в слоях арсенида галлия n-типа

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3
  • 188
  • 3061
  • Страницы: 29-38

Синтез и фотолюминесцентное исследование люминофора Sr3 (VO4 ) 2 :Eu3+ с целью применения в белых светоизлучающих диодах

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 26
  • 3199
  • Страницы: 61-67

Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 15
  • 2791
  • Страницы: 112-116

Межзонная фотолюминесценция нитевидных нанокристаллов InAs(P)/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 27
  • 2883
  • Страницы: 101-107

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 20
  • 2932
  • Страницы: 33-38

Терагерцовая и стимулированная ближняя инфракрасная фотолюминесценция в объёмных слоях n-GaAs

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 36
  • 2754
  • Страницы: 14-19

Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 12
  • 2831
  • Страницы: 162-166

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 28
  • 3061
  • Страницы: 22-27

Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 4
  • 83
  • 3760
  • Страницы: 32-43

Фотолюминесценция сверхрешеток свинцово- галогенидного перовскита

Физика молекул
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 3338
  • Страницы: 326-329

Особенности люминесцентного отклика двумерных фотонных кристаллов с упорядоченными наноостровками Ge(Si) полученных с использованием разных подходов к упорядочению

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 15
  • 3187
  • Страницы: 188-193

Действие гамма-излучения на люминесценцию и фотопроводимость нанокомпозита MEH-PPV – сульфид свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 24
  • 7622
  • Страницы: 35-46

Влияние гамма-излучения на тонкие нанокомпозитные пленки MEH-PPV/C60

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 4
  • 35
  • 7729
  • Страницы: 24-34

Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7241
  • Страницы: 58-62

Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7448
  • Страницы: 7-13

Воздействие гамма-излучения на люминесценцию нанокомпозитов проводящего полимера MEH-PPV с квантовыми точками сульфида свинца

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 26
  • 7544
  • Страницы: 41-48

Структура тонких пленок ZnTPP, ZnTPP-С60 и влияние рентгеновского излучения на их фотолюминесценцию

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 2
  • 32
  • 7785
  • Страницы: 26-40

Свойства полупроводниковой структуры с p–n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния под действием лазерного излучения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2018
  • Том: 11
  • Выпуск: 1
  • 31
  • 7883
  • Страницы: 18-25

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителейзаряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2016
  • Выпуск: 4
  • 114
  • 7465
  • Страницы: 66-76

Синтез и люминесцентные свойства соединения Ca5(PO4)3Cl:Eu2+, перспективного для создания твердотельного источника освещения

Физическое материаловедение
  • Год: 2016
  • Выпуск: 1
  • 271
  • 7798
  • Страницы: 41-47

Излучениеближнего и дальнего инфракрасного диапазона из квантовых ям GaAs/AlGaAs при межзонном оптическом возбуждении

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2013
  • Выпуск: 4
  • 428
  • 7892
  • Страницы: 109-114

Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в периодических массивах нановключений кремния в диоксиде циркония

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2010
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 7273
  • Страницы: 71-78

Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 7401
  • Страницы: 69-73

Особенности энергетического спектра и свойств поликристаллических пленок Pb1–x Cdx Se, сформированных на подложках из фтористого кальция и стекла

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6975
  • Страницы: 7-17

Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния

Физическое материаловедение
  • Год: 2013
  • Выпуск: 2
  • 660
  • 7973
  • Страницы: 130-136

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: