Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 156
  • Страницы: 9-21

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 11
  • 471
  • Страницы: 117-121

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 881
  • Страницы: 275-278

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 925
  • Страницы: 182-186

Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 8
  • 921
  • Страницы: 139-142

Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

Математическое моделирование физических процессов
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 14
  • 899
  • Страницы: 84-87

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 1198
  • Страницы: 306-309

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 15
  • 1260
  • Страницы: 233-237

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 39
  • 2299
  • Страницы: 120-133

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 12
  • 2465
  • Страницы: 289-293

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 55
  • 3470
  • Страницы: 179-184

Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

Физическая оптика
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 20
  • 3067
  • Страницы: 153-159

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 41
  • 3335
  • Страницы: 456-462

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 3390
  • Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 18
  • 3027
  • Страницы: 153-157

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 3601
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 36
  • 3658
  • Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 33
  • 3604
  • Страницы: 157-162

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 22
  • 3491
  • Страницы: 54-58

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 3774
  • Страницы: 31-35

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 28
  • 3630
  • Страницы: 75-79

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: