Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия" | Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки

Рочас С.С. Блохин С.А. Бабичев А.В. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Блохин А.А. Бобров М.A. Малеев Н.А. Андрюшкин В.В. Бугров В.Е. Гладышев А.Г. Мельниченко И.А. Воропаев К.О. Жумаева И.О. Устинов В.М. Ли Х. Тиан С. Хан С. Сапунов Г.А. Егоров А.Ю. Бимберг Д.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1

34
1649
Страницы: 456-462

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур

Илькив И.В. Котляр К.П. Кириленко Д.А. Шаров В.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1

18
1671
Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния

Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Самсоненко Ю.Б. Сошников И.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1

16
1517
Страницы: 153-157

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение

Гридчин В.О. Резник Р.Р. Котляр К.П. Шугабаев Т.М. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

21
1986
Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение

Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

25
2028
Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика

Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

18
2059
Страницы: 157-162

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния

Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

20
1960
Страницы: 54-58

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния

Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Убыйвовк Е.В. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

22
2104
Страницы: 31-35

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур

Лендяшова В.В. Илькив И.В. Бородин Б.Р. Убыйвовк Е.В. Резник Р.Р. Талалаев В.Г. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.2

25
2046
Страницы: 75-79