НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"

Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя

Физическая электроника
Баранцев О.В. Василькова Е.И. Пирогов Е.В. Дементьев П.А. Неведомский В.Н. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Соболев М.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 0
  • 157
  • Страницы: 172-177

Определение длины сверхструктуры 2×N при синтезе Ge на Si(001) при разных температурах

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кукенов О.И. Дирко В.В. Лозовой К.А. Майер К.А. Коханенко А.П.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.2
  • 0
  • 157
  • Страницы: 91-95

Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров

Физическое материаловедение
Шугабаев Т. Харченко А.А. Даутов А.М. Кузнецов А. Лендяшова В.В. Крыжановская Н.В. Резник Р.Р. Гридчин В.О. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 3
  • 179
  • Страницы: 278-282

Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Лендяшова В.В. Котляр К.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э. Илькив И.В.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 153
  • Страницы: 152-155

Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Андреева А.С. Илькив И.В. Котляр К.П. Хребтов А.И. Гридчин В.О. Цырлин Г.Э. Резник Р.Р.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 3.1
  • 2
  • 223
  • Страницы: 148-151

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
Голтаев А. С. Федина С.В. Федоров В.В. Можаров А.М. Новикова К.Н. Максимова А.А. Баранов А.И. Кавеев А.К. Павлов А.В. Минив Д.В. Устименко Р.В. Винниченко М.Я. Мухин И.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 40
  • 3776
  • Страницы: 9-21

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Гладышев А.Г. Андрюшкин В.В. Ковач Я.Н. Бабичев А.В. Воропаев К.О. Егоров А.Ю. Карачинский Л.Я.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 3430
  • Страницы: 117-121

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Физическое материаловедение
Никитина Е.В. Шубина К.Ю. Соболев М.С. Пирогов Е.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 2433
  • Страницы: 275-278

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
Баранцев О.В. Василькова Е.И. Пирогов Е.В. Шубина К.Ю. Баранов А.И. Воропаев К.О. Васильев А.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Соболев М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 24
  • 2352
  • Страницы: 182-186

Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Кукенов О.И. Дирко В.В. Лозовой К.А. Коханенко А.П. Войцеховский А.В. Майер К.А.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 9
  • 2391
  • Страницы: 139-142

Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

Математическое моделирование физических процессов
Новикова К.Н. Фунтикова А.С. Можаров А.М. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 20
  • 2468
  • Страницы: 84-87

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
Шугабаев Т. Гридчин В.О. Кузнецов А. Кулагина А.С. Хребтов А.И. Лендяшова В.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2838
  • Страницы: 306-309

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика
Бабичев А.В. Папылев Д.С. Комаров С.Д. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Егоров А.Ю.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 2810
  • Страницы: 233-237

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
Федоров В.В. Федина С.В. Кавеев А.К. Кириленко Д.А. Фалеев Н. Н. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 45
  • 3938
  • Страницы: 120-133

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Илькив И.В. Котляр К.П. Осипов А.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 14
  • 3825
  • Страницы: 289-293

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 66
  • 5086
  • Страницы: 179-184

Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

Физическая оптика
Андрюшкин В.В. Блохин С.А. Бобров М.A. Блохин А.А. Бабичев А.В. Гладышев А.Г. Новиков И.И. Карачинский Л.Я. Колодезный Е.С. Воропаев К.О. Егоров А.Ю.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 22
  • 4521
  • Страницы: 153-159

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
Рочас С.С. Блохин С.А. Бабичев А.В. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Блохин А.А. Бобров М.A. Малеев Н.А. Андрюшкин В.В. Бугров В.Е. Гладышев А.Г. Мельниченко И.А. Воропаев К.О. Жумаева И.О. Устинов В.М. Ли Х. Тиан С. Хан С. Сапунов Г.А. Егоров А.Ю. Бимберг Д.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 47
  • 4831
  • Страницы: 456-462

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Илькив И.В. Котляр К.П. Кириленко Д.А. Шаров В.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 30
  • 4864
  • Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Самсоненко Ю.Б. Сошников И.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 4515
  • Страницы: 153-157

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
Гридчин В.О. Резник Р.Р. Котляр К.П. Шугабаев Т. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 31
  • 5258
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5315
  • Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 35
  • 5085
  • Страницы: 157-162

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 5061
  • Страницы: 54-58

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Убыйвовк Е.В. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 5399
  • Страницы: 31-35

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Лендяшова В.В. Илькив И.В. Бородин Б.Р. Убыйвовк Е.В. Резник Р.Р. Талалаев В.Г. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 32
  • 5130
  • Страницы: 75-79