Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 4
- 156
- Страницы: 9-21
Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 11
- 471
- Страницы: 117-121
Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 8
- 881
- Страницы: 275-278
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 17
- 925
- Страницы: 182-186
Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 8
- 921
- Страницы: 139-142
Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 14
- 899
- Страницы: 84-87
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 1198
- Страницы: 306-309
Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 15
- 1260
- Страницы: 233-237
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 39
- 2299
- Страницы: 120-133
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2465
- Страницы: 289-293
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 55
- 3470
- Страницы: 179-184
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 20
- 3067
- Страницы: 153-159
Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 41
- 3335
- Страницы: 456-462
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 25
- 3390
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 18
- 3027
- Страницы: 153-157
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 29
- 3601
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 36
- 3658
- Страницы: 281-284
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 33
- 3604
- Страницы: 157-162
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 22
- 3491
- Страницы: 54-58
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 24
- 3774
- Страницы: 31-35
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 28
- 3630
- Страницы: 75-79