Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия" | Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки

Шугабаев Т. Харченко А.А. Даутов А.М. Кузнецов А. Лендяшова В.В. Крыжановская Н.В. Резник Р.Р. Гридчин В.О. Цырлин Г.Э.

Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 3.1

0
27
Страницы: 278-282

Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

Лендяшова В.В. Котляр К.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э. Илькив И.В.

Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 3.1

0
28
Страницы: 152-155

Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы

Андреева А.С. Илькив И.В. Котляр К.П. Хребтов А.И. Гридчин В.О. Цырлин Г.Э. Резник Р.Р.

Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 3.1

0
34
Страницы: 148-151

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Голтаев А. С. Федина С.В. Федоров В.В. Можаров А.М. Новикова К.Н. Максимова А.А. Баранов А.И. Кавеев А.К. Павлов А.В. Минив Д.В. Устименко Р.В. Винниченко М.Я. Мухин И.С.

Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 2

38
3655
Страницы: 9-21

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Гладышев А.Г. Андрюшкин В.В. Ковач Я.Н. Бабичев А.В. Воропаев К.О. Егоров А.Ю. Карачинский Л.Я.

Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 1.1

16
3350
Страницы: 117-121

Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках

Никитина Е.В. Шубина К.Ю. Соболев М.С. Пирогов Е.В.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

12
2354
Страницы: 275-278

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника

Баранцев О.В. Василькова Е.И. Пирогов Е.В. Шубина К.Ю. Баранов А.И. Воропаев К.О. Васильев А.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Соболев М.С.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

24
2260
Страницы: 182-186

Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ

Математическое моделирование физических процессов

Кукенов О.И. Дирко В.В. Лозовой К.А. Коханенко А.П. Войцеховский А.В. Майер К.А.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

9
2300
Страницы: 139-142

Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде

Новикова К.Н. Фунтикова А.С. Можаров А.М. Мухин И.С.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.2

20
2391
Страницы: 84-87

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Шугабаев Т. Гридчин В.О. Кузнецов А. Кулагина А.С. Хребтов А.И. Лендяшова В.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1

18
2754
Страницы: 306-309

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика

Бабичев А.В. Папылев Д.С. Комаров С.Д. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Егоров А.Ю.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 3.1

20
2704
Страницы: 233-237

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Федоров В.В. Федина С.В. Кавеев А.К. Кириленко Д.А. Фалеев Н. Н. Мухин И.С.

Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 2

44
3837
Страницы: 120-133

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Илькив И.В. Котляр К.П. Осипов А.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 3.1

14
3739
Страницы: 289-293

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Приборы и техника физического эксперимента

Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2

66
4996
Страницы: 179-184

Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

Физическая оптика

Андрюшкин В.В. Блохин С.А. Бобров М.A. Блохин А.А. Бабичев А.В. Гладышев А.Г. Новиков И.И. Карачинский Л.Я. Колодезный Е.С. Воропаев К.О. Егоров А.Ю.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.2

22
4429
Страницы: 153-159

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Рочас С.С. Блохин С.А. Бабичев А.В. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Блохин А.А. Бобров М.A. Малеев Н.А. Андрюшкин В.В. Бугров В.Е. Гладышев А.Г. Мельниченко И.А. Воропаев К.О. Жумаева И.О. Устинов В.М. Ли Х. Тиан С. Хан С. Сапунов Г.А. Егоров А.Ю. Бимберг Д.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1

45
4744
Страницы: 456-462

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Илькив И.В. Котляр К.П. Кириленко Д.А. Шаров В.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1

30
4781
Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Самсоненко Ю.Б. Сошников И.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э.

Год: 2023
Том: 16
Выпуск: 1.1

24
4430
Страницы: 153-157

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Гридчин В.О. Резник Р.Р. Котляр К.П. Шугабаев Т. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

31
5172
Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

38
5229
Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика

Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

35
4989
Страницы: 157-162

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

23
4983
Страницы: 54-58

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Убыйвовк Е.В. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.

Год: 2022
Том: 15
Выпуск: 3.3

26
5298
Страницы: 31-35

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии