НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"

Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка

Физическое материаловедение
Шугабаев Т.М. Гридчин В.О. Кузнецов А. Кулагина А.С. Хребтов А.И. Лендяшова В.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 18
  • Страницы: 306-309

Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Физическая оптика
Бабичев А.В. Папылев Д.С. Комаров С.Д. Крыжановская Н.В. Блохин С.А. Неведомский В.Н. Гладышев А.Г. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Егоров А.Ю.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 0
  • 25
  • Страницы: 233-237

Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией

Физическое материаловедение
Фёдоров В.В. Федина С.В. Кавеев А.К. Кириленко Д.А. Фалеев Н. Н. Мухин И.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 28
  • 1154
  • Страницы: 120-133

Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Илькив И.В. Котляр К.П. Осипов А.В. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 8
  • 1497
  • Страницы: 289-293

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 44
  • 2426
  • Страницы: 179-184

Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния

Физическая оптика
Андрюшкин В.В. Блохин С.А. Бобров М.A. Блохин А.А. Бабичев А.В. Гладышев А.Г. Новиков И.И. Карачинский Л.Я. Колодезный Е.С. Воропаев К.О. Егоров А.Ю.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 17
  • 2125
  • Страницы: 153-159

Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ

Приборы и техника физического эксперимента
Рочас С.С. Блохин С.А. Бабичев А.В. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Блохин А.А. Бобров М.A. Малеев Н.А. Андрюшкин В.В. Бугров В.Е. Гладышев А.Г. Мельниченко И.А. Воропаев К.О. Жумаева И.О. Устинов В.М. Ли Х. Тиан С. Хан С. Сапунов Г.А. Егоров А.Ю. Бимберг Д.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 37
  • 2345
  • Страницы: 456-462

Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Илькив И.В. Котляр К.П. Кириленко Д.А. Шаров В.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 22
  • 2348
  • Страницы: 341-345

Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Самсоненко Ю.Б. Сошников И.П. Хребтов А.И. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 16
  • 2101
  • Страницы: 153-157

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии

Физическое материаловедение
Гридчин В.О. Резник Р.Р. Котляр К.П. Шугабаев Т.М. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 26
  • 2600
  • Страницы: 311-314

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 29
  • 2612
  • Страницы: 281-284

Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Уваров А.В. Филатов В.В. Мизеров А.М. Тимошнев С.Н. Никитина Е.В.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 24
  • 2672
  • Страницы: 157-162

Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии

Физика конденсированного состояния
Ерёменко М.М. Балакирев С.В. Черненко Н.Е. Шандыба Н.А. Солодовник М.С. Агеев О.А.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 21
  • 2571
  • Страницы: 54-58

Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах

Физика конденсированного состояния
Резник Р.Р. Гридчин В.О. Котляр К.П. Убыйвовк Е.В. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 23
  • 2766
  • Страницы: 31-35

Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
Лендяшова В.В. Илькив И.В. Бородин Б.Р. Убыйвовк Е.В. Резник Р.Р. Талалаев В.Г. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 25
  • 2641
  • Страницы: 75-79