Статьи по ключевому слову "молекулярно-пучковая эпитаксия"
Рост нитевидных нанокристаллов GaAs с частицей, богатой кремнием на вершине
Сибирев Н.В.
Илькив И.В.
Убыйвовк Е.В.
Сошников И.П.
Штром И.В.
Резник Р.Р.
Брюханова В.В.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 1
- 177
- Страницы: 62-66
Две полосы в спектре фотолюминесценции от сверхрешетки InGaN/GaN, заключенной в нитевидный нанокристал GaN
Субботина Е.А.
Субботина А.С.
Серов А.Ю.
Философов Н.Г.
Гридчин В.О.
Сибирев Н.В.
Цырлин Г.Э.
Штром И.В.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 4.1
- 0
- 181
- Страницы: 44-48
Структурные и морфологические особенности гетероструктур InGaAs/InP фотодетекторов с длиной волны отсечки 2.5 мкм с различным профилем метаморфного буферного слоя
Баранцев О.В.
Василькова Е.И.
Пирогов Е.В.
Дементьев П.А.
Неведомский В.Н.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
Соболев М.С.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 4
- 300
- Страницы: 172-177
Определение длины сверхструктуры 2×N при синтезе Ge на Si(001) при разных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 3
- 294
- Страницы: 91-95
Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров
Шугабаев Т.
Харченко А.А.
Даутов А.М.
Кузнецов А.
Лендяшова В.В.
Крыжановская Н.В.
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 4
- 306
- Страницы: 278-282
Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 1
- 288
- Страницы: 152-155
Рост методом МПЭ вюрцитных нитевидных нанокристаллов AlGaAs с включениями кубической кристаллографической фазы
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 4
- 350
- Страницы: 148-151
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
Голтаев А. С.
Федина С.В.
Федоров В.В.
Можаров А.М.
Новикова К.Н.
Максимова А.А.
Баранов А.И.
Кавеев А.К.
Павлов А.В.
Минив Д.В.
Устименко Р.В.
Винниченко М.Я.
Мухин И.С.
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 41
- 3923
- Страницы: 9-21
Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 17
- 3545
- Страницы: 117-121
Исследование слоев GaPN(As), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 13
- 2542
- Страницы: 275-278
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
Баранцев О.В.
Василькова Е.И.
Пирогов Е.В.
Шубина К.Ю.
Баранов А.И.
Воропаев К.О.
Васильев А.А.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
Соболев М.С.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 24
- 2477
- Страницы: 182-186
Изучение механизмов формирования террас германия на кремнии (100) при МПЭ методом ДБОЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2496
- Страницы: 139-142
Численное исследование влияния геометрии нитевидных нанокристаллов GaP на эффективность экстракции света в красном светодиоде
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 20
- 2573
- Страницы: 84-87
Влияние химического травления на оптические и структурные свойства нитевидных нанокристаллов InGaN ядро-оболочка
Шугабаев Т.
Гридчин В.О.
Кузнецов А.
Кулагина А.С.
Хребтов А.И.
Лендяшова В.В.
Резник Р.Р.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2947
- Страницы: 306-309
Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
Бабичев А.В.
Папылев Д.С.
Комаров С.Д.
Крыжановская Н.В.
Блохин С.А.
Неведомский В.Н.
Гладышев А.Г.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
Егоров А.Ю.
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 22
- 2929
- Страницы: 233-237
Формирование однодоменных буферных слоев фосфида галлия на кремниевой подложке без применения метода эпитаксии с повышенной миграцией
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 45
- 4073
- Страницы: 120-133
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 14
- 3937
- Страницы: 289-293
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
Бондаренко Д.Н.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Резник Р.Р.
Кириленко Д.А.
Баранов А.И.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Максимова А.А.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 66
- 5216
- Страницы: 179-184
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300 нм с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InGaАlAs для передачи данных на большие расстояния
Андрюшкин В.В.
Блохин С.А.
Бобров М.A.
Блохин А.А.
Бабичев А.В.
Гладышев А.Г.
Новиков И.И.
Карачинский Л.Я.
Колодезный Е.С.
Воропаев К.О.
Егоров А.Ю.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 24
- 4658
- Страницы: 153-159
Высокоскоростные вертикально излучающие лазеры 1550 нм на основе напряженных In(Al)GaAs КЯ
Рочас С.С.
Блохин С.А.
Бабичев А.В.
Карачинский Л.Я.
Новиков И.И.
Блохин А.А.
Бобров М.A.
Малеев Н.А.
Андрюшкин В.В.
Бугров В.Е.
Гладышев А.Г.
Мельниченко И.А.
Воропаев К.О.
Жумаева И.О.
Устинов В.М.
Ли Х.
Тиан С.
Хан С.
Сапунов Г.А.
Егоров А.Ю.
Бимберг Д.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 48
- 4955
- Страницы: 456-462
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 30
- 4984
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
Резник Р.Р.
Гридчин В.О.
Котляр К.П.
Драгунова А.С.
Крыжановская Н.В.
Самсоненко Ю.Б.
Сошников И.П.
Хребтов А.И.
Цырлин Г.Э.
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 25
- 4637
- Страницы: 153-157
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 5379
- Страницы: 311-314
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 38
- 5452
- Страницы: 281-284
Разработка видимослепых ультрафиолетовых фотодетекторов на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN выращенных на подложках c-Al2O3
Синицкая О.А.
Шубина К.Ю.
Мохов Д.В.
Уваров А.В.
Филатов В.В.
Мизеров А.М.
Тимошнев С.Н.
Никитина Е.В.
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 35
- 5201
- Страницы: 157-162
Влияние температуры предростового отжига на последующий рост арсенида галлия на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 24
- 5179
- Страницы: 54-58
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5522
- Страницы: 31-35
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 32
- 5248
- Страницы: 75-79