Статьи по ключевому слову "квантовые точки"
Моделирование адсорбции In на подложках AlxGa1–xAs в течение первых стадий капельной эпитаксии
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 1
- 62
- Страницы: 100-104
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 1
- 61
- Страницы: 79-83
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 0
- 68
- Страницы: 38-42
Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 27
- 1195
- Страницы: 105-112
Расчёт изоэлектрической точки антитела к SARS-CoV-2 методом молекулярного моделирования и его применение в конъюгации с квантовыми точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 7
- 1859
- Страницы: 360-365
Покрытие гидрофильных халькогенидных квантовых точек карбоксиметилхитозаном для применения в иммунохроматографическом анализе
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 4
- 1462
- Страницы: 312-317
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 5
- 1472
- Страницы: 255-260
Синтез квантовых точек селенидов металлов с использованием безфосфиновых прекурсоров
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 14
- 1604
- Страницы: 125-129
Кинетика люминесценции квантовых точек CsPbBr3
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 22
- 1559
- Страницы: 321-324
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 15
- 1521
- Страницы: 64-68
Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 24
- 2144
- Страницы: 157-162
Подавление молекулярных энионных состояний в спектрах магнито-фотолюминесценции квантовых точeк InP/GaInP2 при температуре 30 К
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 13
- 2140
- Страницы: 112-116
Кинетика преобразования тонкого двумерного слоя GaN, выращенного на поверхности AlN, при циклировании потока аммиака
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 15
- 2079
- Страницы: 62-66
Влияние компенсирующих слоев GaP на характеристики фотопреобразователей GaAs со встроенными массивами квантовых точек InGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 14
- 2064
- Страницы: 411-415
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 16
- 2098
- Страницы: 153-157
Исследование оптических свойств квантовых точек в зависимости от природы и количества дополнительных полупроводниковых слоев
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 10
- 2587
- Страницы: 106-110
Экспериментальное исследование образования наноуглублений с помощью локального капельного травления модифицированной поверхности GaAs (001) фокусированным ионным пучком
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 13
- 2518
- Страницы: 48-53
Многостадийная капельная эпитаксия для формирования квантовых точек InAs/GaAs со сверхнизкой плотностью
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 9
- 2681
- Страницы: 42-47
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 23
- 2764
- Страницы: 31-35
Исследование процесса конъюгации антител с квантовыми точками для создания иммунохроматографических тест-систем на их основе
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 27
- 2719
- Страницы: 331-335
Резонансный перенос энергии Фёрстера от коллоидных квантовых точек к ксантеновому красителю в полимерной пленке
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 13
- 2789
- Страницы: 80-85
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 25
- 2639
- Страницы: 75-79
Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 49
- 3357
- Страницы: 25-30
Влияние анодного окисления арсенидных гетероструктур с квантовыми точками на температурные зависимости фотоэлектрических спектров
- Год: 2010
- Выпуск: 3
- 0
- 6608
- Страницы: 63-66
Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 6306
- Страницы: 11-14
Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками Ce/Si
- Год: 2011
- Выпуск: 3
- 0
- 6762
- Страницы: 46-50
Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 6858
- Страницы: 9-15