НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
  • cover_79
Год: 2025
Том: 18
Выпуск: 1.1
Страниц: 159
450
80639
Предыдущий выпуск Архив выпусков Следующий выпуск
Подать статью
Полный текст
XML
Последние выпуски

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs: Mn

Объемные свойства полупроводников
Бердников В.С. Кавокин К.В. Кузнецова М.С. Литвяк В.М. Бажин П.С.
  • 43
  • 3267
  • Страницы: 6-10

Неидеальная экспериментально наблюдаемая фаза Берри в монокристалле топологического изолятора Bi2Se3

Объемные свойства полупроводников
Фоминых Б.М. Ирхин В.Ю. Перевалова А.Н. Наумов С.В. Марченков В.В.
  • 29
  • 3359
  • Страницы: 11-16

Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Хвостикова О.А. Корниенко П.Д. Хвостиков В.П. Салий Р.А.
  • 12
  • 3296
  • Страницы: 17-21

Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Якушова Н.Д. Филиппов И.А. Карманов А.А. Губич И.А. Пронин И.А.
  • 14
  • 3185
  • Страницы: 22-27

Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Сорокина С.В. Хвостикова О.А. Корниенко П.Д. Хвостиков В.П.
  • 14
  • 3204
  • Страницы: 28-33

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Ружевич М.С. Мынбаев К.Д. Фирсов Д.Д. Чуманов И.В. Комков О.С. Варавин В.С. Якушев М.В.
  • 19
  • 3127
  • Страницы: 34-39

Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Ладанова Ю.А. Загороднева В.Н. Дворцова П.А. Сутурин С.М. Федоров В.В. Устинов А. Б. Сахаров В.И. Соколов Н.С.
  • 6
  • 3198
  • Страницы: 40-45

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Артеев Д.С. Сахаров А.В. Николаев А.Е. Заварин Е.Е. Никитина Е.В. Цацульников А.Ф.
  • 16
  • 3074
  • Страницы: 46-51

Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Зедоми Т.Э. Белова Д.Д. Котова Л.В. Кочерешко В.П.
  • 7
  • 3075
  • Страницы: 52-57

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Мелентьев Г.А. Винниченко М.Я. Караулов Д.А. Фирсов Д.А.
  • 16
  • 3096
  • Страницы: 58-66

Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Бетке И.А. Стрыгин И.С. Колосовский Е.А. Быков А.А.
  • 10
  • 3045
  • Страницы: 67-71

Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Бахметьев М.В. Чиглинцев Э. Барулина Е.Ю. Шевякова К.В. Морозов А.Д. Клещ В.И. Чернов А.И.
  • 15
  • 3109
  • Страницы: 72-76

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Козко И.А. Карасёва Е.П. Свинкин Н.А. Ридер М.А. Вячеславова Е.А. Гридчин В.О. Федоров В.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.
  • 8
  • 3003
  • Страницы: 77-82

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Шаров В.А.
  • 5
  • 2959
  • Страницы: 83-87

Влияние геометрии на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Аветисян А.Г. Винниченко М.Я. Акопян Э.С.
  • 14
  • 2947
  • Страницы: 88-94

Узкополосная флуоресценция центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах, помещенных в кольцевой микрорезонатор

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Живописцев А.А. Ромшин А.М. Пастернак Д.Г. Калашников Д. Баграмов Р.Х. Филоненко В.П. Власов И.И.
  • 12
  • 3244
  • Страницы: 95-99

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Шубина К.Ю. Синицкая О.А. Эннс Я.Б. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • 9
  • 3020
  • Страницы: 100-104

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb-светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Кириленко Я.Д. Ружевич М.С. Романов В.В. Моисеев К.Д. Дорогов М.В. Томкович М.В. Фирсов Д.Д. Чуманов И.В. Комков О.С. Мынбаев К.Д.
  • 14
  • 3001
  • Страницы: 105-110

Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Малевская А.Д. Минтаиров М.А. Евстропов В.В. Малевский Д.А. Малевская А.В. Калюжный Н.А.
  • 8
  • 2996
  • Страницы: 111-116

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Гладышев А.Г. Андрюшкин В.В. Ковач Я.Н. Бабичев А.В. Воропаев К.О. Егоров А.Ю. Карачинский Л.Я.
  • 15
  • 3024
  • Страницы: 117-121

Нанокомпозиты WOx/WS2 для газовых сенсоров, работающих при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Зырянова О.Д. Налимова С.С. Кондратьев В.М. Буй К.Д. Мошников В.А.
  • 15
  • 3078
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры на ширину спектральной линии излучения одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Ковач Я.Н. Блохин С.А. Бобров М.A. Блохин А.А. Малеев Н.А. Васильев А.П.
  • 6
  • 3053
  • Страницы: 128-133

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Чэн Ю. Камаев Г.Н. Попов А.А. Володин В.А.
  • 3
  • 2978
  • Страницы: 134-139

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p-i-n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич Пуговкин А.А. Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.
  • 6
  • 3097
  • Страницы: 140-144

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Свинкин Н.А. Кондратьев В.М. Полозков Р.Г. Новикова К.Н. Зубов Ф.И. Можаров А.М. Большаков А.Д.
  • 16
  • 3115
  • Страницы: 145-151

Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

Новые материалы
Смирнов К.А. Жабоев Е.И. Митетело Н.В. Майдыковский А.И. Мурзина Т.В.
  • 13
  • 3089
  • Страницы: 152-157