Год: 2025 Том: 18 Выпуск: 1.1
Страниц: 159
267 10977

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • 27
  • 468
  • Страницы: 6-10

Неидеальная экспериментально наблюдаемая фаза Берри в монокристалле топологического изолятора Bi2Se3

Объемные свойства полупроводников
  • 21
  • 549
  • Страницы: 11-16

Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 4
  • 441
  • Страницы: 17-21

Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 6
  • 445
  • Страницы: 22-27

Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 5
  • 448
  • Страницы: 28-33

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 8
  • 420
  • Страницы: 34-39

Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 2
  • 450
  • Страницы: 40-45

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 6
  • 417
  • Страницы: 46-51

Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 5
  • 401
  • Страницы: 52-57

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 11
  • 432
  • Страницы: 58-66

Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 8
  • 426
  • Страницы: 67-71

Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 5
  • 422
  • Страницы: 72-76

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 2
  • 406
  • Страницы: 77-82

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 2
  • 378
  • Страницы: 83-87

Влияние геометрии на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 6
  • 401
  • Страницы: 88-94

Узкополосная флуоресценция центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах, помещенных в кольцевой микрорезонатор

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 5
  • 420
  • Страницы: 95-99

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 3
  • 393
  • Страницы: 100-104

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 6
  • 402
  • Страницы: 105-110

Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 5
  • 393
  • Страницы: 111-116

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 10
  • 407
  • Страницы: 117-121

Нанокомпозиты WOx/WS2 для газовых сенсоров, работающих при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 10
  • 446
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры на ширину спектральной линии излучения одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 5
  • 404
  • Страницы: 128-133

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 1
  • 376
  • Страницы: 134-139

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 6
  • 395
  • Страницы: 140-144

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 8
  • 401
  • Страницы: 145-151

Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

Новые материалы
  • 9
  • 436
  • Страницы: 152-157

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: