Год: 2025 Том: 18 Выпуск: 1.1
Страниц: 159
252 8053

Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников
  • 26
  • 343
  • Страницы: 6-10

Неидеальная экспериментально наблюдаемая фаза Берри в монокристалле топологического изолятора Bi2Se3

Объемные свойства полупроводников
  • 18
  • 416
  • Страницы: 11-16

Эпитаксиальный рост AlGaAs из Bi-содержащих расплавов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 4
  • 319
  • Страницы: 17-21

Наноструктурная инженерия наноматериалов на основе ZnO, содопированного Cu и Al, для сенсорных и фотокаталитических приложений

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 4
  • 313
  • Страницы: 22-27

Пассивация фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения на основе узкозонных материалов

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 5
  • 327
  • Страницы: 28-33

Оптические характеристики пленок Hg0.7Cd0.3Te со стравленным поверхностным варизонным слоем

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 7
  • 310
  • Страницы: 34-39

Исследование структурных и электрофизических свойств эпитаксиальных пленок титаната бария

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • 2
  • 330
  • Страницы: 40-45

Слоевое сопротивление AlGaN/GaN гетероструктур с барьерами с повышенным содержанием алюминия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 6
  • 313
  • Страницы: 46-51

Влияние магнитного поля на интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe без общего атома

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 5
  • 295
  • Страницы: 52-57

Влияние различных типов фононов на разогрев двумерного электронного газа на гетероинтерфейсе GaN/AlGaN

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 11
  • 329
  • Страницы: 58-66

Влияние подсветки на положительное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 8
  • 320
  • Страницы: 67-71

Анализ зарядового транспорта в туннельном переходе на основе магнитного изолятора CrCl3

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • 5
  • 316
  • Страницы: 72-76

Исследование флуоресцентных свойств гибридных структур на основе углеродных точек, а также нитевидных нанокристаллов: GaP, GaN и Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 1
  • 294
  • Страницы: 77-82

Комбинационное рассеяние света в напряженных нитевидных нанокристаллах GaN

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 2
  • 274
  • Страницы: 83-87

Влияние геометрии на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 6
  • 297
  • Страницы: 88-94

Узкополосная флуоресценция центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах, помещенных в кольцевой микрорезонатор

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • 4
  • 298
  • Страницы: 95-99

Детекторы ближнего УФ диапазона на основе ультратонких эпитаксиальных слоев GaN

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 3
  • 277
  • Страницы: 100-104

Влияние разупорядочения в барьерных слоях InAsSbP на характеристики InAsSb–светодиодов

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 6
  • 295
  • Страницы: 105-110

Оптимизация параметров фронтальной контактной сетки фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 4
  • 275
  • Страницы: 111-116

Увеличение ширины полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров 1550 нм при акцепторном легировании активной области

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 10
  • 302
  • Страницы: 117-121

Нанокомпозиты WOx/WS2 для газовых сенсоров, работающих при комнатной температуре

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 10
  • 336
  • Страницы: 122-127

Влияние температуры на ширину спектральной линии излучения одномодовых ВИЛ спектрального диапазона 89Х нм

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 4
  • 290
  • Страницы: 128-133

Влияние нанослоев Ge на эффект переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 1
  • 272
  • Страницы: 134-139

Зависимость статических и динамических характеристик высоковольтных импульсных p–i–n диодов от состава гетероэпитаксиальных AlxGa1−xAs1−ySby базовых слоев

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 6
  • 286
  • Страницы: 140-144

Сенсорика кислот и щелочей на основе нитевидных нанокристаллов кремния

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
  • 7
  • 292
  • Страницы: 145-151

Исследование резонаторных оптических свойств микрокристаллов перилена

Новые материалы
  • 9
  • 334
  • Страницы: 152-157

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: