НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Баранов Артем Игоревич
Подать статью
Последние выпуски
Баранов Артем Игоревич
Баранов Артем Игоревич
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0002-4894-6503

Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния

Физическая электроника
Уваров А.В. Баранов А.И. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.2
  • 17
  • 4834
  • Страницы: 150-154

Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства

Физическая электроника
Максимова А.А. Уваров А.В. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 5370
  • Страницы: 123-127

Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Баранов А.И. Максимова А.А. Резник Р.Р. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2022
  • Том: 15
  • Выпуск: 3.3
  • 38
  • 4916
  • Страницы: 281-284

Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si

Физическое материаловедение
Бондаренко Д.Н. Гридчин В.О. Котляр К.П. Резник Р.Р. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Драгунова А.С. Крыжановская Н.В. Максимова А.А. Цырлин Г.Э.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 61
  • 4664
  • Страницы: 179-184

Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Кияницын С.Ю. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 17
  • 3747
  • Страницы: 90-95

Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 10
  • 4027
  • Страницы: 176-181

Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Неплох В.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.2
  • 49
  • 4437
  • Страницы: 10-17

Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 17
  • 3692
  • Страницы: 434-438

Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD

Физическая электроника
Вторыгин Г.Э. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 21
  • 3572
  • Страницы: 473-478

Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства

Физическое материаловедение
Максимова А.А. Уваров А.В. Поздеев В.А. Кириленко Д.А. Баранов А.И. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 30
  • 3815
  • Страницы: 273-277

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Михайлов О.П. Баранов А.И. Гудовских А.С. Теруков Е.И.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 3096
  • Страницы: 160-164

Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si

Физическая электроника
Вячеславова Е.А. Уваров А.В. Максимова А.А. Баранов А.И. Гудовских А.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 18
  • 2113
  • Страницы: 199-203

Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN

Физическая оптика
Синицкая О.А. Шубина К.Ю. Мохов Д.В. Баранов А.И. Мизеров А.М. Никитина Е.В.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.1
  • 13
  • 2207
  • Страницы: 220-223

Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки

Физика молекул, кластеров и наноструктур
Максимова А.А. Уваров А.В. Вячеславова Е.А. Баранов А.И. Ярчук Э.Я. Гудовских А.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 12
  • 1757
  • Страницы: 152-156

Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики

Физическая электроника
Баранцев О.В. Василькова Е.И. Пирогов Е.В. Шубина К.Ю. Баранов А.И. Воропаев К.О. Васильев А.А. Карачинский Л.Я. Новиков И.И. Соболев М.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 22
  • 1925
  • Страницы: 182-186

Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов

Физическая оптика
Михайлов О.П. Баранов А.И. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С. Шварц М.З. Теруков Е.И.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 1790
  • Страницы: 251-255

Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения

Физика конденсированного состояния
Баранов А.И. Вторыгин Г.Э. Уваров А.В. Максимова А.А. Вячеславова Е.А. Гудовских А.С.
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 25
  • 2679
  • Страницы: 17-24

Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии

Физика конденсированного состояния
Голтаев А. С. Федина С.В. Федоров В.В. Можаров А.М. Новикова К.Н. Максимова А.А. Баранов А.И. Кавеев А.К. Павлов А.В. Минив Д.В. Устименко Р.В. Винниченко М.Я. Мухин И.С.
  • Год: 2025
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 31
  • 3176
  • Страницы: 9-21