Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
Баранов Артем Игоревич
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алферова
Санкт-Петербург, Российская Федерация
Публикации
Orcid ID
0000-0002-4894-6503
Исследование транспортных и рекомбинационных свойств контактной системы a-Si:H (i)/ μc-Si:H (n) для фотоэлектрических преобразователей на основе кремния
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 17
- 5147
- Страницы: 150-154
Плазменно-осажденный фосфид индия и его электрофизические свойства
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 40
- 5767
- Страницы: 123-127
Физические свойства GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 38
- 5244
- Страницы: 281-284
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 66
- 5008
- Страницы: 179-184
Исследование фотопреобразовательных гетеропереходов n-GaP/p-Si, полученных методом PE-ALD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 17
- 4069
- Страницы: 90-95
Формирование солнечных элементов на основе вертикально-ориентированных структур с радиальным p-i-n переходом для гибкой фотовольтаики
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 11
- 4374
- Страницы: 176-181
Гибкие солнечные элементы на основе PEDOT: PSS и вертикально-ориентированных кремниевых структур
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 49
- 4789
- Страницы: 10-17
Гетероструктурные солнечные элементы на основе наноструктурированного черного кремния
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 17
- 4014
- Страницы: 434-438
Вольт-фарадные характеристики слоев BP, выращенных методом PECVD
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 21
- 3881
- Страницы: 473-478
Плазмохимическое осаждение фосфида бора и его оптические свойства
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 34
- 4197
- Страницы: 273-277
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 26
- 3420
- Страницы: 160-164
Гетероструктурные солнечные элементы на основе GaP/b-Si
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2468
- Страницы: 199-203
Узкополосные ультрафиолетовые фотодетекторы на основе GaN
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 14
- 2562
- Страницы: 220-223
Влияние плазменной обработки in situ при атомно-слоевом осаждении GaN на скорость роста и морфологию пленки
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 14
- 2117
- Страницы: 152-156
Влияние степени легирования активной области InGaAs/InP 2.5 мкм фотодетекторов на их электрофизические характеристики
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 24
- 2274
- Страницы: 182-186
Деградация солнечных гетероструктурных элементов под воздействием потока электронов
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 11
- 2143
- Страницы: 251-255
Спектроскопия полной проводимости гетероструктур фосфида бора на кремниевых подложках, полученных методом плазмохимического осаждения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3
- 26
- 3053
- Страницы: 17-24
Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 38
- 3673
- Страницы: 9-21
Формирование черного кремния с использованием криогенного травления и слоя фоторезиста
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 70
- Страницы: 182-186
Структурные и оптические свойства слоев InP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при различных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 43
- Страницы: 247-251
Исследование емкостных характеристик многослойных структур GaN/InP
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 42
- Страницы: 258-262