Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 4.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 4 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 3.1 Полный текст
Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 61
- 6644
- Страницы: 25-30
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5602
- Страницы: 31-35
Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 5175
- Страницы: 163-166
Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5814
- Страницы: 167-170
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 5383
- Страницы: 260-264
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 32
- 5448
- Страницы: 311-314
Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 5207
- Страницы: 371-375
Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 34
- 5082
- Страницы: 22-27
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 25
- 4704
- Страницы: 153-157
Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 33
- 4788
- Страницы: 108-113
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 48
- 5002
- Страницы: 114-120
Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 57
- 5023
- Страницы: 126-132
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 66
- 5292
- Страницы: 179-184
Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 26
- 4538
- Страницы: 157-162
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 18
- 4111
- Страницы: 64-68
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 20
- 4595
- Страницы: 50-55
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 13
- 4212
- Страницы: 255-260
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 13
- 2867
- Страницы: 38-42
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 19
- 2860
- Страницы: 79-83
Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 22
- 2997
- Страницы: 233-237
Утечка мод в подложку в микродисковых лазерах
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 19
- 2562
- Страницы: 212-216
Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si (111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 7
- 423
- Страницы: 19-22
Исследование микродисковых лазеров с InGaN/GaN квантовой ямой в активной области при повышенных температурах
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 10
- 520
- Страницы: 125-128
Оптические свойства дисковых микрорезонаторов на основе широкозонных III-N материалов
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 5
- 366
- Страницы: 209-213
Оптические исследования меза-структур на основе квантовых ям InGaAs/GaAs с золь-гель пассивацией SiO2
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 3
- 373
- Страницы: 237-241
Оптические свойства и моделирование поверхностных плазмон поляритонов GaN/InGaN нитевидных нанокристаллов на пленках Ag/AlOx для создания плазмонных нанолазеров
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 4
- 368
- Страницы: 278-282
Фотолюминесценция короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InAlAs, выращенных на InP подложке
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.1
- 0
- 387
- Страницы: 95-98
Микродисковые лазеры с мостиковой контактной площадкой, сформированной методом мокрого химического травления
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 1
- 370
- Страницы: 24-28
Инжекционные торцевые микролазеры с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 4
- 336
- Страницы: 29-32
Спектральный состав излучения микролазера, сопряженного с волноводом
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 3.2
- 2
- 307
- Страницы: 200-204