Последние выпуски
- 2025, Том 18 Выпуск 3 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 2 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1.1 Полный текст
- 2025, Том 18 Выпуск 1 Полный текст
Исследование картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 60
- 6168
- Страницы: 25-30
Физические свойства InGaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах, ситезировнных на кремнии при разных ростовых температурах
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 25
- 5113
- Страницы: 31-35
Анализ характеристик InGaAs/GaAs микродисковых лазеров перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 4742
- Страницы: 163-166
Исследование оптической связи микролазеров с утоненным волокном
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 26
- 5340
- Страницы: 167-170
Изучение оптических характристик INP нановключений интегрированных на Si (100)
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 21
- 4948
- Страницы: 260-264
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота InGaN наноструктур на кремнии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 31
- 4995
- Страницы: 311-314
Интегральный оптический трансивер на базе III-V микродискового лазера и фотодиода
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 27
- 4774
- Страницы: 371-375
Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 32
- 4638
- Страницы: 22-27
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 24
- 4254
- Страницы: 153-157
Тепловые характеристики микролазеров III-V, перенесенных на кремниевую подложку
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 33
- 4351
- Страницы: 108-113
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 45
- 4548
- Страницы: 114-120
Микрокольцевые лазеры с волноводным ответвителем
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 57
- 4565
- Страницы: 126-132
Физические свойства нитевидных нанокристаллов GaN с вставками структуры «core-shell» InGaN/GaN, выращенных методом МПЭ с плазменной активацией на подложке Si
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 63
- 4819
- Страницы: 179-184
Многоуровневая лазерная генерация в микродисковых лазерах с InAs/GaAs квантовыми точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 26
- 4127
- Страницы: 157-162
Исследование формирования квантовых точек InAs/GaAs в докритических режимах роста на структурированных подложках
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 18
- 3681
- Страницы: 64-68
Исследование фотолюминесценции квантовых точек InGaAs/GaAs с бимодальным неоднородным уширением
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 19
- 4083
- Страницы: 50-55
Усиление фотолюминесценции нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью квантовых точек CdSe/ZnS
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 11
- 3748
- Страницы: 255-260
Формирование квантовых точек путем осаждения InGaAs на структурированную поверхность GaAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2373
- Страницы: 38-42
Исследование фотолюминесцентных свойств докритических квантовых точек InAs/GaAs, сформированных на структурированных подложках
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 18
- 2408
- Страницы: 79-83
Исследование планарной структуры микрорезонатора с квантовыми точками In0.63Ga0.37As и непоглощающими зеркалами Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.1
- 20
- 2518
- Страницы: 233-237
Утечка мод в подложку в микродисковых лазерах
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 3.2
- 18
- 2101
- Страницы: 212-216