Статьи по ключевому слову "гетероструктуры"
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 6
- 335
- Страницы: 77-82
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 5
- 357
- Страницы: 62-67
Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 6
- 317
- Страницы: 55-61
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 5
- 355
- Страницы: 43-48
Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 7
- 873
- Страницы: 223-227
Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 5
- 933
- Страницы: 133-137
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 19
- 1000
- Страницы: 47-52
Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 8
- 1395
- Страницы: 140-145
Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 10
- 1436
- Страницы: 96-100
Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.3
- 17
- 1575
- Страницы: 33-38
Фотолюминесценция и перенос энергии между квантовыми ямами CdTe/CdMnTe, разделенными широкими барьерами
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 20
- 1604
- Страницы: 49-53
Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 22
- 1611
- Страницы: 22-27
Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si
- Год: 2010
- Выпуск: 3
- 0
- 6202
- Страницы: 7-13
Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 5775
- Страницы: 11-14
Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций
- Год: 2012
- Выпуск: 4
- 0
- 5770
- Страницы: 28-31