Статьи по ключевому слову "гетероструктуры"

Влияние бомбардировки ионами аргона на состав, электронную структуру и физические свойства фторида кадмия

Физическое материаловедение
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 3
  • 13
  • 937
  • Страницы: 87-96

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 25
  • 1512
  • Страницы: 77-82

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 28
  • 1538
  • Страницы: 62-67

Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 31
  • 1514
  • Страницы: 55-61

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы
  • Год: 2024
  • Том: 17
  • Выпуск: 1.1
  • 24
  • 1734
  • Страницы: 43-48

Структурные характеристики поверхности пленок нитрида алюминия-галлия на нанослоях карбида кремния на кремнии

Физическое материаловедение
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.2
  • 11
  • 2095
  • Страницы: 223-227

Сохраняемость параметров псевдоморфных гетероструктур с InGaAs-каналом на подложке GaAs

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 7
  • 2060
  • Страницы: 133-137

Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 3.1
  • 26
  • 2149
  • Страницы: 47-52

Поляриметрия волноводных гетероструктур с квантовыми яма-точками

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 9
  • 2546
  • Страницы: 140-145

Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры GaAs/AlAs в нитевидных нанокристаллах

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 13
  • 2545
  • Страницы: 96-100

Определение концентраций доноров и акцепторов в GaN по желтой полосе фотолюминесценции

Объемные свойства полупроводников
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.3
  • 19
  • 2741
  • Страницы: 33-38

Фотолюминесценция и перенос энергии между квантовыми ямами CdTe/CdMnTe, разделенными широкими барьерами

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 29
  • 2823
  • Страницы: 49-53

Исследование фотолюминесценции InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с временным разрешением методом АП-конверсии

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2023
  • Том: 16
  • Выпуск: 1.1
  • 27
  • 2880
  • Страницы: 22-27

Конденсация экситонов в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2010
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 7282
  • Страницы: 7-13

Влияние электрического поля и температуры на эмиссию фотовозбужденных носителей из квантовых точек арсенида индия в матрицу арсенида галлия

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2009
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 6783
  • Страницы: 11-14

Получение слоев нитрида галлия c пониженной плотностью дислокаций

Физика конденсированного состояния
  • Год: 2012
  • Выпуск: 4
  • 0
  • 6902
  • Страницы: 28-31

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: