НТВ Физико-математические науки
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические наукиCанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2008
    ISSN 2304-9782
    ISSN 2618-8686
    ISSN 2405-7223
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    Подать статью

    Статьи по ключевому слову "полупроводники"

    Исследование самогибридизованных волноводных экситон-поляритонов в двумерном антиферромагнетике CrSBr при комнатной температуре

    Новые материалы
    Калантаевский И.Э.Горелкина Т.Д.Кравцов В.А.
    • Год: 2026
    • Том: 19
    • Выпуск: 1.1
    • 5
    • 363
    • Страницы: 146-150

    Электростатическое управление коррелированными фазами в пространственно неоднородной двумерной муаровой структуре

    Физика конденсированного состояния
    Абрамов А.Н.Чиглинцев Э.Осколкова Т.Бандурин Д.A.Иорш И.В.Чернов А.И.Кравцов В.А.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.2
    • 8
    • 945
    • Страницы: 49-52

    Влияние буферного слоя GaAs на характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(111)

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Котляр К.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.Илькив И.В.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 4
    • 904
    • Страницы: 152-155

    Упорядоченный рост нанопроволок GaAs на Si(111) подложках, модифицированных при помощи двухэтапной обработки поверхности фокусированным ионным пучком

    Физика конденсированного состояния
    Шандыба Н.А.Ерёменко М.М.Духан Д.Д.Черненко Н.Е.Кириченко Д.В.Кугаевский А.Д.Махов И.С.Крыжановская Н.В.Балакирев С.В.Солодовник М.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 3.1
    • 11
    • 1000
    • Страницы: 19-22

    Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кавокин К.В.Кузнецова М.С.Литвяк В.М.Бажин П.С.
    • Год: 2025
    • Том: 18
    • Выпуск: 1.1
    • 59
    • 4737
    • Страницы: 6-10

    Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

    Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Коляда Д.В.Комков О.С.Скворцов И.В.Машанов В.И.Тимофеев В.А.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 52
    • 3900
    • Страницы: 62-67

    Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

    Объемные свойства полупроводников
    Бердников В.С.Кузнецова М.С.Кавокин К.В.Джиоев Р.И.
    • Год: 2024
    • Том: 17
    • Выпуск: 1.1
    • 37
    • 4220
    • Страницы: 31-36

    Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии

    Физическое материаловедение
    Хахулин С.А.Лакунцова О.Е.Фирсов Д.Д.Комков О.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 29
    • 4997
    • Страницы: 228-232

    Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов

    Физическая оптика
    Аникина М.А.Кузнецов А.Токсумаков А.Н.Дремов В.В.Казарян Д.А.Федоров В.В.Арсенин А.B.Волков В.С.Большаков А.Д.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.2
    • 15
    • 4809
    • Страницы: 130-136

    Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Осипов А.В.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 15
    • 4535
    • Страницы: 289-293

    Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O

    Математическое моделирование физических процессов
    Саенко А.В.Билык Г.Е.Малюков С.П.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 13
    • 5036
    • Страницы: 221-226

    Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения

    Физика конденсированного состояния
    Чуманов И.В.Фирсов Д.Д.Соловьёв В.А.Чернов М.Ю.Комков О.С.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 3.1
    • 34
    • 4937
    • Страницы: 47-52

    Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»

    Физическая оптика
    Комаров С.Д.Гридчин В.О.Лендяшова В.В.Котляр К.П.Резник Р.Р.Дворецкая Н.В.Драгунова А.С.Махов И.С.Надточий А.М.Крыжановская Н.В.Цырлин Г.Э.Жуков А.Е.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.2
    • 49
    • 5548
    • Страницы: 114-120

    Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Илькив И.В.Котляр К.П.Кириленко Д.А.Шаров В.А.Резник Р.Р.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 30
    • 5553
    • Страницы: 341-345

    Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ

    Физика конденсированного состояния
    Резник Р.Р.Гридчин В.О.Котляр К.П.Драгунова А.С.Крыжановская Н.В.Самсоненко Ю.Б.Сошников И.П.Хребтов А.И.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2023
    • Том: 16
    • Выпуск: 1.1
    • 26
    • 5254
    • Страницы: 153-157

    Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре

    Физическая оптика
    Кондратьев В.И.Иванова Т.В.Тюгаев М.Д.Самусев Антон КирилловичКравцов В.А.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.3
    • 14
    • 5697
    • Страницы: 223-225

    Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO

    Физическая электроника
    Казакин А.Н.Эннс Я.Б.Уваров А.В.Никитина Е.В.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 31
    • 5891
    • Страницы: 145-149

    Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Лендяшова В.В.Илькив И.В.Бородин Б.Р.Убыйвовк Е.В.Резник Р.Р.Талалаев В.Г.Цырлин Г.Э.
    • Год: 2022
    • Том: 15
    • Выпуск: 3.2
    • 34
    • 5863
    • Страницы: 75-79

    Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Хапугин О. Е.Горбачева Е. А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9969
    • Страницы: 7-11

    Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах

    Атомная физика, физика кластеров и наноструктур
    Кочиев М. В.Нгуен М. Х.Цветков В. А.
    • Год: 2010
    • Выпуск: 3
    • 0
    • 9461
    • Страницы: 58-62

    Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]

    Физика конденсированного состояния
    Никитина Л.Н.Обухов С.В.Тютерев В.Г.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 0
    • 9692
    • Страницы: 34-38

    Композитные тонкие пленки C60CDS для фотоэлектроники

    Физика конденсированного состояния
    Захарова И.Б.Супрун Е.И.Ильин В.И.
    • Год: 2009
    • Выпуск: 2
    • 1
    • 9608
    • Страницы: 23-29

    Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов

    Физика конденсированного состояния
    Пастор А.А.Сердобинцев П.Ю.Тимофеев Н.А.Ходорковский М.А.Накозина А.А.
    • Год: 2011
    • Выпуск: 4
    • 0
    • 9364
    • Страницы: 39-43

    Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира

    Физика конденсированного состояния
    Матвеев С.А.Денисов С.А.Чалков В.Ю.Шенгуров В.Г.Степихова М.В.
    • Год: 2013
    • Выпуск: 1
    • 559
    • 10105
    • Страницы: 24-28