Найти
НТВ Физико-математические науки
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Cанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2008
ISSN 2304-9782
ISSN 2618-8686
ISSN 2405-7223
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
Редакционная коллегия
Главный редактор
Архив выпусков
Авторам
Меню
Содержание и структура статьи
Оформление статьи
Этика научных публикаций
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Аннотация к статье
Список литературы
Лицензионное соглашение
График выхода журналов
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Статьи
Год: 2024
Том: 17
Выпуск: 1.1
Страниц: 179
215
6487
Предыдущий выпуск
Архив выпусков
Подать статью
Полный текст
XML
Последние выпуски
2024
,
Том 17
Выпуск 1.1
Полный текст
2024
,
Том 17
Выпуск 1
Полный текст
2023
,
Том 16
Выпуск 4
Полный текст
2023
,
Том 16
Выпуск 3.2
Полный текст
Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем
Объемные свойства полупроводников
Жиляков В.Л.
Югова И.А.
16
239
Страницы: 6-11
Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах
Объемные свойства полупроводников
Мелентьев Г.А.
Караулов Д.А.
Костромин Н.А.
Винниченко М.Я.
Фирсов Д.А.
Шалыгин В.А.
12
248
Страницы: 12-19
Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута
Объемные свойства полупроводников
Здоровейщев Д.А.
Вихрова О.В.
Данилов Ю.А.
Дудин Ю.А.
Здоровейщев А.В.
Парафин А.Е.
Дроздов М.Н.
4
241
Страницы: 20-24
Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов
Объемные свойства полупроводников
Пшеничный В.А.
Дубинина Т.В.
Дроздов К.А.
5
225
Страницы: 25-30
Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
Объемные свойства полупроводников
Бердников В.С.
Кузнецова М.С.
Кавокин К.В.
Джиоев Р.И.
9
253
Страницы: 31-36
Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения
Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Козодаев Д.А.
Новиков И.А.
Мошников В.А.
4
249
Страницы: 37-42
Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ
Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Осинных И.В.
Малин Т.В.
Милахин Д.С.
Журавлев К.С.
5
240
Страницы: 43-48
Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора
Рост структуры, поверхность и интерфейсы
Гогина О.А.
Петров Ю.В.
Вывенко О.Ф.
Ковальчук С.
Болотин К.
5
236
Страницы: 49-54
Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Доморацкий Е.В.
Захарченко М.В.
Глинский Г. Ф.
4
219
Страницы: 55-61
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Чуманов И.В.
Фирсов Д.Д.
Коляда Д.В.
Комков О.С.
Скворцов И.В.
Машанов В.И.
Тимофеев В.А.
4
235
Страницы: 62-67
Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Адамов Р.Б.
Мелентьев Г.А.
Подоскин А.А.
Слипченко С.О.
Седова И.В.
Сорокин С.В.
Махов И.С.
Фирсов Д.А.
Шалыгин В.А.
3
224
Страницы: 68-76
Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Ружевич М.С.
Мынбаев К.Д.
Баженов Н.Л.
Романов В.В.
Моисеев К.Д.
5
229
Страницы: 77-82
Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Хахулин С.А.
Фирсов Д.Д.
Комков О.С.
Тимофеев В.А.
Скворцов И.В.
Машанов В.И.
Уткин Д.Е.
5
246
Страницы: 83-88
Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия
Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы
Сарыпов Д.И.
Похабов Д.А.
Погосов А.Г.
Егоров Д.А.
Жданов Е.Ю.
Бакаров А.К.
2
237
Страницы: 89-94
Возбуждение терагерцовой волной плазмонных мод, локализованных на краю графенового прямоугольника
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Машинский К.В.
Попов В.В.
Фатеев Д.В.
6
235
Страницы: 95-99
Флуоресценция одиночных центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах в цилиндрических углублениях на золотой пленке
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Живописцев А.А.
Ромшин А.М.
Грициенко А.В.
Лега П.В.
Баграмов Р.Х.
Филоненко В.П.
Витухновский А.Г.
Власов И.И.
9
243
Страницы: 100-104
Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Устименко Р.В.
Караулов Д.А.
Винниченко М.Я.
Махов И.С.
Фирсов Д.А.
Саркисян А.А.
Саргсян Т.А.
Айрапетян Д.Б.
7
240
Страницы: 105-112
Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Козко И.А.
Карасёва Е.П.
Сосновицкая З.Ф.
Истомина М.С.
Фёдоров В.В.
Шмаков С.В.
Кондратьев В.М.
Большаков А.Д.
23
288
Страницы: 113-118
Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Карасёва Е.П.
Козко И.А.
Ридер М.А.
Ковова М.С.
Захаров В.В.
Федина С.В.
Кондратьев В.М.
Большаков А.Д.
13
232
Страницы: 119-124
Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Шаров В.А.
Алексеев П.А.
Фёдоров В.В.
Мухин И.С.
4
213
Страницы: 125-130
Повышение добротности сферических резонаторов с помощью радиальной анизотропии
Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы
Эгбали А.
Вишневый А.А.
6
214
Страницы: 131-136
Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Николаева А.В.
Кондратьев В.М.
Кадинская С.А.
Маркина Д.Е.
Лендяшова В.В.
Дворецкая Л. Н.
Монастыренко А.О.
Кочетков Ф.М.
Большаков А.Д.
8
228
Страницы: 137-142
Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Харин Н.Ю.
Паневин В.Ю.
Винниченко М.Я.
Норватов И.А.
Фёдоров В.В.
Фирсов Д.А.
3
210
Страницы: 143-148
Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Хамуд Г.А.
Камаев Г.Н.
Вернья М.
Володин В.А.
4
217
Страницы: 149-154
Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Солдатенков Федор Юрьевич
Иванов А.Е.
Малевский Д.А.
Левин С.В.
3
219
Страницы: 155-159
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Михайлов О.П.
Баранов А.И.
Гудовских А.С.
Теруков Е.И.
2
206
Страницы: 160-164
Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения
Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства
Калиновский В.С.
Малеев Н.А.
Васильев А.П.
Контрош Е.В.
Толкачев И.А.
Прудченко К.К.
Устинов В.М.
6
213
Страницы: 165-170
Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si
Новые материалы
Матюнина К.С.
Никольская А.А.
Крюков Р.Н.
Юнин П.А.
Королев Д.С.
3
208
Страницы: 171-177