Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, Выпуск 1.1 | Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки

40
1939
Страницы: 6-11

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Объемные свойства полупроводников

Мелентьев Г.А. Караулов Д.А. Костромин Н.А. Винниченко М.Я. Фирсов Д.А. Шалыгин В.А.

48
2073
Страницы: 12-19

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Объемные свойства полупроводников

Здоровейщев Д.А. Вихрова О.В. Данилов Ю.А. Дудин Ю.А. Здоровейщев А.В. Парафин А.Е. Дроздов М.Н.

14
1982
Страницы: 20-24

Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

Объемные свойства полупроводников

Пшеничный В.А. Дубинина Т.В. Дроздов К.А.

17
1804
Страницы: 25-30

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Объемные свойства полупроводников

Бердников В.С. Кузнецова М.С. Кавокин К.В. Джиоев Р.И.

22
1998
Страницы: 31-36

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Рост структуры, поверхность и интерфейсы

Козодаев Д.А. Новиков И.А. Мошников В.А.

16
1980
Страницы: 37-42

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Рост структуры, поверхность и интерфейсы

Осинных И.В. Малин Т.В. Милахин Д.С. Журавлев К.С.

24
2088
Страницы: 43-48

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Рост структуры, поверхность и интерфейсы

Гогина О.А. Петров Ю.В. Вывенко О.Ф. Ковальчук С. Болотин К.

31
2009
Страницы: 49-54

Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Доморацкий Е.В. Захарченко М.В. Глинский Г. Ф.

35
1818
Страницы: 55-61

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Чуманов И.В. Фирсов Д.Д. Коляда Д.В. Комков О.С. Скворцов И.В. Машанов В.И. Тимофеев В.А.

33
1796
Страницы: 62-67

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Адамов Р.Б. Мелентьев Г.А. Подоскин А.А. Слипченко С.О. Седова И.В. Сорокин С.В. Махов И.С. Фирсов Д.А. Шалыгин В.А.

25
2194
Страницы: 68-76

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Ружевич М.С. Мынбаев К.Д. Баженов Н.Л. Романов В.В. Моисеев К.Д.

27
1791
Страницы: 77-82

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Хахулин С.А. Фирсов Д.Д. Комков О.С. Тимофеев В.А. Скворцов И.В. Машанов В.И. Уткин Д.Е.

32
1946
Страницы: 83-88

Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия

Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы

Сарыпов Д.И. Похабов Д.А. Погосов А.Г. Егоров Д.А. Жданов Е.Ю. Бакаров А.К.

31
2018
Страницы: 89-94

Возбуждение терагерцовой волной плазмонных мод, локализованных на краю графенового прямоугольника

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Машинский К.В. Попов В.В. Фатеев Д.В.

12
1862
Страницы: 95-99

Флуоресценция одиночных центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах в цилиндрических углублениях на золотой пленке

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Живописцев А.А. Ромшин А.М. Грициенко А.В. Лега П.В. Баграмов Р.Х. Филоненко В.П. Витухновский А.Г. Власов И.И.

42
1997
Страницы: 100-104

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Устименко Р.В. Караулов Д.А. Винниченко М.Я. Махов И.С. Фирсов Д.А. Саркисян А.А. Саргсян Т.А. Айрапетян Д.Б.

38
2211
Страницы: 105-112

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Козко И.А. Карасёва Е.П. Сосновицкая З.Ф. Истомина М.С. Федоров В.В. Шмаков С.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.

49
1897
Страницы: 113-118

Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Карасёва Е.П. Козко И.А. Ридер М.А. Ковова М.С. Захаров В.В. Федина С.В. Кондратьев В.М. Большаков А.Д.

30
1830
Страницы: 119-124

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Шаров В.А. Алексеев П.А. Федоров В.В. Мухин И.С.

17
1740
Страницы: 125-130

Повышение добротности сферических резонаторов с помощью радиальной анизотропии

Квантовые провода, квантовые точки и другие низкоразмерные системы

Эгбали А. Вишневый А.А.

13
1821
Страницы: 131-136

Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Николаева А.В. Кондратьев В.М. Кадинская С.А. Маркина Д.Е. Лендяшова В.В. Дворецкая Л. Н. Монастыренко А.О. Кочетков Ф.М. Большаков А.Д.

30
1836
Страницы: 137-142

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Харин Н.Ю. Паневин В.Ю. Винниченко М.Я. Норватов И.А. Федоров В.В. Фирсов Д.А.

19
1733
Страницы: 143-148

Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Хамуд Г.А. Камаев Г.Н. Вернья М. Володин В.А.

21
2169
Страницы: 149-154

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Солдатенков Федор Юрьевич Иванов А.Е. Малевский Д.А. Левин С.В.

11
1759
Страницы: 155-159

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Михайлов О.П. Баранов А.И. Гудовских А.С. Теруков Е.И.

20
1946
Страницы: 160-164

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Оптоэлектронные и наноэлектронные устройства

Калиновский В.С. Малеев Н.А. Васильев А.П. Контрош Е.В. Толкачев И.А. Прудченко К.К. Устинов В.М.

19
1916
Страницы: 165-170

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Новые материалы

Матюнина К.С. Никольская А.А. Крюков Р.Н. Юнин П.А. Королев Д.С.

15
1787
Страницы: 171-177

Спин-зависимое фотонное эхо для ансамбля трехуровневых систем

Оптические свойства эпитаксиальных слоев GaN в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах

Особенности изовалентного легирования арсенида галлия ионами висмута

Разрушение проводящего состояния переменным электрическим полем в комплексах нафталоцианинов

Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn

Исследование наноразмерных структур с использованием эффекта внутреннего трения

Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ

Электронное облучение как метод управления люминесценцией в гексагональном нитриде бора

Эффекты резонансного туннелирования в гетероструктуре GaAs/AlAs

Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения

Люминесценция наноструктур с компенсированными квантовыми ямами при оптической и электричеcкой накачке

Электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs1–ySby/InAsSbP с y = 0,07–0,12

Поляризационная спектроскопия отражения алюминиевых наноантенн на поверхности излучающих гетероструктур GeSiSn/Si

Эффект Гуржи в точечных контактах в арсениде галлия

Возбуждение терагерцовой волной плазмонных мод, локализованных на краю графенового прямоугольника

Флуоресценция одиночных центров окраски «кремний-вакансия» в наноалмазах в цилиндрических углублениях на золотой пленке

Фотоиндуцированное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Фоточувствительные наноструктуры на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и углеродных точек

Температурная эволюция фотоэлектронных свойств нитевидных нанокристаллов фосфида галлия

Исследование проводимости одиночных нитевидных нанокристаллов GaP с помощью атомно-силовой микроскопии и численного моделирования

Повышение добротности сферических резонаторов с помощью радиальной анизотропии

Потенциально гибкий сенсор на основе матрицы ZnO-ПДМС для измерения механической нагрузки

Терагерцовая и инфракрасная фотолюминесценция в структуре на основе n-GaAs с волноводом для ближнего ИК диапaзона

Фототок в МДП-структурах на основе германосиликатных плёнок

Высокотемпературные высоковольтные p–i–n диоды на основе слаболегированных гетероэпитаксиальных слоев AlGaAs и AlGaAsSb

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в солнечных элементах HJT архитектуры под действием облучения электронами

Термостабильные соединительные туннельные диоды GaAs/AlGaAs для многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения

Формирование и светоизлучающие свойства ионно-синтезированных нановключений Ga2O3 в матрице Al2O3/Si

Сообщить автору об опечатке: