Статьи по ключевому слову "полупроводники"
Процессы спин-решеточной релаксации ядер в GaAs:Mn
- Год: 2025
- Том: 18
- Выпуск: 1.1
- 29
- 574
- Страницы: 6-10
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 36
- 1963
- Страницы: 62-67
Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 22
- 2156
- Страницы: 31-36
Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 22
- 2633
- Страницы: 228-232
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 13
- 2446
- Страницы: 130-136
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2492
- Страницы: 289-293
Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2597
- Страницы: 221-226
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 26
- 2597
- Страницы: 47-52
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 43
- 3397
- Страницы: 114-120
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 25
- 3424
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 18
- 3052
- Страницы: 153-157
Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 13
- 3571
- Страницы: 223-225
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 25
- 3673
- Страницы: 145-149
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 28
- 3660
- Страницы: 75-79
Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца
- Год: 2010
- Выпуск: 4
- 0
- 7967
- Страницы: 7-11
Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах
- Год: 2010
- Выпуск: 3
- 0
- 7496
- Страницы: 58-62
Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 7778
- Страницы: 34-38
Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов
- Год: 2011
- Выпуск: 4
- 0
- 7344
- Страницы: 39-43
Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 559
- 8128
- Страницы: 24-28