Статьи по ключевому слову "полупроводники"
Исследование зонной структуры гетероструктур GeSiSn/Ge/Si методом инфракрасной фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 28
- 1535
- Страницы: 62-67
Динамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
- Год: 2024
- Том: 17
- Выпуск: 1.1
- 22
- 1699
- Страницы: 31-36
Характеризация анизотропии оптических свойств черного фосфора методами ИК фурье-спектроскопии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 19
- 2195
- Страницы: 228-232
Анизотропия фотолюминесценции в гибридных наноструктурах на основе нитевидных нанокристаллов фосфида галлия и двумерных дихалькогенидов переходных металлов
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.2
- 10
- 1923
- Страницы: 130-136
Формирование политипов германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 12
- 2066
- Страницы: 289-293
Исследование фотоэлектрических параметров солнечных элементов с гетеропереходом ZnO/Cu2O
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 11
- 2156
- Страницы: 221-226
Исследование температурной зависимости энергетического спектра метаморфных гетероструктур InSb/In(Ga,Al)As/GaAs с помощью метода инфракрасной Фурье-спектроскопии фотоотражения
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 3.1
- 26
- 2148
- Страницы: 47-52
Оптические свойства одиночных нитевидных нанокристаллов InGaN со структурой «ядро-оболочка»
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.2
- 38
- 2916
- Страницы: 114-120
Формирование германиевых квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 24
- 2909
- Страницы: 341-345
Особенности роста нитевидных нанокристаллов AlGaAs с квантовыми точками InAs на поверхности кремния методом роста МПЭ
- Год: 2023
- Том: 16
- Выпуск: 1.1
- 17
- 2609
- Страницы: 153-157
Экспериментальное исследование Ван-дер-Ваальсовых волноводных поляритонов при комнатной температуре
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.3
- 13
- 3127
- Страницы: 223-225
Изготовление и исследование УФ – фотодиода на основе гетероперехода n-GaN/p-NiO
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 23
- 3177
- Страницы: 145-149
Субмонослойные InAs квантовые точки в кремнии, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Год: 2022
- Том: 15
- Выпуск: 3.2
- 28
- 3154
- Страницы: 75-79
Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дельта-слоем марганца
- Год: 2010
- Выпуск: 4
- 0
- 7505
- Страницы: 7-11
Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах
- Год: 2010
- Выпуск: 3
- 0
- 7078
- Страницы: 58-62
Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]
- Год: 2009
- Выпуск: 2
- 0
- 7342
- Страницы: 34-38
Определение электрокинетических свойств полупроводниковых материалов для создания нанокомпозитных катодов
- Год: 2011
- Выпуск: 4
- 0
- 6929
- Страницы: 39-43
Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира
- Год: 2013
- Выпуск: 1
- 559
- 7735
- Страницы: 24-28